Control de temperatura dc módulo dc módulo tiristor inteligente

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Información básica

Modelo: YZPST-MTC250A1600V-1

Información adicional

Paquete: 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico

productividad: 100

Marca: YZPST

transporte: Ocean,Air

Lugar de origen: CHINA

Capacidad de suministro: 500

Certificados : ISO9001-2008,ROHS

HS-Code: 85044409190

Hafen: SHANGHAI

DDescripción

Módulo de Tiristor Dual

YZPST-MTC250A1600V-1

El módulo se procesa de acuerdo a las necesidades de los clientes. Puede usarse para control de temperatura, control de motor de CC y arrancadores suaves del motor de CA. El módulo aún tiene muchas características, como la compuerta de amplificación en el tiristor, los contactos de presión de metales preciosos para una alta confiabilidad y la última, pero no menos importante, la transferencia de calor a través de la placa de base de metal de cerámica con nitruro de aluminio.

Módulos de tiristor dual Control de temperatura dc módulo dc módulo tiristor inteligente

Características • Transferencia de calor a través de la placa de metal de cerámica con nitruro de aluminio • Contactos de presión de metales preciosos para una alta confiabilidad

• Tiristor con puerta amplificadora.

TIPO: MTC250A-1600V Aplicaciones típicas • Control de motor de CC • Arrancadores suaves del motor de CA • Control de temperatura • Regulación de luz profesional

Máximos ratings

Symbol	Condition	Ratings	Unit
I_T(AV)	Single phase,half wave,85° conduction	250	A
I_TRMS	Single phase,half wave,35° conduction	566	A
I_TSM	T_j=125℃	8000	A
I²t	T_j=125℃	320	kA²S
V_DRM/V_RRM		1800/1800	V
di/dt	non-repetitive	250	A/us
V_iso	A.C.1minute	3000	V
T_j		-40 ~ + 125	℃
T_stg		-40 ~ + 125	℃
W		-	g

Características electricas

Symbol	Condition	Ratings	Unit
I_DRM /I_RRM	AtV_DRM,Single phase,half wave,T_j=125℃	85	mA
V_TM	On-State Current 750A,T_j=25℃	1.4	V
V_T(TO)	T_j=125℃	0.925	V
t_gd	T_j=25℃	1	us
t_q	T_j=125℃	50-150	us
I_GT/V_GT	T_j=25℃	200 / 3	mA/V
V_GD	V_D=67%V_DRM , T_j=125℃	0.25	V
DV/DT	V_D=67%V_DRM	1000	V/us
I_H	T_j=25℃	150	mA
I_L	T_j=25℃	300	mA
R_th(j-c)	Per Module	0.07	K/W