YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Inicio> Lista de Productos> Paquete de plástico semiconductor> BI DIRECCIONES Tiristor (Triac)> DV/DT alto BTA208-800D 800V 8A TO-220 TRIAC
DV/DT alto BTA208-800D 800V 8A TO-220 TRIAC
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$0.115000-19999 Piece/Pieces

$0.09≥20000Piece/Pieces

Tipo de Pago:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transporte:Ocean,Land,Express,Others
Hafen:SHANGHAI
Atributos del producto

ModeloYZPST-BTA208-800D

MarcaYzpst

Place Of OriginChina

IT(RMS)8A

VDRM/VRRM600/800V

IGT≤10mA

ITSM T=20ms65A

ITSM T= 16.7ms71A

I2t21A2S

Di/dt100A/μs

Embalaje y entrega
Unidades de venta : Piece/Pieces
Tipo de paquete : 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. trenza
Descargar :
TRIAC BTA208-800D TO220
Descripción

Bta208 triacs

YZPST-BTA208-800D

Description:
Debido a la pasivación de vidrio de separación, estos dispositivos tienen buenos
rendimiento en DV/DT y confiabilidad. La serie TRIAC es adecuada para la conmutación de CA de propósito general. Se pueden usar como un encendido
función en las aplicaciones como relés estáticos, regulación de calentamiento o para la operación de control de fase en los atenuadores de luz, la velocidad del motor
controladores.

TO-220


PRINCIPALES CARACTERÍSTICAS

Symbol Value Unit
IT(RMS) 8 A
VDRM/VRRM 600/800 V
IGT 10 mA

ÍNDICES ABSOLUTOS MÁXIMOS

Symbol PARAMETER Value Unit
IT(RMS) RMS on-state current(full sine wave) TO-220.Non-Ins TC102℃ 8 A
Non repetitive surge peak on-state current t=20ms 65
ITSM (full sine wave, Tj=25℃) t= 16.7ms 71 A
I2t I2t Value for fusing t= 10ms 21 A2S
di/dt Repetitive rate of rise of on-state Current after triggering ITM  = 12 A; IG = 0.2 A dIG/dt = 0.2 A/us 100 A/μs
IGM Peak gate current 2 A
VGM Peak gate voltage 5 W
PGM Peak gate power 5 W
PG(AV) Average gate power over any 20 ms period 0.5 W
Tstg Storage junction temperature range -40 to +150
Tj Operating junction temperature range 125

Características eléctricas (TJ = 25。C, a menos que se especifique lo contrario)

Características estáticas

Symbol Value
Parameter Test Condition Quadrant MIN TYPE MAX Unit
IGT Gate trigger current VD= 12V, IT=0. 1A Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ - - 10 mA
VD= 12V, IT=0. 1A - 0.7 1.5
VGT Gate trigger voltage VD=400V, IT=0. 1A,Tj= 125°C 0.25 0.4 - V
VT On-state voltage IT= 10A - 1.3 1.65 V
IH Holding current VD= 12V, IGT=0. 1A Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ - - 60 mA
Ⅰ-Ⅲ - - 60 mA
IL Latching current VD= 12V, IGT=0. 1A - - 90 mA
ID Off-state leakage current VD = VDRM(max); Tj= 125 ˚C - 0.1 0.5 mA


Características dinámicas

Symbol Value
Parameter Test Condition MIN TYPE Unit
dVD/dt Critical rate of rise of off- state voltage VDM  = 67% VDRM(max); Tj = 125 ˚C 1000 4000 V/us
exponential waveform; gate open circuit
dIcom/dt Critical rate of change of commutating current VDM  = 400 V; Tj = 125 ˚C; IT(RMS)  = 8 A; without snubber; gate open circuit 14 A/ms
T Gate controlled turn-on time ITM  = 12 A; V= VDRM(max) ; IG  = 0. 1 A; dIG/dt = 5 A/µs 2 us
tgt

PAQUETE MECÁNICO DATOS

A 220


YZPST-BTA208-600D

苏ICP备05018286号-1
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