YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Inicio> Lista de Productos> Paquete de plástico semiconductor> BI DIRECCIONES Tiristor (Triac)> Alta capacidad 25A BTB24-1200WRG TO-263 1200V TRIAC
Alta capacidad 25A BTB24-1200WRG TO-263 1200V TRIAC
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$0.22000-19999 Piece/Pieces

$0.16≥20000Piece/Pieces

Tipo de Pago:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transporte:Ocean,Land,Express,Others
Hafen:SHANGHAI
Atributos del producto

ModeloYZPST-BTB24-1200WRG

MarcaYzpst

Lugar De Origenporcelana

IT(RMS)25A

VDRM1200V

VRRM1200V

VTM≤1.5A

Tstg-40~150℃

Tj-40~125℃

ITSM250A

I2t340A2s

Embalaje y entrega
Unidades de venta : Piece/Pieces
Tipo de paquete : 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. trenza
Descargar :
TRIAC BTB24-1200WRG TO-263
Descripción

BTA24/BTB24 Serie 25A Triacs

YZPST-BTB24-1200WRG

DESCRIPCIÓN:
Con una alta capacidad para resistir la carga de choque de corriente grande, los triacos de la serie BTA24/BTB24 proporcionan una alta tasa de DV/DT con una fuerte resistencia a la interfaz electromagnética.

Con un alto rendimiento de conmutación, 3 productos cuadrantes especialmente recomendados para su uso en carga inductiva. Desde los tres terminales hasta el disipador térmico externo, BTA24 proporciona un voltaje de aislamiento nominal de 2500 VRMS que cumple con los estándares UL

YZPST-BTA24-800BW


PRINCIPAL CARACTERÍSTICAS:

symbol

value

unit

IT(RMS)

25

A

VDRM/VRRM

600/800/1200/1600

V

VTM

≤1.5

V

ABSOLUTO MÁXIMO Calificaciones:

Parameter

Symbol

Value

Unit

Storage junction temperature range

Tstg

-40~150

Operating junction temperature range

Tj

-40~125

Repetitive peak off-state voltage (Tj=25)

VDRM

600/800/1200/1600

V

Repetitive peak reverse voltage (Tj=25)

VRRM

600/800/1200/1600

V

RMS on-state current

IT(RMS)

25

A

Non repetitive surge peak on-state current (full cycle, F=50Hz)

 

ITSM

 

250

 

A

I2t value for fusing (tp=10ms)

I2t

340

A2s

Critical rate of rise of on-state current(IG=2 × IGT)

dI/dt

50

A/ μs

Peak gate current

IGM

4

A

Average gate power dissipation

PG(AV)

1

W

Peak gate power

PGM

10

W

Características eléctricas (TJ = 25 ℃ a menos que se especifique lo contrario)

3 cuadrantes :

Parameter Value
Test Condition Quadrant CW BW Unit
IGT VD=12V, 35 50 mA
VGT RL=33Ω - - MAX 1.3 V
VGD VD=VDRM - - MIN 0.2 V
IH IT=100mA MAX 60 80 mA
- 70 90
IL IG=1.2IGT MAX 80 100 mA
VD=2/3VDRM   Tj=125 Gate open
dV/dt MIN 1000 1500 V/ µs


4 cuadrantes :

Parameter Value
Test Condition Quadrant C B Unit
- - 25 50 mA
IGT VD=12V, 50 70 mA
VGT RL=33Ω ALL MAX 1.5 V
VGD VD=VDRM ALL MIN 0.2 V
IH IT=100mA MAX 60 75 mA
--  70 80
IL IG=1.2IGT MAX 90 100 mA
VD=2/3VDRM   Tj=125 Gate open
dV/dt MIN 200 500 V/ µs

TÉRMICO Resistencia

Symbol Test Condition Value Unit
TO-220A(Ins 1.5
TO-220F(Ins 1.6
TO-263 2.1 /W
Rth(j-c) junction to case(AC) TO-3P 0.68

PAQUETE MECÁNICO DATOS

TO-263


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