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Home > Lista de Productos > Dispositivos de módulo semiconductor > Módulo tiristor > YZPST-IXFN64N50 500V Power MOSFET fabricante

YZPST-IXFN64N50 500V Power MOSFET fabricante

  • $15
    10-199
    Bag/Bags
  • $12
    ≥200
    Bag/Bags
Payment Type:
L/C,T/T,Paypal
Incoterm:
FOB,CFR,CIF
Min. Order:
10 Bag/Bags
Delivery Time:
30 Days
Transportation:
Ocean,Air
Port:
SHANGHAI
  • DDescripción
Overview
Product Attributes

ModeloYZPST-IXFN64N50

MarcaYZPST

Supply Ability & Additional Informations

productividad1000

transporteOcean,Air

Lugar de origenChina

Capacidad de suministro10000

Certificados ISO9001-2008,ROHS

HS-Code85413000

HafenSHANGHAI

Tipo de PagoL/C,T/T,Paypal

IncotermFOB,CFR,CIF

Plazo de entrega30 días

MOSFET de potencia

YZPST-IXFN64N50

Modo de mejora de canal N

Avalancha clasificada

Diodo intrínseco rápido


YZPST-IXFN64N50-1
parametros del producto
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
61A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
150nC @ 10V 
Vgs (Max)
±30V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
8700pF @ 25V

FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
700W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Supplier Device Package
SOT-227B
Package / Case
SOT-227-4, miniBLOC

Caracteristicas

Paquete estándar internacional

El epoxi encapsulante se encuentra

UL 94V-0, clasificación de inflamabilidad

miniBLOC con nitruro de aluminio

aislamiento

Diodo de recuperación rápida

Conmutación inductiva no sujeta (UIS)

clasificado

Paquete de baja inductancia

- Fácil de conducir y proteger

Ventajas

Fácil de montar

Ahorro de espacio

Alta densidad de potencia

YZPST-IXFN64N50-2YZPST-IXFN64N50-3






PRODUCTOS POR GRUPO : Dispositivos de módulo semiconductor > Módulo tiristor

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Fax:86-514-87782297

Móvil:+8613805278321Contact me with Whatsapp

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