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| Precio unitario: | USD 145 - 185 / Piece/Pieces |
|---|---|
| Tipo de Pago: | L/C,T/T,Paypal |
| Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
| Cantidad de pedido mínima: | 1 Piece/Pieces |
| Plazo de entrega: | 30 días |
Información básica
Modelo: YZPST-M2639ZC450
Información adicional
Paquete: 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico
productividad: 100
Marca: YZPST
transporte: Ocean,Air
Lugar de origen: CHINA
Capacidad de suministro: 5000
Certificados : ISO9001-2015,ROHS
Hafen: SHANGHAI
DDescripción
Rectificador RÁPIDO
Diodo rectificador rápido de alta potencia de alta sobretensión
Diodo de recuperación rápida
RECTIFICADOR RÁPIDO DE ALTA POTENCIA DE PROPÓSITO GENERAL
caracteristicas:
. Toda estructura difusa
. Alta sobretensión
. Recuperación inversa suave
. Paquete hermético de cerámica resistente
. Dispositivo ensamblado a presión
Aplicaciones Típicas:
. Rectificador para aplicaciones de unidades
. Convertidores de media tensión
. Aplicaciones de energía pulsada
. Aplicaciones de palanca
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y CLASIFICACIONES
Bloqueo inverso
|
VRRM (1) |
VRSM (1) |
|
4500 |
4500 |
VRRM = voltaje inverso de pico repetitivo
VRSM = Tensión inversa pico no repetitiva (2)
|
Repetitive peak reverse leakage |
IRRM |
20 mA 150 mA |
Conducción - en estado
|
Parameter |
Symbol |
Min |
Max. |
Typ |
Units |
Conditions |
|
Max. Average value of on-state current |
IF(AV)M |
|
2639 |
|
A |
Sinewave,180oconduction,Tc=55oC |
|
RMS value of on-state current |
IFRMS |
|
4922 |
|
A |
Nominal value |
|
Peak one cycle surge (non repetitive) current |
IFSM |
|
27.5 |
|
kA |
Tj=150°C, VR=0,8VRRM, tp=10ms |
|
I square t |
I2t |
|
3.79x103 |
|
kA2s |
10 msec |
|
Peak on-state voltage |
VFM |
|
2.25 |
|
V |
IFM =3000 A; Tj = 150 oC |
|
Threshold voltage |
VFO |
|
1.38 |
|
|
Tj = 150 oC |
|
Forward slope resistance |
rF |
|
0.29 |
|
mΩ |
Tj = 150 oC |
|
Reverse Recovery Current (4) |
IRM(REC) |
|
- |
280 |
A |
IFM = 1000 A; dIF/dt = 60 A/ms, Tj = 150 oC |
|
Reverse Recovery Charge (4) |
Qrr |
|
- |
2300 |
mC |
|
|
Reverse Recovery Time (4) |
tRR |
|
- |
8.5 |
ms |
|
CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS Y MECÁNICAS
|
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
|
Operating temperature |
Tj |
-40 |
+150 |
|
oC |
|
|
Storage temperature |
Tstg |
-40 |
+150 |
|
oC |
|
|
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-c) |
|
0.011
|
|
K/W |
Double sided cooled Single sided cooled |
|
Thermal resistance - case to sink |
RQ (c-s) |
|
0,.022
|
|
K/W |
Double sided cooled Single sided cooled |
|
Mounting force |
P |
37 |
47 |
- |
kN |
|
|
Weight |
W |
|
|
1700 |
g |
About |
RESUMEN DEL CASO Y DIMENSIONES
|
Sym |
A |
B |
C |
D |
H |
|
mm |
109 |
73 |
98 |
3.5×3 |
36±1 |
PRODUCTOS POR GRUPO : Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Diodo de recuperación rápida
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