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Home > Lista de Productos > Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Diodo de recuperación rápida > Aplicaciones de rectificador de alta potencia de diodos de recuperación rápida de 5000 V

Aplicaciones de rectificador de alta potencia de diodos de recuperación rápida de 5000 V

  • $25
    1-99
    Piece/Pieces
  • $15
    ≥100
    Piece/Pieces
Payment Type:
T/T,Paypal
Incoterm:
FOB,CFR,CIF
Min. Order:
1 Piece/Pieces
Delivery Time:
30 Days
Transportation:
Ocean,Air
Port:
SHANGHAI
  • DDescripción
Overview
Product Attributes

ModeloYZPST-SD233N/R-50

MarcaYZPST

Supply Ability & Additional Informations

Paquete1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico

productividad1000

transporteOcean,Air

Lugar de origenCHINA

Capacidad de suministro5000

Certificados ISO9001-2015,ROHS

HafenSHANGHAI

Tipo de PagoT/T,Paypal

IncotermFOB,CFR,CIF

Plazo de entrega30 días

Embalaje y entrega
Unidades de venta:
Piece/Pieces
Tipo de paquete:
1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico

DIODOS DE RECUPERACION RAPIDA

PSTSD233N / R

Caracteristicas

?? Serie de diodos de recuperación FAST de alta potencia

?? 1.0 a 2.0 μs de tiempo de recuperación

?? Calificaciones de alta tensión hasta 5000V

?? Alta capacidad de corriente

?? Características optimizadas de encendido y apagado.

?? Baja recuperación hacia delante

?? Recuperación inversa rápida y suave

?? Encapsulación por compresión

?? Versión de Stud B-8

?? Temperatura máxima de unión 125 ° C

Aplicaciones Típicas

?? Diodo amortiguador para GTO

?? Diodo de rueda libre de alto voltaje

?? Aplicaciones rectificadoras de recuperación rápida

1


Conducción hacia adelante

Parameters

PSTSD233N/R

Units

Conditions

IF(AV              Max. average forward current

@ Case temperature

250

A

180° conduction, half sine wave

60

°C

IF(RMX)           Max. RMS forward current

390

A

IFSM               Max. peak, one-cycle forward

non-repetitive surge current

5500

A

t = 10ms

No voltage

reapplied

Initial TJ =TJmax.

5760

A

t = 8.3ms

I2t             Maximum I2t for fusing

150000

A2s

t = 10ms

No voltage

reapplied

140000

A2s

t = 8.3ms

I2t          Maximum I2t for fusing

1500000

KA2√s

I2t for time tx = I2t x tx ;

0.1 tx 10ms, VRRM = 0V

VFM                Maximum forward voltage drop

3.0

V

TJ = 25 oC, IFM = 1200 (arm)

IRRM               Max. DC reverse current

10.0

μA

TJ = 25 oC, per diode at VRRM

Trr

5

μs

Clasificaciones de voltaje

Type numbe

Voltage Code

VRRM , max repetitive peak AC rev. voltage TJ = TJ max.

V

VRSM , max non-repetitive peak AC rev. voltage

TJ = TJ max.

V

IRRM max.

@ rated VRRM TJ = TJ max. mA

RRM max. D.C. rev. curr.

@ T= 125°C

(μA)

PSTSD233N/R

20

26

30

35

40

45

50

2000

2600

3000

3500

4000

4500

5000

2100

2700

3100

3600

4100

4600

5100

20

20

20

20

20

20

20

500

500

500

500

500

500

500



Tabla de contornos

2






PRODUCTOS POR GRUPO : Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Diodo de recuperación rápida

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