| Precio unitario: | USD 6.3 - 8 / Piece/Pieces |
|---|---|
| Tipo de Pago: | T/T,Paypal |
| Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
| Cantidad de pedido mínima: | 1 Piece/Pieces |
| Plazo de entrega: | 30 días |
Modelo: YZPST-SKN(R)130-120
Paquete: 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico
productividad: 1000
Marca: YZPST
transporte: Ocean,Air
Lugar de origen: CHINA
Capacidad de suministro: 5000
Certificados : ISO9001-2015,ROHS
Hafen: SHANGHAI
Diodo de recuperación estándar
YZPST-SKN (R) 130
Diodo de recuperación estándar basado en una barrera formada por el contacto entre el metal y el semiconductor,
El diodo de recuperación estándar también se conoce como diodo semiconductor metálico porque un metal está en contacto con un semiconductor tipo n o tipo p para formar un tubo de un solo polo con conductividad unidireccional.
Conducción hacia adelante
|
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
|
Repetitive peak reverse voltage |
VRRM |
|
1600 |
- |
V |
|
|
Non repetitive peak reverse voltage |
VRSM |
|
1700 |
- |
V |
|
|
Max. average forward current |
IF(AV) |
|
165 |
- |
A |
Sinewave,180o conduction,Tc=100oC |
|
Max. RMS forward current |
IF(RMS) |
|
260 |
- |
A |
Nominal value; Tc=100oC |
|
Max. peak, one-cycle forward, non-repetitive surge current |
IFSM |
|
2500 |
- |
A |
10.0 msec (50Hz), half sinewave, Tj = 25 oC, VRM = 0.6VRRM |
|
Maximum I2t for fusing |
I2t |
|
31000 |
- |
A2s |
|
|
Max. forward voltage drop |
VF |
|
1.5 |
|
V |
IF = 500A; Tc=25oC |
|
Threshold voltage |
VF0 |
|
0.85 |
|
V |
Tj=180°C |
|
slope resistance |
rT |
|
1.3 |
|
mΩ |
Características ■ Capacidad de transporte de alta corriente ■ Clasificación de alto voltaje de hasta 2000 V ■ Capacidad de alta corriente de sobrecarga ■ Versión de cátodo y ánodo de perno
Aplicaciones típicas: ■ Convertidores ■ Accionamientos de alta potencia ■ Fuentes de alimentación ■ Controles de máquinas herramienta ■ Aplicaciones de tracción media ■ Fuentes de alimentación
Especificaciones térmicas y mecánicas
|
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
|
Operating temperature |
Tj |
-40 |
+180 |
|
oC |
|
|
Storage temperature |
Tstg |
-50 |
+180 |
|
oC |
|
|
Reverse recovery charge |
Qrr |
|
|
- |
μc |
|
|
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-c) |
|
- - |
0.35 |
K/W |
|
|
Thermal resistamce - case to heatsink |
RQ (c-s) |
|
- - |
0.08 |
K/W |
|
|
Mounting force |
P |
|
|
10 |
Nm |
± 20% |
|
Weight |
W |
- |
- |
- |
g |
|
|
Case style |
|
|
|
- |
|
See Outline Table |
PRODUCTOS POR GRUPO : Semiconductor Stud dispositivos > Diodo de perno de recuperación estándar
Mr. John chang
