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Módulo de diodo de recuperación súper rápida de silicio

Precio unitario:

USD 10 - 7 / Piece/Pieces

Tipo de Pago:

L/C,T/T,Paypal

Incoterm:

FOB,CFR,CIF

Cantidad de pedido mínima:

10 Piece/Pieces

Plazo de entrega:

30 días

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Información básica

Modelo: YZPST-MUR30040

Información adicional

productividad: 100000

Marca: YZPST

transporte: Ocean,Air

Lugar de origen: CHINA

Capacidad de suministro: 10000

Certificados : ISO9001-2008,ROHS

Hafen: SHANGHAI

DDescripción

Diodo de recuperación súper rápida de silicio

YZPST-MUR30040

Módulo de diodos de recuperación súper rápida de silicio de alta capacidad de sobretensión

Módulo de diodos de recuperación rápida

Módulo de diodos de alta capacidad de sobretensión

Diodo de recuperación súper rápida de silicio

Caracteristicas

· Alta capacidad de sobretensión

· Tipos de 50 V a 400 V VRRM

· No es sensible a ESD

Symbol	Condition	Ratings	Unit
I_F(AV)M	T_C=140°C; 180° sine	300	A
I_FRMS	maximum value for continuous operation	425	A
I_FSM	T_j=25°C; t = 8.3 ms (50 Hz); sine	1500	A
I²t	T_j=25°C; t = 8.3 ms (50 Hz); sine	-	kA²S
V_iso	A.C.1minute/1second	-	V
T_j		-55 ~ + 150	°C
T_stg		-55 ~ + 150	°C
M	mounting torque; ±15%	-	Nm
M	terminal torque; ±15%	-	Nm
W	approx.	-	g
I_RRM	AtV_RRM，Single phase，half wave，T_j=125°C	3	mA
V_FM	On-State Current 300A，T_j=25°C	1.70	V
V_F0	T_j=150°C	-	V
r_F	T_j=150°C	-	mΩ
t_rr	T_j=25°C; I_F = 0.5A; -di_F/dt = 15A/μs; V_R = 30V; I_RR = 0.25A	90	ns
Q_rr	T_j=150°C; I_F = 50A; -di_F/dt = 100A/μs; V_R = 100V	-	us
I_RM	T_j=150°C; I_F = 50A; -di_F/dt = 100A/μs; V_R = 100V	-	A
R_th(j-c)	Per Module	0.45	°C/W
R_th(c-h)	Per Module	-	°C/W

Dibujo de esquema

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