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| Precio unitario: | USD 40 - 80 / Piece/Pieces |
|---|---|
| Tipo de Pago: | L/C,T/T,Paypal |
| Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
| Cantidad de pedido mínima: | 1 Piece/Pieces |
| Plazo de entrega: | 30 días |
Información básica
Modelo: YZPST-R0929LC10 (TQ<10US)
Tecnología de fabricación: Dispositivo de circuitos integrados
Tipo: Semiconductor intrínseco
Solicitud: Medición de temperatura
VRRM: 2000V
VDRM: 2000V
VRSM: 2100V
IRRM / IDRM: 20 MA/90 MA
DV/dt: 800 V/sec
Información adicional
productividad: 1000
Marca: YZPST
transporte: Ocean,Air
Lugar de origen: China
Capacidad de suministro: 500
Certificados : ISO9001-2008,ROHS
HS-Code: 85413000
Hafen: Shanghai
DDescripción
TIRISTOR DE ALTA POTENCIA PARA APLICACIONES DE INVERSOR
YZPST-R0929LC10 (TQ <10US)
Características del tiristor:
. Toda estructura difusa
. Configuración de puerta amplificadora interdigitada
. Máximo tiempo de apagado garantizado
. Alta capacidad dV / dt
. Dispositivo ensamblado a presión
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y CLASIFICACIONES
Bloqueo - Estado desactivado
|
VRRM (1) |
VDRM (1) |
VRSM (1) |
|
1000 |
1100 |
1200 |
V RRM = voltaje inverso de pico repetitivo
V DRM = Voltaje repetitivo de estado pico apagado
V RSM = Tensión inversa pico no repetitiva (2)
Notas:
Todas las clasificaciones se especifican para Tj = 25 o C a menos que se indique lo contrario.
(1) Todas las clasificaciones de voltaje se especifican para un
Forma de onda sinusoidal de 50Hz / 60zHz sobre el
rango de temperatura -40 a +125 o C.
(2) 10 ms. max. ancho de pulso
(3) Valor máximo para Tj = 125 o C.
(4) Valor mínimo para forma de onda lineal y exponencial a 80% de V DRM nominal. Puerta abierta. Tj = 125 o C.
(5) Valor no repetitivo.
(6) El valor de di / dt se establece de acuerdo con la Norma EIA / NIMA RS-397, Sección 5-2-2-6. El valor definido sería adicional al obtenido de un circuito ubber, que comprende un condensador de 0.2 mF y una resistencia de 20 ohmios en paralelo con el thristor bajo prueba.
|
Repetitive peak reverse leakage and off state leakage |
IRRM / IDRM |
15 mA 70 mA (3) |
|
Critical rate of voltage rise |
dV/dt (4) |
200 V/msec |
Conducción - en estado
|
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
|
Max. average value of on-state current |
IT(AV)M |
|
929 |
|
A |
Sinewave,180o conduction,Tc=55oC |
|
RMS value of on-state current |
IT(RMS)m |
|
1893 |
|
A |
Nominal value |
|
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current |
ITSM |
|
-
9.0 |
|
kA
kA |
8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC |
|
I square t |
I2t |
|
405x103 |
|
A2s |
8.3 msec |
|
Latching current |
IL |
|
- |
|
mA |
VD = 24 V; RL= 12 ohms |
|
Holding current |
IH |
|
1000 |
|
mA |
VD = 24 V; I = 2.5 A |
|
Peak on-state voltage |
VTM |
|
2.04 |
|
V |
ITM = 1400 A |
|
Critical rate of rise of on-state current (5, 6) |
di/dt |
|
1500 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V, non-repetitive |
|
Critical rate of rise of on-state current (6) |
di/dt |
|
1000 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V |
Gating
|
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
|
Peak gate power dissipation |
PGM |
|
30 |
|
W |
|
|
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
|
2 |
|
W |
|
|
Peak gate current |
IGM |
|
- |
|
A |
|
|
Gate current required to trigger all units |
IGT |
|
300 |
|
mA |
VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC
|
|
Gate voltage required to trigger all units
|
VGT |
|
3.0 |
|
V
|
VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC
|
|
Peak negative voltage |
VRGM |
|
5 |
|
V |
|
Dinámica
|
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
|
Delay time |
tgd |
|
1.0 |
- |
ms |
VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C |
|
Turn-on time |
tgt |
|
2.0 |
- |
|
|
|
Turn-off time (with VR = -5 V) |
tq |
- |
10 |
- |
ms |
ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=33%VDRM, dVdr/dt=200V/us |
|
Reverse recovery current |
Irm |
|
- |
|
A |
ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us |
CARACTERÍSTICAS Y CLASIFICACIONES TÉRMICAS Y MECÁNICAS
|
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
|
Operating temperature |
Tj |
-40 |
+125 |
|
oC |
|
|
Storage temperature |
Tstg |
-40 |
+150 |
|
oC |
|
|
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-c) |
|
- - |
|
K/kW |
Double sided cooled Single sided cooled |
|
Thermal resistamce - case to sink |
RQ (c-s) |
|
- - |
|
K/kW |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
|
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-s) |
|
32 64 |
|
K/kW |
Double sided cooled Single sided cooled |
|
Mounting force |
F |
10 |
20 |
- |
kN |
|
|
Weight |
W |
|
|
- |
Kg |
about |
PRODUCTOS POR GRUPO : Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Tiristor inversor
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