YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Cambio rápido de 1500V N-canal MOSFET
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Cambio rápido de 1500V N-canal MOSFET

$2.65100-999 Piece/Pieces

$2.15≥1000Piece/Pieces

Tipo de Pago:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transporte:Ocean,Air
Hafen:SHANGHAI
Atributos del producto

ModeloYZPST-QM3N150C

MarcaYzpst

Lugar De Origenporcelana

Vdss1500V

ID Continuous (Tc = 25 °C )3A

ID Continuous ( Tc = 100 °C )1.8A

Idm12A

EAS225mJ

Dv/dt5V/ns

Embalaje y entrega
Unidades de venta : Piece/Pieces
Tipo de paquete : 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje de protección de plástico
Descargar :
Descripción


1500V N-canal MOSFET

YZPST-QM3N150C

Descripción general

Esta potencia MOSFET se produce utilizando avanzado

Tecnología plana autoalineada. Esto avanzó

La tecnología se ha adaptado especialmente para minimizar

Resistencia en el estado, proporcionar una conmutación superior

rendimiento y soportar pulso de alta energía en el

Avalancha y modo de conmutación.

Estos dispositivos se pueden usar en varios cambios de encendido

Circuito para miniaturización del sistema y mayor eficiencia.

Características

3a, 1500V, rd5 (encendido) típ. = 50@vgs = 10 V Ld = 1.5a

Carga de puerta baja (típico 37 nc)

Capacitancia de transferencia inversa baja (típico 2.8pf)

Conmutación rápida

100% de avalancha probada

YZPST-QM3N150C(4)

Calificaciones máximas absolutas TC = 25 cunles de otra manera indicados

Symbol Parameter YZPST-QM3N150C Units
Voss Drain-Source Voltage 1500 V
lo Drain Current Continuous(Tc=25℃) 3 A
Continuous(Tc=100℃) 1.8 A
loM Drain Current - Pulsed                   (Note  1) 12 A
VGss Gate-Source Voltage ±30 V
EAS Single Pulsed Avalanche Energy           (Note  2) 225 mJ
dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt                (Note  3) 5 V/ns
Po Power  Dissipation(Tc=25℃) 32 W
T,Tsts Operating anc Storage Temperature Range -55 to+150
Tt Maximum lead temperature for soldering purposes
1/8" frome case for 5 seconds
300

Paquete de 3ph Linformation

To-3ph.jpg


苏ICP备05018286号-1
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