Controlador de potencia de tiristores Westcode 1200V con CE
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Modelo: YZPST-R220CH12FJO
Marca: YZPST
Tiristor multifuncional de cambio rápido
YZPST-R220CH12FJO
TIRISTOR DE ALTA POTENCIA PARA CONTROL DE FASE 1200V con CE
Las características del tiristor de conmutación son que el producto tiene toda la estructura difusa, la configuración de la puerta de amplificación interdigitada, el tiempo de apagado máximo garantizado, la alta capacidad DV / DT y el dispositivo ensamblado a presión.
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y CLASIFICACIONES
Bloqueo - Estado desactivado
VRRM (1) |
VDRM (1) |
VRSM (1) |
1200 |
1200 |
1300 |
VRRM = Voltaje inverso pico repetitivo
VDRM = Voltaje repetitivo de estado pico apagado
VRSM = Tensión inversa pico no repetitiva (2)
Repetitive peak reverse leakage and off state leakage |
IRRM / IDRM |
15 mA 70 mA (3) |
Critical rate of voltage rise |
dV/dt (4) |
200 V/msec |
Notas:
Todas las clasificaciones se especifican para Tj = 25 oC a menos que se indique lo contrario.
(1) Todas las clasificaciones de voltaje se especifican para un
Forma de onda sinusoidal de 50Hz / 60zHz sobre el
rango de temperatura -40 a +125 oC.
(2) 10 ms. max. ancho de pulso
(3) Valor máximo para Tj = 125 oC.
(4) Valor mínimo para forma de onda lineal y exponencial a 80% de VDRM nominal. Puerta abierta. Tj = 125 oC.
(5) Valor no repetitivo.
(6) El valor de di / dt se establece de acuerdo con la Norma EIA / NIMA RS-397, Sección 5-2-2-6. El valor definido sería adicional al obtenido de un circuito ubber, que comprende un condensador de 0.2 F y una resistencia de 20 ohmios en paralelo con el thristor bajo prueba.
Conducción - en estado
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Max. average value of on-state current |
IT(AV)M |
|
964 |
|
A |
Sinewave,180o conduction,Tc=55oC |
RMS value of on-state current |
IT(RMS)m |
|
1971 |
|
A |
Nominal value |
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current |
ITSM |
|
-
9.4 |
|
kA
kA |
8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC |
I square t |
I2t |
|
442x103 |
|
A2s |
8.3 msec |
Latching current |
IL |
|
- |
|
mA |
VD = 24 V; RL= 12 ohms |
Holding current |
IH |
|
1000 |
|
mA |
VD = 24 V; I = 2.5 A |
Peak on-state voltage |
VTM |
|
1.96 |
|
V |
ITM = 1400 A |
Critical rate of rise of on-state current (5, 6) |
di/dt |
|
1500 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V, non-repetitive |
Critical rate of rise of on-state current (6) |
di/dt |
|
1000 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V |
Gating
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Peak gate power dissipation |
PGM |
|
30 |
|
W |
|
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
|
2 |
|
W |
|
Peak gate current |
IGM |
|
- |
|
A |
|
Gate current required to trigger all units |
IGT |
|
300 |
|
mA |
VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC
|
Gate voltage required to trigger all units
|
VGT |
|
3.0 |
|
V
|
VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC
|
Peak negative voltage |
VRGM |
|
5 |
|
V |
|
Dinámica
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Delay time |
tgd |
|
1.0 |
- |
ms |
VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C |
Turn-on time |
tgt |
|
2.0 |
- |
|
|
Turn-off time (with VR = -5 V) |
tq |
- |
- |
25 |
ms |
ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=20V/us |
Reverse recovery current |
Irm |
|
- |
|
A |
ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us |
CARACTERÍSTICAS Y CALIFICACIONES TÉRMICAS Y MECÁNICAS
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Operating temperature |
Tj |
-40 |
+125 |
|
oC |
|
Storage temperature |
Tstg |
-40 |
+150 |
|
oC |
|
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-c) |
|
- - |
|
K/kW |
Double sided cooled Single sided cooled |
Thermal resistamce - case to sink |
RQ (c-s) |
|
- - |
|
K/kW |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-s) |
|
32 64 |
|
K/kW |
Double sided cooled Single sided cooled |
Mounting force |
F |
10 |
20 |
- |
kN |
|
Weight |
W |
|
|
- |
Kg |
about |
* Superficies de montaje lisas, planas y engrasadas
Nota: para el esquema y las dimensiones del caso, vea el dibujo del esquema del caso en la página 3 de estos Datos técnicos
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