Detalles de la compañía

YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD. [Jiangsu,China] Tipo de Negocio: Compañía de comercio , Distribuidor / mayorista , Fabricante , Servicio Main Mark: África , Américas , Asia , Europa Exportador: 91% - 100% Descripción: Módulos de tiristor de fábrica,Tiristor 1000a 1600v,Módulos Semiconductores 1600v

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Fábrica de tiristores semiconductores Módulos 1000a 1600v

Tipo de Pago:	L/C,T/T,Paypal
Incoterm:	FOB,CFR,CIF
Plazo de entrega:	30 días

 Fábrica de tiristores semiconductores Módulos 1000a 1600v

Información básica

Modelo: YZPST-MTC1000A1600V

Información adicional

Paquete: 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico

productividad: 100

Marca: YZPST

transporte: Ocean,Air

Lugar de origen: CHINA

Capacidad de suministro: 500

Certificados : ISO9001-2008,ROHS

HS-Code: 85044409190

Hafen: SHANGHAI

DDescripción

Módulos de tiristor doble

YZPST-MTC1000A1600V

Fábrica de tiristores semiconductores Módulos 1000a 1600v

Características • Transferencia de calor a través de una placa de metal de cerámica con nitruro de aluminio

• Contactos de presión de metales preciosos para una alta confiabilidad • Tiristor con compuerta de amplificación

TIPO: MTC1000A - 1600V Aplicaciones típicas • Control de motor de CC • Control de temperatura • Atenuación de luz profesional

Máximos ratings

Symbol	Condition	Ratings	Unit
I_T(AV)	Single phase,half wave,sin 180° conduction ;T_C=85°C	1000	A
I_TRMS	Single phase,half wave,sin 180° conduction ;T_C=85°C	1484	A
I_TSM	T_j=125°C	30	kA
I²t	T_j=125°C	4300	kA²S
V_DRM/V_RRM	T_j=125°C	1600/1600	V
di/dt	non-repetitive	100	A/us
V_iso	A.C.1minute	2500	V
T_j		-40 ~ + 125	°C
T_stg		-40 ~ + 125	°C
W	About	3.6	Kg

Características electricas

Symbol	Condition	Ratings	Unit
I_DRM /I_RRM	AtV_DRM,Single phase,half wave,T_j=125°C	100	mA
V_TM	On-State Current 3000A,T_j=125°C	1.55	V
V_T(TO)	T_j=125°C	0.8	V
r_T	T_j=125°C	0.09	mΩ
R_K1G1		-	Ω
R_K2G2		-	Ω
t_gd	T_j=25°C;V_D=0.4V_DRM; I_TM=I_TAV	-	us
t_q	dv_D/dt=50V/us;T_j=125°C; I_TM=I_TAV	-	us
I_GT/V_GT	T_j=25°C,I_T=1A,V_D=6V	200 / 3.0	mA/V
V_GD	V_D=67%V_DRM	0.2	V
DV/DT	V_D=67%V_DRM	800	V/us
I_H	T_j=25°C	300	mA
I_L	T_j=25°C	800	mA
R_th(j-c)	Thermal resistance Junction to case	0.31	°C/kW
R_th(c-h)	Thermal resistance case to heatsink	0.20	°C/kW