YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Inicio> Lista de Productos> Paquete de plástico semiconductor> BI DIRECCIONES Tiristor (Triac)> 600V BT139-600E 16A TRIAC con baja corriente y corriente de enganche
600V BT139-600E 16A TRIAC con baja corriente y corriente de enganche
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$0.163000-9999 Piece/Pieces

$0.13≥10000Piece/Pieces

Tipo de Pago:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transporte:Ocean,Land,Express,Others
Hafen:SHANGHAI
Atributos del producto

ModeloYZPST-BT139-600E

MarcaYzpst

Place Of OriginChina

IT(RMS)16A

VDRM/VRRM600/800V

VTM≤1.6V

Tstg-40~150℃

Tj-40~125℃

ITSM140A

Embalaje y entrega
Unidades de venta : Piece/Pieces
Tipo de paquete : 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. trenza
Descargar :
TRIAC BT139-600E TO220
Descripción

P/N: serie YZPST-BT139 16A Triacs

YZPST-BT139-600E


DESCRIPCIÓN:

Con una corriente baja y corriente de fallecimiento, los TRIAC de la serie BT139 se recomiendan especialmente para su uso en la carga de potencia de tipo de resistencia media y pequeña.

YZPST-BT139-600E

PRINCIPAL CARACTERÍSTICAS:

symbol

value

unit

IT(RMS)

16

A

VDRM/VRRM

600/800

V

VTM

≤1.6

V

ABSOLUTO MÁXIMO Calificaciones:

Parameter Symbol Value Unit
Storage junction temperature range Tstg -40~150
Operating junction temperature range Tj -40~125
Repetitive peak off-state voltage (Tj=25) VDRM 600/800 V
Repetitive peak reverse voltage (Tj=25) VRRM 600/800 V
RMS on-state current IT(RMS) 16 A
Non repetitive surge peak on-state current
(full cycle, F=50Hz) ITSM 140 A
I2t value for fusing (tp=10ms) I2t 98 A2s
Critical rate of rise of on-state current (IG=2 × IGT) - - 50
dI/dt 10 A/ μs
Peak gate current IGM 2 A

Average gate power dissipation

PG(AV)

0.5

W

Peak gate power

PGM

5

W

Características eléctricas (TJ = 25 ℃ a menos que se especifique lo contrario)

Parameter Value
Test Condition Quadrant D E F Unit
Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ 5 10 25
IGT 10 25 70 mA
VGT VD=12V, RL=33Ω Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ-Ⅳ MAX 1.3 V
VGD VD=VDRM Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ-Ⅳ MIN 0.2 V
IH IT=100mA MAX 10 20 40 mA
Ⅰ-Ⅲ-Ⅳ 15 30 50
IL IG=1.2IGT MAX 20 40 70 mA
VD=0.66×VDRM   Tj=125 Gate open
dV/dt MIN 20 50 100 V/ µs

TÉRMICO Resistencia

Symbol Test Condition Value Unit
TO-220C 1.3
Rth(j-c) junction to case(AC) TO-220A(Ins) 2 /W

PAQUETE MECÁNICO DATOS

TO-220C

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