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Home > Lista de Productos > Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Diodo de soldadura > Diodo de soldadura de frecuencia media de ciclo de alta potencia

Diodo de soldadura de frecuencia media de ciclo de alta potencia

  • $150
    ≥10
    Piece/Pieces
Payment Type:
L/C,T/T,Paypal
Incoterm:
FOB,CFR,CIF
Min. Order:
10 Piece/Pieces
Delivery Time:
30 Days
Transportation:
Ocean,Air
Port:
Shanghai
  • DDescripción
Overview
Product Attributes

ModeloYZPST-53DN04-1

MarcaYZPST

Supply Ability & Additional Informations

Paquete1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón

productividad100

transporteOcean,Air

Lugar de origenChina

Capacidad de suministro1000

Certificados ISO9001-2015,ROHS

HS-Code85411000

HafenShanghai

Tipo de PagoL/C,T/T,Paypal

IncotermFOB,CFR,CIF

Plazo de entrega30 días

Packaging & Delivery
Selling Units:
Piece/Pieces
Package Type:
1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón

DIODO DE ALTA POTENCIA PARA SOLDADURA DE FRECUENCIA MEDIA

SIN VIVIENDA DISPOSITIVO ULTRATINA

YZPST-53DN04

Caracteristicas

- Alta capacidad de corriente

- Muy baja impedancia térmica

- Capacidad de ciclo de alta potencia

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y CLASIFICACIONES

1

VRRM = Voltaje inverso pico repetitivo

VRSM = Tensión inversa pico no repetitiva (2)

Notas:

Todas las clasificaciones se especifican para Tj = 25 ° C a menos que se indique lo contrario.

(1) Todas las clasificaciones de voltaje se especifican para una forma de onda sinusoidal de 50Hz / 60Hz aplicada

sobre el rango de temperatura de -40 a +180 ° C.

(2) 10 ms máx. ancho de pulso

(3) Valor máximo para Tj = 180 ° C

2

Conductible

Parameter

Symbol

Min

Max

Typ

Unit

Conditions

Average value of forward current

IF(AV)

6300

A

50Hz sinewave,180o conduction, Tc = 126 °C

RMS value of forward current

IF(RMS)

9890

A

Peak one cycle surge

(non repetitive) current

IFSM

70

kA

50Hz sinewave,180o conduction, Tj = Tjmax, VR = 0

I square t

I2 t

24500

kA2s

Tj = Tjmax

Peak forward voltage

VFM

1.14

V

Forward current 10 kA, Tjmax

Threshold voltage

VF(TO)

0.7

V

Tj = Tjmax

Forward slope resistance

rF

0.046

m

Tj = Tjmax

Características y clasificaciones térmicas y mecánicas.

Parameter

Symbol

Min

Max

Typ

Unit

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

180

°C

Storage temperature

Tstg

-40

180

°C

Thermal resistance junction to case

Rth(j-c)

0.0048

°C/W

Double side cooled , DC

Thermal resistance junction to case

Rth(j-c)

0.0062

°C/W

Double side cooled, 180° sin

Thermal resistance case to sink

Rth(c-s)

0.0025

°C/W

Double side cooled, mounting surfaces smooth, flat and greased

Mounting force

F

40

60

kN

Weight

W

100

g

3


Analytical expression for  Zth(j-c)

Zth(j-c) ( t ) =   i   Ai · ( 1 - exp ( - t /  i ) )

i

1

2

3

Ai

1.0E-03

3.7E-03

1.7E-06

C/W]

i

2.0E-03

3.8E-02

8.0E-01

[s]

Capacidad de corriente de salida (ID) para configuración de derivación central


4

56


ESQUEMA Y DIMENSIONES

7

darse cuenta

- Recomendamos proteger el diodo con una junta tórica resistente a la temperatura.

- Todas las características que figuran en esta hoja de datos están garantizadas solo con una fuerza de sujeción uniforme, superficies del disipador térmico limpias y lubricadas con una planeidad <0.03 mm y una rugosidad <2 µm





PRODUCTOS POR GRUPO : Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Diodo de soldadura

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Fax:86-514-87782297

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