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Tiristor inversor de alta potencia C458PB

Tiristor inversor de alta potencia C458PB

Tipo de Pago: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Plazo de entrega: 30 días

Información básica

    Modelo: YZPST-C458PB

Información adicional

    Paquete: 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico

    productividad: 100

    Marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origen: China

    Capacidad de suministro: 1000

    Certificados : ISO9000

    HS-Code: 85413000

    Hafen: SHANGHAI

DDescripción

Tiristor de alta potencia

YZPST-DCR1020SF65-1

Aplicación de tiristores Control de tiristores de motor de CC Tiristor de dispositivo ensamblado a presión Todas las clasificaciones se especifican para Tj = 25 oC a menos que se indique lo contrario.

(1) Todas las clasificaciones de voltaje se especifican para una forma de onda sinusoidal aplicada de 50Hz / 60zHz en el rango de temperatura de -40 a +125 oC.

(2) 10 ms. max. ancho de pulso

(3) Valor máximo para Tj = 125 oC.

(4) Valor mínimo para forma de onda lineal y exponencial a 80% de VDRM nominal. Puerta abierta. Tj = 125 oC.

(5) Valor no repetitivo.

(6) El valor de di / dt se establece de acuerdo con la Norma EIA / NIMA RS-397, Sección 5-2-2-6. El valor definido sería adicional

ción a la obtenida de un circuito amortiguador, que comprende un condensador de 0.2 F y una resistencia de 20 ohmios en paralelo con el thristor bajo prueba.

Características:. Toda estructura difusa . Configuración de compuerta de amplificación central . Capacidad de bloqueo de hasta 4200 voltios

. Máximo tiempo de apagado garantizado . Alta capacidad dV / dt . Dispositivo ensamblado a presión

 High Power Thyristor

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

 

IT(AV)

 

 

640

 

 

A

Sinewave,180o

conduction,T =60oC

c

RMS value of on-state current

ITRMS

 

1005

 

A

Nominal value

 

 

 

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

 

 

 

 

ITSM

 

 

-

 

8.5

 

 

KA KA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o  conduction, T = 125

j

oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o  conduction, T = 125

j

oC

I square t

I2t

 

0.36x106

 

A2s

8.3 msec and 10.0 msec

Latching current

IL

 

600

 

mA

VD  = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

200

 

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

 

Peak on-state voltage

 

VTM

 

 

3.6

 

 

V

ITM  = 1800 A; Duty cPSTCle

0.01%; T = 25 oC

j

Critical rate of rise of on-state current (5, 6)

 

di/dt

 

 

-

 

 

A/  s

Switching from VDRM     1000 V, non-repetitive

Critical rate of rise of on-state current (6)

 

di/dt

 

 

100

 

 

A/  s

 

Switching from VDRM     1000 V

E L E CTR I C A L CH A R A C T E R IS T I C S A N D R A T I N G S

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

150

 

W

tp = 40 us

 

Average gate power dissipation

 

PG(AV)

 

 

5

 

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

-

 

A

 

 

Gate current required to trigger all units

 

IGT

 

-

300

-

 

mA mA mA

V   = 6 V;R  = 3 ohms;T  = -40 oC

D                        L                                    j

V   = 6 V;R  = 3 ohms;T  = +25 oC

D                        L                                    j

V   = 6 V;R  = 3 ohms;T  = +125oC

D                        L                                    j

Gate voltage required to trigger all units

 

 

V

 

-

3.0

-

 

 

V V V

V   = 6 V;R  = 3 ohms;T  = -40 oC

D                        L                                    j

V   = 6 V;R  = 3 ohms;T  = 0-125oC

D                        L                                    j

VD  = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

T = + 125 oC

j

 

Peak negative voltage

 

VGRM

 

 

5

 

 

V

 


G a t i n g

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

150

 

W

tp = 40 us

 

Average gate power dissipation

 

PG(AV)

 

 

5

 

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

-

 

A

 

 

Gate current required to trigger all units

 

IGT

 

-

300

-

 

mA mA mA

V   = 6 V;R  = 3 ohms;T  = -40 oC

D                        L                                    j

V   = 6 V;R  = 3 ohms;T  = +25 oC

D                        L                                    j

V   = 6 V;R  = 3 ohms;T  = +125oC

D                        L                                    j

Gate voltage required to trigger all units

 

 

V

 

-

3.0

-

 

 

V V V

V   = 6 V;R  = 3 ohms;T  = -40 oC

D                        L                                    j

V   = 6 V;R  = 3 ohms;T  = 0-125oC

D                        L                                    j

VD  = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

T = + 125 oC

j

 

Peak negative voltage

 

VGRM

 

 

5

 

 

V

 

D y n a m i c

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

 

Delay time

 

td

 

 

-

 

0.5

 

s

ITM  = 50 A; VD = Rated VDRM Gate pulse: VG = 20 V; RG  = 20 ohms; tr = 0.1   s; tp = 20   s

 

Turn-off time (with VR  = -50 V)

 

tq

 

 

-

 

600

 

s

ITM  = 1000 A; di/dt = 25 A/  s;

VR        -50 V; Re-applied dV/dt = 20

V/  s linear to 80% VDRM; VG = 0;

T = 125 oC; Duty cPSTCle

j

0.01%

 

Reverse recovery charge

 

Qrr

 

 

*

 

 

C

ITM  = 1000 A; di/dt = 25 A/  s; VR        -50 V

* * F o r gu a r a n t eed m a x . v a lu e , c on t a c t f a c t o r y .

T H E R M A L A N D ME CH A N I C A L CH A R A C T E R IS T I C S A N D R A T I N G S

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

 

Storage temperature

 

Tstg

 

-40

 

+125

 

 

oC

 

 

Thermal resistance - junction to case

 

R  (j-c)

 

0.022

0.052

 

o

C/W

Double sided cooled

Single sided cooled

 

Thermal resistamce - case to sink

 

R  (c-s)

 

0.004

0.008

 

o

C/W

Double sided cooled * Single sided cooled *

 

Thermal resistamce - junction to sink

 

R  (j-s)

 

-

-

 

o

C/W

Double sided cooled * Single sided cooled *

Mounting force

P

18

22

 

kN

 

Weight

W

 

 

-

g

 

* * M ou n t i ng s ur f a c es s m oo t h, f l a t y g r e a s ed

RESUMEN DEL CASO Y DIMENSIONES

 High Power Thyristor

PRODUCTOS POR GRUPO : Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Tiristor inversor

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John chang

Mr. John chang

Número de Teléfono:86-514-87782298

Fax:86-514-87782297

Móvil:+8613805278321Contact me with Whatsapp

Email:info@yzpst.com

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