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Tiristor de alta potencia para aplicaciones de inversor

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Tiristor de alta potencia para aplicaciones de inversor

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Información básica

Modelo: YZPST-R0929LC10 (TQ<10US)

Tecnología de fabricación: Dispositivo de circuitos integrados

Tipo: Semiconductor intrínseco

Solicitud: Medición de temperatura

VRRM: 2000V

VDRM: 2000V

VRSM: 2100V

IRRM / IDRM: 20 MA/90 MA

DV/dt: 800 V/sec

Información adicional

productividad: 1000

Marca: YZPST

transporte: Ocean,Air

Lugar de origen: China

Capacidad de suministro: 500

Certificados : ISO9001-2008,ROHS

HS-Code: 85413000

Hafen: Shanghai

DDescripción

TIRISTOR DE ALTA POTENCIA PARA APLICACIONES DE INVERSOR

YZPST-R0929LC10 (TQ <10US)

Características del tiristor:

. Toda estructura difusa

. Configuración de puerta amplificadora interdigitada

. Máximo tiempo de apagado garantizado

. Alta capacidad dV / dt

. Dispositivo ensamblado a presión

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y CLASIFICACIONES

Bloqueo - Estado desactivado

VRRM (1)	VDRM (1)	VRSM (1)
1000	1100	1200

V _RRM = voltaje inverso de pico repetitivo

V _DRM = Voltaje repetitivo de estado pico apagado

V _RSM = Tensión inversa pico no repetitiva (2)

Notas:

Todas las clasificaciones se especifican para Tj = 25 ^o C a menos que se indique lo contrario.

(1) Todas las clasificaciones de voltaje se especifican para un

Forma de onda sinusoidal de 50Hz / 60zHz sobre el

rango de temperatura -40 a +125 ^o C.

(2) 10 ms. max. ancho de pulso

(3) Valor máximo para Tj = 125 ^o C.

(4) Valor mínimo para forma de onda lineal y exponencial a 80% de V _DRM nominal. Puerta abierta. Tj = 125 ^o C.

(5) Valor no repetitivo.

(6) El valor de di / dt se establece de acuerdo con la Norma EIA / NIMA RS-397, Sección 5-2-2-6. El valor definido sería adicional al obtenido de un circuito ubber, que comprende un condensador de 0.2 mF y una resistencia de 20 ohmios en paralelo con el thristor bajo prueba.

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

I_{RRM /}I_DRM

15 mA

70 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

200 V/msec

Conducción - en estado

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Max. average value of on-state current	I_T(AV)_M		929		A	Sinewave,180^o conduction,T_c=55^oC
RMS value of on-state current	I_T₍_RMS_)m		1893		A	Nominal value
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current	I_TSM		- 9.0		kA kA	8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC
I square t	I²t		405x10³		A²s	8.3 msec
Latching current	I_L		-		mA	V_D = 24 V; R_L= 12 ohms
Holding current	I_H		1000		mA	V_{D =} 24 V; I = 2.5 A
Peak on-state voltage	V_TM		2.04		V	I_TM = 1400 A
Critical rate of rise of on-state current (5, 6)	di/dt		1500		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V, non-repetitive
Critical rate of rise of on-state current (6)	di/dt		1000		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V

Gating

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Peak gate power dissipation	P_GM		30		W
Average gate power dissipation	P_G(AV)		2		W
Peak gate current	I_GM		-		A
Gate current required to trigger all units	I_GT		300		mA	V_D = 10 V;I_T=3A;T_j = +25 ^oC
Gate voltage required to trigger all units	V_GT		3.0		V	V_D = 10 V;I_T=3A;T_j = +25 ^oC
Peak negative voltage	V_RG_M		5		V

Dinámica

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Delay time	t_g_d		1.0	-	ms	V_D=67% V_DRM, I_T=2000A, di/dt=60A/us, I_FG=2A, t_r=0.5us, T_j=25C
Turn-on time	t_gt		2.0	-
Turn-off time (with V_R = -5 V)	t_q	-	10	-	ms	I_TM=1000A, t_p=1000us, di/dt=60A/us, V_r=50V, V_dr=33%V_DRM, dV_dr/dt=200V/us
Reverse recovery current	I_r_m		-		A	I_TM=4000A, t_p=2000us, di/dt=60A/us

CARACTERÍSTICAS Y CLASIFICACIONES TÉRMICAS Y MECÁNICAS

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Operating temperature	T_j	-40	+125		^oC
Storage temperature	T_stg	-40	+150		^oC
Thermal resistance - junction to case	R_Q_(j-c)		- -		K/kW	Double sided cooled Single sided cooled
Thermal resistamce - case to sink	R_Q_(c-s)		- -		K/kW	Double sided cooled * Single sided cooled *
Thermal resistance - junction to case	R_Q_(j-_s₎		32 64		K/kW	Double sided cooled Single sided cooled
Mounting force	F	10	20	-	kN
Weight	W			-	Kg	about

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