Módulo de diodo de recuperación de Silicon Super Fast

$1010-99 Piece/Pieces

$7≥100Piece/Pieces

Descripción

Atributos del producto

Modelo: YZPST-MUR30040

Marca: Yzpst

Manufacturing Technology: Integrated Circuits Device

Material: Compound Semiconductor

Type: N-type Semiconductor

Package: DIP(Dual In-line Package)

Batch Number: 2010+

IF(AV)M: 300A

IFRMS: 425A

IFSM: 1500A

TJ: -55 ~ + 150℃

Tstg: -55 ~ + 150℃

IRRM: 3mA

VFM: 1.70V

TRR: 90ns

Embalaje y entrega

Unidades de venta	:	Piece/Pieces
Descargar	:

MUR30040 私域 .MP4

MUR30040 私域截取视频 1-15 秒 1.97MB

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Descripción

Diodo de recuperación de Silicon Super Fast

YZPST-MUR30040

Módulo de diodo de recuperación super rápida de Silicon Super Recuperación de alta capacidad de sobretensión

Módulo de diodos de recuperación rápida

Módulo de diodo de alta capacidad de sobretensión

Diodo de recuperación de Silicon Super Fast

Características

· Capacidad de alta oleada

· Tipos de 50 V a 400 V VRRM

· No es sensible a ESD

Symbol	Condition	Ratings	Unit
I_F(AV)M	T_C=140°C; 180° sine	300	A
I_FRMS	maximum value for continuous operation	425	A
I_FSM	T_j=25°C; t = 8.3 ms (50 Hz); sine	1500	A
I²t	T_j=25°C; t = 8.3 ms (50 Hz); sine	-	kA²S
V_iso	A.C.1minute/1second	-	V
T_j		-55 ~ + 150	°C
T_stg		-55 ~ + 150	°C
M	mounting torque; ±15%	-	Nm
M	terminal torque; ±15%	-	Nm
W	approx.	-	g
I_RRM	AtV_RRM，Single phase，half wave，T_j=125°C	3	mA
V_FM	On-State Current 300A，T_j=25°C	1.70	V
V_F0	T_j=150°C	-	V
r_F	T_j=150°C	-	mΩ
t_rr	T_j=25°C; I_F = 0.5A; -di_F/dt = 15A/μs; V_R = 30V; I_RR = 0.25A	90	ns
Q_rr	T_j=150°C; I_F = 50A; -di_F/dt = 100A/μs; V_R = 100V	-	us
I_RM	T_j=150°C; I_F = 50A; -di_F/dt = 100A/μs; V_R = 100V	-	A
R_th(j-c)	Per Module	0.45	°C/W
R_th(c-h)	Per Module	-	°C/W