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YZPST-BT151 Rectificador controlado por silicio SCR 7.5A
YZPST-BT151 Rectificador controlado por silicio SCR 7.5A
YZPST-BT151 Rectificador controlado por silicio SCR 7.5A
YZPST-BT151 Rectificador controlado por silicio SCR 7.5A

YZPST-BT151 Rectificador controlado por silicio SCR 7.5A

Precio unitario: USD 0.09 - 0.135 / Piece/Pieces
Tipo de Pago: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Cantidad de pedido mínima: 100 Piece/Pieces
Plazo de entrega: 30 días
Descargar:

Información básica

    Modelo: YZPST-BT151

Información adicional

    Paquete: Para obtener información más detallada sobre el producto y las transacciones, comuníquese con nuestra dirección de correo electrónico: info@yzpst.com

    productividad: 10000

    Marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origen: China

    Capacidad de suministro: 10000

    Certificados : ISO9001-2008,ROHS

    HS-Code: 85413000

    Hafen: Shanghai

DDescripción

SCRS

YZPST-BT151

YZPST-BT151 Rectificador controlado por silicio SCR 7.5A



● Característica principal (Tjj = 2255 ℃)

Symbol

Value

Unit

IT(AV)

7.5

A

VDRM / VRRM

 600

V

IGT

1 to 20

mA


● Calificaciones absolutas (valores límite)

Symbol

Parameter

Value

Unit

IT(RMS)

RMS on-state current (180°conduction angle)

12

A

IT(AV)

AV on-state current (180°conduction angle)

7.5

A

ITSM

Non repetitive surge peak on-state

Current (tp=10ms)

100

A

I2t

 (tp=10ms)

50

A2S

IGM

Peak gate current(tp=20us)

2

A

PGM

Peak gate power

5

W

PG(AV)

Average gate power

0.5

W

Tstg

Tj

Storage temperature

Operating junction temperature

-40--+150

-40--+125


● Resistencias Thermai

Symbol

Parameter

Value

Unit

Rth (j-c)

Junction to case

1.3

K/W

Rth (j-a)

Junction to ambient

60

K/W

● Características eléctricas (Tj = 25 ℃ a menos que se indique lo contrario)

Symbol

Test Conditions

Value

Unit

Min

Type

Max

IGT

VD=6V, RL=100Ω

1

5

20

uA

VGT

VD=12V, RL=100Ω

-----

0.7

0.8

V

VGD

VD=VDRM, RL=3.3KΩ Tj=110

0.2

-----

-----

V

IH

IT=100mA  Gate Open

-----

9

20

mA

dV/dt

VD=67%VDRM, GateOpen, Tj=125

50

125

-----

v/μs

VTM

IT=16A,tp=380μs

-----

-----

1.7

V

IDRM

IRRM

VD=VDRM

VR=VRRM

Tj=25

-----

-----

20

uA

Tj=110

-----

-----

300

uA

● Medida del paquete (TO-220E)

YZPST-BT151-1












PRODUCTOS POR GRUPO : Paquete de plástico semiconductor > Rectificador controlado de silicio (SCR)

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Fax:86-514-87782297

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