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Diodo rectificador rápido de alta potencia de alta sobretensión
Diodo rectificador rápido de alta potencia de alta sobretensión
Diodo rectificador rápido de alta potencia de alta sobretensión
Diodo rectificador rápido de alta potencia de alta sobretensión

Diodo rectificador rápido de alta potencia de alta sobretensión

Precio unitario: USD 145 - 185 / Piece/Pieces
Tipo de Pago: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Cantidad de pedido mínima: 1 Piece/Pieces
Plazo de entrega: 30 días
Descargar:

Información básica

    Modelo: YZPST-M2639ZC450

Información adicional

    Paquete: 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico

    productividad: 100

    Marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origen: CHINA

    Capacidad de suministro: 5000

    Certificados : ISO9001-2015,ROHS

    Hafen: SHANGHAI

DDescripción

Rectificador RÁPIDO

YZPST-M2639ZC450

Diodo rectificador rápido de alta potencia de alta sobretensión

Diodo de recuperación rápida

RECTIFICADOR RÁPIDO DE ALTA POTENCIA DE PROPÓSITO GENERAL

caracteristicas:

. Toda estructura difusa

. Alta sobretensión

. Recuperación inversa suave

. Paquete hermético de cerámica resistente

. Dispositivo ensamblado a presión

Aplicaciones Típicas:

. Rectificador para aplicaciones de unidades

. Convertidores de media tensión

. Aplicaciones de energía pulsada

. Aplicaciones de palanca

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y CLASIFICACIONES

Bloqueo inverso

VRRM (1)

VRSM (1)

4500

4500

VRRM = voltaje inverso de pico repetitivo

VRSM = Tensión inversa pico no repetitiva (2)

Repetitive peak reverse leakage

IRRM

20 mA

150 mA 

Conducción - en estado

Parameter

Symbol

Min

Max.

Typ

Units

Conditions

Max. Average value of on-state current

IF(AV)M

 

2639

 

A

Sinewave,180oconduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

IFRMS

 

4922

 

A

Nominal value

Peak one cycle surge

(non repetitive) current

IFSM

 

27.5

 

kA

Tj=150°C, VR=0,8VRRM, tp=10ms

I square t

I2t

 

3.79x103

 

kA2s

10 msec

Peak on-state voltage

VFM

 

2.25

 

V

IFM =3000 A; Tj = 150 oC

Threshold  voltage

VFO

 

1.38

 

 

Tj = 150 oC

Forward slope resistance

rF

 

0.29

 

mΩ

Tj = 150 oC

Reverse Recovery Current (4)

IRM(REC)

 

-

280

A

IFM = 1000 A; dIF/dt = 60 A/ms,

Tj = 150 oC

Reverse Recovery Charge (4)

Qrr

 

-

2300

mC

 

Reverse Recovery Time (4)

tRR

 

-

8.5

ms

CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS Y MECÁNICAS

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+150

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+150

 

oC

 

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

 

0.011

 

 

K/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistance - case to sink

RQ (c-s)

 

0,.022

 

 

K/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

P

37

47

-

kN

 

Weight

W

 

 

1700

g

About

RESUMEN DEL CASO Y DIMENSIONES

YZPST-M2639ZC450-1



Sym

A

B

C

D

H

mm

109

73

98

3.5×3

36±1




PRODUCTOS POR GRUPO : Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Diodo de recuperación rápida

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Fax:86-514-87782297

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