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Diodo de alto voltaje 100mA 2cl 15kv
Diodo de alto voltaje 100mA 2cl 15kv

Diodo de alto voltaje 100mA 2cl 15kv

Precio unitario: USD 1.5 / Piece/Pieces
Tipo de Pago: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Cantidad de pedido mínima: 100000 Piece/Pieces
Plazo de entrega: 30 días

Información básica

    Modelo: YZPST-2CL2J

    Tipo: Semiconductor intrínseco

Información adicional

    Paquete: 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico

    productividad: 1000

    Marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origen: China

    Capacidad de suministro: 10000

    Certificados : ISO9001-2015,ROHS

    HS-Code: 85411000

    Hafen: SHANGHAI

DDescripción

Diodo de alta tensión de alta frecuencia

YZPST - 2CL2J

Caracteristicas

1. Alta temperatura de unión hasta 130

2. Baja caída de tensión directa y pequeñas fugas de corriente.

3. Protección contra la avalancha de avalanchas.

4 .Max tiempo de recuperación inversa a ---

5. Excelentes propiedades contra el impacto de la oleada HV

6. Hilos conductores axiales que son soldables.

7. Envase epoxi con propiedades anticorrosión en superficie.


1. Especificación principal

 

No.

 

Item

 

Symbol

 

  Unit

 

Rating

 

Conditions


 1



   Repetitive Peak Reverse Voltage


   VRRM


   KV


    12



    2


 Average Forward Current

 

 IF (AV)

 

 mA

 

500

Tamb=60 oC

50HZ Sine-half Wave

Rectification Average Value

 

    3

 

 Forward Surge Current

 

 IFSM

 

 A

 

 30

 Tamb=25 oC

50HZ Sine-half Wave,One Shot

 

 4


Reverse Surge Current

 

 IRSM


μA  

 

 0.1

 

Pulse width 1ms triangle wave single pulse

 

 5

 

Maximum Junction Temperature

 

 

  Tjmax

 

     oC

 

130



 6


Storage Temperature


 Tstg

 

oC


-40~+130
















2. Especificación E l ectric


 

 NO.

 

Item

 

Symbol

   Unit

 

   Rating

 

Test conditions


1


 Forward Voltage Drop


VFM


V


  25max


  IFM=500mA

2

Normal Temperature Reverse Current

IRM1

μA

10max

VRM=12KV


3


 High Temperature Reverse Current


IRM2


μA


10max

   Tamb=100oC

   VRM=12KV


4


 Reverse Breakdown Voltage


VZ


 KV


    12

 

          IR=2A


5


 Reverse Recovery Time


trr


nS


    -


IF=2mA, IRM=4mA  90%











(Tamb = 25 oC, a menos que se especifique lo contrario)

3. Solicitud

Para rectificación de alta tensión;

4. Reducción de la corriente directa

PRODUCTOS POR GRUPO : Paquete de plástico semiconductor > Diodo de paquete de plástico

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