Contactar Proveedor? Proveed
John chang Mr. John chang
¿Qué puedo hacer por ti?
Chatear Ahora Contactar Proveedor

YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
I agree Bossgoo.com will authorize the transaction payment on Bossgoomall.com. Bossgoomall.com is a subsidiary of Bossgoo.com group, Please rest assured to trade.
I agree

Lista de Productos

Home > Lista de Productos > Paquete de plástico semiconductor > Rectificador controlado por silicio (SCR) > Semiconductores 800V scr electronicos.

Semiconductores 800V scr electronicos.

  • $0.022
    1000-9999
    Piece/Pieces
  • $0.018
    ≥10000
    Piece/Pieces
Payment Type:
L/C,T/T,Paypal
Incoterm:
FOB,CFR,CIF
Min. Order:
1000 Piece/Pieces
Delivery Time:
30 Days
Transportation:
Ocean,Air
Port:
SHANGHAI
  • DDescripción
Overview
Product Attributes

ModeloYZPST-X0206

MarcaYZPST

Supply Ability & Additional Informations

Paquete1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico

productividad10000

transporteOcean,Air

Lugar de origenCHINA

Capacidad de suministro100000

Certificados ISO9001-2015,ROHS

HafenSHANGHAI

Tipo de PagoL/C,T/T,Paypal

IncotermFOB,CFR,CIF

Plazo de entrega30 días

Packaging & Delivery
Selling Units:
Piece/Pieces
Package Type:
1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico

Dispositivo Semiconductor Scr

YZPST-X0206

Dispositivo semiconductor Scr de 800 V de aplicaciones ● Protector de fugas, temporizador y encendedor de gas ● Controlador de temperatura


Scr Semiconductor Device

Scr Semiconductor Device


Calificaciones Máximo (Ta = 25 ℃)

Parameter

Symbol

Voltage class

Unit

-6

-8

Repetitive peak reverse voltage

VRRM

600

800

V

Repetitive peak off-state voltage

VDRM

600

800

V

RMS on-state current 

IT (RMS)

1.25

A

Average on-state current

IT (AV)

0.8

A

Surge on-state current  

ITSM

22.5

A

I2t for fusing    

I2t

2.5

A2s

Average gate power dissipation 

PG (AV)

0.2

W

Peak gate reverse voltage

VRGM

8

V

Peak gate forward current

IFGM

1.2

A

Junction temperature

Tj

– 40 to +125

°C

Storage temperature

Tstg

– 40 to +150

°C


Características electricas

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test conditions

Repetitive peak reverse current

IRRM

-

-

0.5

mA

Tj =125°C, VRRM applied

Repetitive peak off-state current

IDRM

-

-

0.5

mA

Tj =125°C, VDRM applied, RGK = 1 kÙ

On-state voltage  

VTM

-

-

1.45

V

Ta =25°C, ITM =2.5A

Gate trigger voltage   

VGT

-

-

0.8

V

Tj =25°C, VD = 12 V, RL = 140Ù

Gate non-trigger voltage

VGD

0.1

-

-

V

Tj =125°C, VD = VDRM,RGK = 1 kÙ

Gate trigger current

IGT

20

-

200

μA

Tj =25°C, VD = 12 V, RL = 140Ù

Holding current

IH

-

-

5

mA

Tj =25°C, VD = 12 V,RGK = 1 kÙ

Thermal resistance   

Rth (j-a)

-

-

150

°C/W

Junction to ambient

Activar elemento actual

Item

A

B

C

D

E

F

IGT (μA)

20 to 50

40 to 80

70 to 100

20 to 80

20 to 100

100 to 200


PRODUCTOS POR GRUPO : Paquete de plástico semiconductor > Rectificador controlado por silicio (SCR)

Descargar
Contactar proveedor
  • *A:
    Mr. John chang
  • *Mensaje:
    Su mensaje debe ser de entre 20 a 8,000 caracteres.

Realizar consulta

John chang

Mr. John chang

Número de Teléfono:86-514-87782298

Fax:86-514-87782297

Móvil:+8613805278321Contact me with Whatsapp

Email:info@yzpst.com

Dirección: 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu

Sitio movil

Inicio

Phone

Información de la Empresa

solicitar

苏ICP备05018286号-1