Cambio rápido de 800V N-canal MOSFET

$5510-199 Piece/Pieces

$45≥200Piece/Pieces

Tipo de Pago:	L/C,T/T,Paypal
Incoterm:	FOB,CFR,CIF
transporte:	Ocean,Air
Hafen:	SHANGHAI

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Descripción

Atributos del producto

Embalaje y entrega

Descripción

Atributos del producto

Modelo: YZPST-SP50N80FX

Marca: Yzpst

Tipo De Alimentación: Fabricante original, ODM, Agencia, Detallista

Materiales De Referencia: ficha de datos, Foto

Configuración: Formación

Desglose Actual: No aplica

Retención De Corriente (Ih) (máximo): No aplica

Estado Sin Corriente (máximo): No aplica

Número SCR, Diodo: No aplica

Temperatura De Funcionamiento: -55 ° C ~ 150 ° C (TJ)

Tipo De SCR: Recuperación estándar

Estructura: No aplica

Voltaje Encendido: No aplica

Disparador De Red De Voltaje (Vgt) (máximo): No aplica

Salida De Corriente (máxima): No aplica

VDSS: 800V

ID: 50A

IDM: 200A

VGSS: ±30V

EAS: 4500mJ

EAR: 60mJ

P: 690w

TJ, Tstg: -55~+150ºC

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YZPST-SP50N80FX

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Descripción

800V N-canal potencia MOSFET
YZPST-SP50N80FX

CARACTERÍSTICAS
Conmutación rápida
100% de avalancha probada
Capacidad de DV/DT mejorada
Aplicaciones
Fuente de alimentación del modo de interruptor (SMPS)
Fuente de alimentación ininterrumpida (UPS)
Corrección del factor de potencia (PFC)
Fast switching 800V N-Channel Power MOSFET

Device Ordering Marking Packing Information

Ordering Number

Package

Marking

Packing

SP50N80FX

SOT-227

SP50N80FX

Tube

Absolute Maximum Ratings T_C = 25ºC, unless otherwise noted
Parameter	Symbol	Value	Unit
Drain-Source Voltage (V_GS = 0V)	VDSS	800	V
Continuous Drain Current	I_D	50	A
Pulsed Drain Current (note1)	IDM	200	A
Gate-Source Voltage	VGSS	±30	V
Single Pulse Avalanche Energy (note2)	EAS	4500	mJ
Repetitive Avalanche Energy (note1)	EAR	60	mJ
Power Dissipation (T_C = 25ºC)	P_D	690	W
Operating Junction and Storage Temperature Range	TJ, Tstg	-55~+150	ºC
Caution: Stresses greater than those listed in the “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device.

Thermal Resistance
Parameter	Symbol	Value	Unit
Thermal Resistance, Junction-to-Case	RthJC	0.18	ºC/W
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient	RthJA	40	ºC/W

Specifications T_J = 25ºC, unless otherwise noted
Parameter	Symbol	Test Conditions	Value			Unit
Parameter	Symbol	Test Conditions	Min.	Typ.	Max.	Unit
Static
Drain-Source Breakdown Voltage	V(BR)DSS	V_GS = 0V, I_D = 250µA	800	--	--	V
Zero Gate Voltage Drain Current	IDSS	V_DS =800, V_GS = 0V, T_J = 25ºC	--	--	1.0	μA
Gate-Source Leakage	IGSS	V_GS = ±30V	--	--	±100	nA
Gate-Source Threshold Voltage	VGS(th)	I_DS = 250µA	2.5	--	4.5	V
Drain-Source On-Resistance (Note3)	RDS(on)	V_GS = 10V, I_D = 25A	--	120	130	mΩ
Dynamic
Input Capacitance	Ciss	V_GS = 0V, V_DS = 25V, f = 1.0MHz	--	14600	--	pF
Output Capacitance	Coss		--	1300	--
Reverse Transfer Capacitance	Crss		--	66	--
Total Gate Charge	Q_g	V_DD =400V, I_D =50A, V_GS = 10V	--	360	--	nC
Gate-Source Charge	Qgs		--	80	--
Gate-Drain Charge	Qgd		--	120	--
Turn-on Delay Time	td(on)	V_DD = 400V, I_D =50A, R_G = 10 Ω	--	110	--	ns
Turn-on Rise Time	t_r		--	200	--
Turn-off Delay Time	td(off)		--	160	--
Turn-off Fall Time	t_f		--	185	--
Drain-Source Body Diode Characteristics
Continuous Body Diode Current	I_S	T_C = 25 ºC	--	--	50	A
Pulsed Diode Forward Current	ISM	T_C = 25 ºC	--	--	400	A
Body Diode Voltage	VSD	T_J = 25ºC, I_SD = 25A, V_GS = 0V	--	--	1.4	V
Reverse Recovery Time	trr	V_GS = 0V,I_S = 50A, di_F/dt =100A /μs	--	520	--	ns
Reverse Recovery Charge	Qrr	V_GS = 0V,I_S = 50A, di_F/dt =100A /μs	--	5.0	--	μC