YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Tiristor con módulos de tiristores de puerta 25A amplificador
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Tiristor con módulos de tiristores de puerta 25A amplificador
Tiristor con módulos de tiristores de puerta 25A amplificador
Tiristor con módulos de tiristores de puerta 25A amplificador

Tiristor con módulos de tiristores de puerta 25A amplificador

$2.2100-999 Bag/Bags

$1.85≥1000Bag/Bags

Tipo de Pago:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transporte:Ocean,Air
Hafen:SHANGHAI
Atributos del producto

ModeloYZPST-SG25AA60

MarcaYzpst

Tipo De AlimentaciónFabricante original, ODM, Agencia, Detallista

Materiales De Referenciaficha de datos, Foto

ConfiguraciónFormación

Desglose ActualNo aplica

Retención De Corriente (Ih) (máximo)No aplica

Estado Sin Corriente (máximo)No aplica

Número SCR, DiodoNo aplica

Temperatura De Funcionamiento-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)

Tipo De SCRRecuperación estándar

EstructuraNo aplica

Voltaje EncendidoNo aplica

Disparador De Red De Voltaje (Vgt) (máximo)No aplica

Salida De Corriente (máxima)No aplica

IT(AV)25A

ITRMS39A

ITSM0.45kA

I2t1.04kA2S

VDRM/VRRM600V

Di/dt100A/us

Viso2000V

Tj-40 ~ + 125℃

Tstg-40 ~ + 125℃

Embalaje y entrega
Unidades de venta : Bag/Bags
Descargar :
Descripción

M módulos

YZPST- SG25AA60

Características
Transferencia de calor a través de aluminio nitruro de cerámica aislada de metal base base
Contactos de presión de metales preciosos para alta fiabilidad
Tiristor con puerta amplificadora

Aplicación típica s

· Control de motores de CC

· Control de temperatura

· Dimminación de luz profesional


Calificaciones máximas

Symbol

Condition

Ratings

Unit

IT(AV)

Single phase half wave sin 180° conduction ;TC=70°C

25

A

ITRMS

Single phase half wave sin 180° conduction

39

A

ITSM

Tj= Tj MAX

0.45

kA

I2t

Tj= Tj MAX

1.04

kA2S

VDRM/VRRM

Tj= Tj MAX

600

V

di/dt

non-repetitive

100

A/us

Viso

A.C. 1minute/1S

2000

V

Tj

 

-40   ~    + 125

°C

Tstg

 

-40   ~    + 125

°C

W

About

23

g

Características eléctricas

Symbol

Condition

Ratings

Unit

IDRM /IRRM

AtVDRM Single phase half wave Tj= Tj MAX

5

mA

VTM

On-State Current 78A Tj=25°C

1.40

V

VT(TO)

Tj= Tj MAX

-

V

T

Tj= Tj MAX

-

mΩ

RK1G1

 

-

Ω

RK2G2

 

-

Ω

tgd

Tj=25°C;VD=0.4VDRM ; ITM=ITAV

-

us

tq

dvD/dt=50V/us; Tj= Tj MAX; ITM=ITAV

-

us

IGT/VGT

Tj=25°C IT=1A VD=6V

40 / 3.0

mA/V

VGD

VD=67%VDRM

0.2

V

DV/DT

VD=67%VDRM

100

V/us

IH

Tj=25°C

30

mA

IL

Tj=25°C

-

mA

Rth(j-c)

Thermal resistance Junction to case; per module

1.6

°C /W

Rth(c-h)

Thermal resistance case to heatsink; per module

-

K/W


Dibujo de esquema


Thyristor with amplifying gate 25A thyristor modules







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