IGBT Chip 75A 1200V Módulo IGBT

YZPST-75HF120TK-G1

75A 1200V Módulo IGBT

CARACTERISTICAS
Capacidad alta de cortocircuito, corriente de cortocircuito autodimitador

Capacidad alta de cortocircuito, corriente de cortocircuito autodimitador

Chip IGBT (Tecnología de parada de campo+ Field)

VCE ( s AT ) con atacante de temperatura postiva

Conmutación rápida y corriente de cola corta, bajas pérdidas de conmutación

Diodos de ruedas libres con recuperación inversa rápida y suave

Sentido de temperatura incluido

Aplicaciones

Aplicación de conmutación de alta frecuencia

Convertidores de soldadura

MOVIMIENTO/CONTROL SERVO

Sistemas UPS

Máximo absoluto Calificaciones T c = 25 ° C a menos que lo contrario especificado

Symbol	Parameter	Test Conditions	Values	Unit
IGBT
VCES	Collector - Emitter Voltage	TVj=25°C	1250	V
VGES	Gate - Emitter Voltage		±30	V
IC	DC Collector Current	TC=25°C	115	A
		TC=80°C	75	A
ICM	Repetitive Peak Collector Current	tp=1ms	150	A
Ptot	Power Dissipation Per IGBT		500	W
Diode
VRRM	Repetitive Reverse Voltage	TVj=25°C	1250	V
IF(AV)	Average Forward Current	TC=25°C	115	A
		TC=80°C	75	A
IFRM	Repetitive Peak Forward Current	tp=1ms	150	A
I2t		TVj =125°C, t=10ms, VR=0V	2810	A2s

Características del módulo

Symbol	Parameter	Test Conditions	Min.	Typ.	Max.	Unit
TVj max	Max. Junction Temperature				150	°C
TVj op	Operating Temperature		-40		150	°C
Tstg	Storage Temperature		-40		125	°C
Visol	Insulation Test Voltage	AC, t=1min		3000		V
Torque	To-Sink	Recommended M6	3		5	N·m
Torque	To-Terminal	Recommended M5	2.5		5	N·m
Weight				176		g

Esquema del paquete