YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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65R72GF N-canal MOSFET como reemplazo de STW48N60M2
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$4.25100-999 Piece/Pieces

$3.2≥1000Piece/Pieces

Tipo de Pago:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transporte:Ocean,Air
Hafen:SHANGHAI
Atributos del producto

ModeloYZPST-65R72GF

MarcaYzpst

Lugar De Origenporcelana

Vds (V) At Tj Max.700

Rds(ofi)max. At 25°C (mQ)Vgs=10V 72

Qg Max. (nC)130

Qgs (nC)30

Qgd (nC)34

Configurationsingle

Embalaje y entrega
Unidades de venta : Piece/Pieces
Tipo de paquete : 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje de protección de plástico
Descargar :
Descripción

Potencia de canal N MOSFET


Tipo: YZPST-65R72GF


PRODUCT SUMMARY
Vds (V) at Tj max. 700
Rds(ofi)max. at 25°C (mQ) Vgs=10V 72
Qg max. (nC) 130
Qgs (nC) 30
Qgd (nC) 34
Configuration single
Características
Diodo de cuerpo rápido MOSFET
| D = 47a (VGS = 10V)
Carga de puerta ultra baja
Capacidad de DV/DT mejorada
RoHS
65R72GF N-channel Power MOSFET as replacement of STW48N60M2


Aplicaciones

Suministros de alimentación del modo de conmutación (SMPS)
Suministros de servidor y telecomunicaciones
Cargadores de soldadura y batería
Solar (inversores fotovoltaicos)
Circuitos de puente AC/DC


ORDERING INFORMATION
Device YZPST-65R72GF
Device Package TO-247
Marking 65R72GF
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tc=25oC, unless otherwise noted)
Parameter Symbol Limit Unit
Drain to Source Voltage Vdss 650 V
Continuous Drain Current (@Tc=25°C) Id 47⑴ A
Continuous Drain Current (@Tc=100°C) 29⑴ A
Drain current pulsed (2) Idm 138⑴ A
Gate to Source Voltage Vgs ±30 V
Single pulsed Avalanche Energy(3) Eas 1500 mJ
MOSFET dv/dt ruggedness (@VDS=0~400V) dv/dt 25 V/ns
Peak diode Recovery dv/dt ⑷ dv/dt 15 V/ns
Total power dissipation (@Tc=25°C) Pd 417 W
Derating Factor above 25°C 3.34 w/°c
Operating Junction Temperature & StorageTemperature Tstg, Tj -55to + 150 °C
Maximum lead temperature for soldering purpose Tl 260 °C

Notas

1. La corriente de drenaje está limitada por la temperatura de unión máxima.

2. Calificación repetitiva: ancho de pulso limitado por la temperatura de la unión.

3 L = 37mH, L As = 9a, V DD = 50V, R G = 25Q, comenzando en TJ = 25 ° C

4. I SD <L D , DI/DT = WOA/US, V DD <BV DSS , comenzando en TJ = 25 ° C


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