| Precio unitario: | USD 15 - 25 / Piece/Pieces |
|---|---|
| Tipo de Pago: | T/T,Paypal |
| Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
| Cantidad de pedido mínima: | 1 Piece/Pieces |
| Plazo de entrega: | 30 días |
Modelo: YZPST-SD233N/R-40
Paquete: 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico
productividad: 1000
Marca: YZPST
transporte: Ocean,Air
Lugar de origen: CHINA
Capacidad de suministro: 5000
Certificados : ISO9001-2015,ROHS
Hafen: SHANGHAI
DIODOS DE RECUPERACION RAPIDA
PSTSD233N / R
Caracteristicas
?? Serie de diodos de recuperación FAST de alta potencia
?? 1.0 a 2.0 μs de tiempo de recuperación
?? Calificaciones de alta tensión hasta 5000V
?? Alta capacidad de corriente
?? Características optimizadas de encendido y apagado.
?? Baja recuperación hacia delante
?? Recuperación inversa rápida y suave
?? Encapsulación por compresión
?? Versión de Stud B-8
?? Temperatura máxima de unión 125 ° C
Aplicaciones Típicas
?? Diodo amortiguador para GTO
?? Diodo de rueda libre de alto voltaje
?? Aplicaciones rectificadoras de recuperación rápida
Conducción hacia adelante
|
Parameters |
PSTSD233N/R |
Units |
Conditions |
||
|
IF(AV Max. average forward current
@ Case temperature |
250 |
A |
180° conduction, half sine wave |
||
|
60 |
°C |
||||
|
IF(RMX) Max. RMS forward current |
390 |
A |
|
|
|
|
IFSM Max. peak, one-cycle forward
non-repetitive surge current |
5500 |
A |
t = 10ms |
No voltage
reapplied |
Initial TJ =TJmax. |
|
5760 |
A |
t = 8.3ms |
|||
|
I2t Maximum I2t for fusing |
150000 |
A2s |
t = 10ms |
No voltage
reapplied |
|
|
140000 |
A2s |
t = 8.3ms |
|||
|
I2√t Maximum I2√t for fusing |
1500000 |
KA2√s |
I2t for time tx = I2√t x √tx ;
0.1 ≤ tx ≤ 10ms, VRRM = 0V |
||
|
VFM Maximum forward voltage drop |
3.0 |
V |
TJ = 25 oC, IFM = 1200 (arm) |
||
|
IRRM Max. DC reverse current |
10.0 |
μA |
TJ = 25 oC, per diode at VRRM |
||
|
Trr |
5 |
μs |
|
||
Clasificaciones de voltaje
|
Type numbe |
Voltage Code |
VRRM , max repetitive peak AC rev. voltage TJ = TJ max. V |
VRSM , max non-repetitive peak AC rev. voltage TJ = TJ max. V |
IRRM max. @ rated VRRM TJ = TJ max. mA |
RRM max. D.C. rev. curr. @ T= 125°C (μA) |
|
PSTSD233N/R |
20
26
30
35
40
45
50 |
2000
2600
3000
3500
4000
4500
5000 |
2100
2700
3100
3600
4100
4600
5100 |
20
20
20
20
20
20
20 |
500
500
500
500
500
500
500 |
Tabla de contornos
PRODUCTOS POR GRUPO : Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Diodo de recuperación rápida
Mr. John chang