Modo mejorado de canal N a 247 MOSFET
$2.1100-999 Piece/Pieces
$1.55≥1000Piece/Pieces
Tipo de Pago: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
transporte: | Ocean,Air |
Hafen: | SHANGHAI |
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Modelo: YZPST-STW20NM60
Marca: Yzpst
Lugar De Origen: porcelana
VDSS: 600V
IDM: 78A
VGS: ±30A
EAS: 1284mJ
EAR: 97mJ
TSTG,TJ: -55~+150℃
Unidades de venta | : | Piece/Pieces |
Tipo de paquete | : | 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje de protección de plástico |
Descargar | : |
Pro Missin G Chi p yzpst-stw20nm60
Modo mejorado de canal N a 247 Mosfet
l High Rugge dness
l lo w r ds (encendido) (typ 0.22) @V GS = 10V
l Low Ga Te Cha rge (typ 84nc)
l Mejorar d DV/DT CA Pensilvania biabilidad
l 100% Ava la nche TE s TE d
l Aplicación lica ción: UPS , Cobrar, ordenador personal Energía ,Inversor
Este poder MOSFET se produce con tecnología avanzada de prometedora Chip.
Este tecnología habilitar la energía Mosfet a tener mejor características, incluido rápido traspuesta tiempo, bajo en Resistencia, baja carga de puerta y una avalancha especialmente excelente características.
Symbol |
Parameter |
Value |
Unit |
VDSS |
Drain to source voltage |
600 |
V |
ID |
Continous drain current(@Tc=25℃) |
20* |
A |
Continous drain current(@Tc=100℃) |
12* |
A |
|
IDM |
Drain current pulsed |
78 |
A |
VGS |
Gate to source voltage |
±30 |
V |
EAS |
Single pulsed avalanche energy |
1284 |
mJ |
EAR |
Repetitive pulsed avalanche energy |
97 |
mJ |
dv/dt |
Peak diode recovery dv/dt |
5 |
V/ns |
PD |
Total power dissipation(@Tc=25℃) |
42.3 |
W |
Derating factor above 25℃ |
0.32 |
W/℃ |
|
TSTG,TJ |
Operating junction temperature & storage temperature |
-55~+150 |
℃ |
TL |
Maximum lead temperature for soldering purpose,1/8 from case for 5second |
300 |
℃ |
*La corriente de drenaje está limitada por Junction la temperatura
Symbol |
Parameter |
Value |
Unit |
Rthjc |
Thermal resistance , Junction to case |
3.1 |
℃/W |
Rthja |
Thermal resistance , Junction to ambient |
49 |
℃/W |
Nombre de dibujo
To-247-3l ( LL )
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