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  • Diodo rectificador rápido de alta potencia de alta sobretensión
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Diodo rectificador rápido de alta potencia de alta sobretensión

  • $185
    1-19
    Piece/Pieces
  • $145
    ≥20
    Piece/Pieces
Payment Type:
L/C,T/T,Paypal
Incoterm:
FOB,CFR,CIF
Min. Order:
1 Piece/Pieces
Delivery Time:
30 Days
Transportation:
Ocean,Air
Port:
SHANGHAI
  • DDescripción
Overview
Product Attributes

ModeloYZPST-M2639ZC450

MarcaYZPST

Supply Ability & Additional Informations

Paquete1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico

productividad100

transporteOcean,Air

Lugar de origenCHINA

Capacidad de suministro5000

Certificados ISO9001-2015,ROHS

HafenSHANGHAI

Tipo de PagoL/C,T/T,Paypal

IncotermFOB,CFR,CIF

Plazo de entrega30 días

Embalaje y entrega
Unidades de venta:
Piece/Pieces
Tipo de paquete:
1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico

Rectificador RÁPIDO

YZPST-M2639ZC450

Diodo rectificador rápido de alta potencia de alta sobretensión

Diodo de recuperación rápida

RECTIFICADOR RÁPIDO DE ALTA POTENCIA DE PROPÓSITO GENERAL

caracteristicas:

. Toda estructura difusa

. Alta sobretensión

. Recuperación inversa suave

. Paquete hermético de cerámica resistente

. Dispositivo ensamblado a presión

Aplicaciones Típicas:

. Rectificador para aplicaciones de unidades

. Convertidores de media tensión

. Aplicaciones de energía pulsada

. Aplicaciones de palanca

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y CLASIFICACIONES

Bloqueo inverso

VRRM (1)

VRSM (1)

4500

4500

VRRM = voltaje inverso de pico repetitivo

VRSM = Tensión inversa pico no repetitiva (2)

Repetitive peak reverse leakage

IRRM

20 mA

150 mA 

Conducción - en estado

Parameter

Symbol

Min

Max.

Typ

Units

Conditions

Max. Average value of on-state current

IF(AV)M

 

2639

 

A

Sinewave,180oconduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

IFRMS

 

4922

 

A

Nominal value

Peak one cycle surge

(non repetitive) current

IFSM

 

27.5

 

kA

Tj=150°C, VR=0,8VRRM, tp=10ms

I square t

I2t

 

3.79x103

 

kA2s

10 msec

Peak on-state voltage

VFM

 

2.25

 

V

IFM =3000 A; Tj = 150 oC

Threshold  voltage

VFO

 

1.38

 

 

Tj = 150 oC

Forward slope resistance

rF

 

0.29

 

mΩ

Tj = 150 oC

Reverse Recovery Current (4)

IRM(REC)

 

-

280

A

IFM = 1000 A; dIF/dt = 60 A/ms,

Tj = 150 oC

Reverse Recovery Charge (4)

Qrr

 

-

2300

mC

 

Reverse Recovery Time (4)

tRR

 

-

8.5

ms

CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS Y MECÁNICAS

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+150

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+150

 

oC

 

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

 

0.011

 

 

K/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistance - case to sink

RQ (c-s)

 

0,.022

 

 

K/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

P

37

47

-

kN

 

Weight

W

 

 

1700

g

About

RESUMEN DEL CASO Y DIMENSIONES

YZPST-M2639ZC450-1



Sym

A

B

C

D

H

mm

109

73

98

3.5×3

36±1




PRODUCTOS POR GRUPO : Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Diodo de recuperación rápida

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Fax:86-514-87782297

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