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Home > Lista de Productos > Paquete de plástico semiconductor > Diodo de paquete de plástico > Diodo de alta tensión de alta frecuencia 500mA

Diodo de alta tensión de alta frecuencia 500mA

  • $1.2
    ≥100000
    Piece/Pieces
Payment Type:
L/C,T/T,Paypal
Incoterm:
FOB,CFR,CIF
Min. Order:
100000 Piece/Pieces
Delivery Time:
30 Days
Transportation:
Ocean,Air
Port:
SHANGHAI
  • DDescripción
Overview
Product Attributes

ModeloYZPST-CL05-08

MarcaYZPST

Supply Ability & Additional Informations

Paquete1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico

productividad1000

transporteOcean,Air

Lugar de origenChina

Capacidad de suministro10000

Certificados ISO9001-2015,ROHS

HS-Code85411000

HafenSHANGHAI

Tipo de PagoL/C,T/T,Paypal

IncotermFOB,CFR,CIF

Plazo de entrega30 días

Embalaje y entrega
Unidades de venta:
Piece/Pieces
Tipo de paquete:
1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico

Diodo de alta tensión de alta frecuencia

YZPST - CL05-08

Caracteristicas

1. Alta temperatura de unión hasta130

2. Baja caída de tensión directa y pequeñas fugas de corriente.

3. Protección contra la avalancha de avalanchas.

4. Máximo tiempo de recuperación inversa a 40nS

4. Excelentes propiedades contra el impacto de la oleada HV

5. Hilos conductores axiales que son soldables.

6. Paquete epoxi con propiedades anticorrosión en superficie.

Solicitud

• Rectificación para horno microondas.

• Fuentes de alimentación de microondas industriales.

• Fuente de rayos X HF

• Fuente de alimentación láser

• Circuitos multiplicadores de tensión.

• Rectificación de fuentes de alimentación para otros dispositivos electrónicos.

Especificación 1.Main

 

No.

 

Item

 

Symbol

 

  Unit

 

Rating

 

Conditions


 1



   Repetitive Peak Reverse Voltage


   VRRM


   KV


 8



    2


 Average Forward Current

 

 IF (AV)

 

 mA

 

500

Tamb=60 oC

50HZ Sine-half Wave

Rectification Average Value

 

    3

 

 Forward Surge Current

 

 IFSM

 

 A

 

15

 Tamb=25 oC

50HZ Sine-half Wave,One Shot

 

 4


Reverse Surge Current

 

 IRSM


μA  

 

-

 

Pulse width 1ms triangle wave single pulse

 

 5

 

Maximum Junction Temperature

 

 

  Tjmax

 

     oC

 

130



 6


Storage Temperature


 Tstg

 

oC


-40~+130

















2. Especificación eléctrica

 

 NO.

 

Item

 

Symbol

   Unit

 

   Rating

 

Test conditions


1


 Forward Voltage Drop


VFM


V


  15max


  IFM=500mA

2

Normal Temperature Reverse Current

IRM1

μA

5max

VRM=8KV


3


 High Temperature Reverse Current


IRM2


μA


5max

   Tamb=100oC

   VRM=10KV


4


 Reverse Breakdown Voltage


VZ


 KV


   8

 

          IR=300mA


5


 Reverse Recovery Time


trr


nS


    100


IF=2mA, IRM=4mA  90%











(Tamb = 25 oC, a menos que se especifique lo contrario)

3. Solicitud

Para rectificación de alta tensión;

4. Reducción de la corriente directa

1

5.Dimensiones (en mm)

3



PRODUCTOS POR GRUPO : Paquete de plástico semiconductor > Diodo de paquete de plástico

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Fax:86-514-87782297

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