Contactar Proveedor? Proveed
John chang Mr. John chang
¿Qué puedo hacer por ti?
Chatear Ahora Contactar Proveedor

YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

Lista de Productos

Home > Lista de Productos > Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Tiristor inversor > Tiristor inversor de alta potencia C458PB

Tiristor inversor de alta potencia C458PB

Tiristor inversor de alta potencia C458PB

Tipo de Pago: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Plazo de entrega: 30 días

Información básica

    Modelo: YZPST-C458PB

Información adicional

    Paquete: 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico

    productividad: 100

    Marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origen: China

    Capacidad de suministro: 1000

    Certificados : ISO9000

    HS-Code: 85413000

    Hafen: SHANGHAI

DDescripción

TIRISTOR DE ALTA POTENCIA PARA APLICACIONES CON INVERSOR Y CHOPPER

YZPST- C458PB

caracteristicas:

. Toda la estructura difusa

. Configuración de puerta de amplificación interdigitada

. Tiempo máximo de apagado garantizado

. Alta capacidad dV / dt

. Dispositivo ensamblado a presión

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y CALIFICACIONES.

Bloqueo - Estado apagado

Device Type

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

C458PB

  1200

  1200

  1300

V RRM = Voltaje de reversa pico repetitivo

V DRM = Voltaje de estado de apagado pico repetitivo

V RSM = Voltaje máximo inverso no repetitivo (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

 

10 mA

35 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

600V/msec

Conduciendo - en estado

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)

 

  1200

 

A

Tc=85oC

RMS value of on-state current

ITRMS

 

  1570

 

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

18400

  

16900

 

A

 

A

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

1.66x106

 

A2s

8.3 msec and 10.0 msec

Latching current

IL

 

     1000

 

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

     500

 

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

     2.60

 

V

ITM =3000 A; Duty cPSTCle £ 0.01%

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

 

      600

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

200

 

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

5

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

10

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

300

150

125

 

mA

mA

mA

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

 

 

VGT

 

 

0.30

5

3

 

 

V

V

V

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

 

5

 

V

 

Dinámica

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

 

    1.5

0.7

ms

ITM = 500 A; VD = Rated VDRM

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

 

   19

       

 

ms

ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms;

VR ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 200 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0;

Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%

Reverse recovery charge

Qrr

 

      *

2000

mC

ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms;

VR ³ -50 V

* Para garantizado max. Valor, contacte con la fábrica.

CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS Y MECÁNICAS Y CALIFICACIONES.

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+150

 

oC

 

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

 

0.023

0.046

 

oC/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (j-c)

 

0.010

0.020

 

oC/W

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

P

19.5

21

 

kN

 

* Superficies de montaje lisas, planas y engrasadas.

Nota: para el esquema y las dimensiones del caso, consulte el dibujo del esquema del caso en la página 3 de esta Información técnica


ESQUEMA Y DIMENSIONES DEL CASO

C458PB thyristor

A: 47 mm B: 74 mm C: 66 mm E: 26 mm

PRODUCTOS POR GRUPO : Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Tiristor inversor

Realizar consulta

John chang

Mr. John chang

Email:

info@yzpst.com

Realizar consulta

Número de Teléfono:86-514-87782298

Fax:86-514-87782297

Móvil:+8613805278321Contact me with Whatsapp

Email:info@yzpst.com

Dirección: 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu

苏ICP备05018286号-1