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Tiristor de alta potencia para aplicaciones de inversor

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FOB,CFR,CIF
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1 Piece/Pieces
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30 Days
Transportation:
Ocean,Air
Port:
Shanghai
  • DDescripción
Overview
Product Attributes

ModeloYZPST-R0929LC10 (TQ<10US)

MarcaYZPST

Supply Ability & Additional Informations

productividad1000

transporteOcean,Air

Lugar de origenChina

Capacidad de suministro500

Certificados ISO9001-2008,ROHS

HS-Code85413000

HafenShanghai

Tipo de PagoL/C,T/T,Paypal

IncotermFOB,CFR,CIF

Plazo de entrega30 días

TIRISTOR DE ALTA POTENCIA PARA APLICACIONES DE INVERSOR

YZPST-R0929LC10 (TQ <10US)



Características del tiristor:

. Toda estructura difusa

. Configuración de puerta amplificadora interdigitada

. Máximo tiempo de apagado garantizado

. Alta capacidad dV / dt

. Dispositivo ensamblado a presión

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y CLASIFICACIONES

Bloqueo - Estado desactivado

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

1000

1100

1200


V RRM = voltaje inverso de pico repetitivo

V DRM = Voltaje repetitivo de estado pico apagado

V RSM = Tensión inversa pico no repetitiva (2)

Notas:

Todas las clasificaciones se especifican para Tj = 25 o C a menos que se indique lo contrario.

(1) Todas las clasificaciones de voltaje se especifican para un

Forma de onda sinusoidal de 50Hz / 60zHz sobre el

rango de temperatura -40 a +125 o C.

(2) 10 ms. max. ancho de pulso

(3) Valor máximo para Tj = 125 o C.

(4) Valor mínimo para forma de onda lineal y exponencial a 80% de V DRM nominal. Puerta abierta. Tj = 125 o C.

(5) Valor no repetitivo.

(6) El valor de di / dt se establece de acuerdo con la Norma EIA / NIMA RS-397, Sección 5-2-2-6. El valor definido sería adicional al obtenido de un circuito ubber, que comprende un condensador de 0.2 mF y una resistencia de 20 ohmios en paralelo con el thristor bajo prueba.

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

15 mA

70 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

200 V/msec

Conducción - en estado

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. average value of on-state current

IT(AV)M

 

929

 

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

IT(RMS)m

 

1893

 

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

-

   

9.0

 

kA

 

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

405x103

 

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

 

-

 

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

1000

 

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

2.04

 

V

ITM = 1400 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

 

1500

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

 

1000

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

30

 

W

 

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

2

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

-

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

300

 

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

 

Gate voltage required to trigger all units

 

 

VGT

 

3.0

 

V

 

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

 

Peak negative voltage

VRGM

 

5

 

V

Dinámica

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

 

1.0

-

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

 

2.0

-

 

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

10

-

ms

ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=33%VDRM, dVdr/dt=200V/us

Reverse recovery current

Irm

 

-

 

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us

CARACTERÍSTICAS Y CLASIFICACIONES TÉRMICAS Y MECÁNICAS

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+150

 

oC

 

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

 

-

-

 

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

 

-

-

 

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-s)

 

32

64

 

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

F

10

20

-

kN

 

Weight

W

 

 

-

Kg

about

YZPST-R0929LC10-1





PRODUCTOS POR GRUPO : Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Tiristor inversor

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