Fast Recovery Stud Diode 1800V
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Modelo: YZPST-Z20A-ZK20A18
Marca: YZPST
Diodo rápido de buen rendimiento
YZPST-Z20A-ZK20A18
Los diodos de recuperación rápida también se representan comúnmente mediante símbolos gráficos de diodos ordinarios, ya sea en texto o en tipo. Los diodos de recuperación rápidos son similares a los diodos ordinarios, pero el proceso de fabricación es diferente al de los tubos monopolo normales. La concentración de dopaje cerca del La unión PN es muy baja para obtener una mayor velocidad de conmutación y una menor caída de presión directa. Su tiempo de recuperación inverso es de 200 ~ 750 ns, alta velocidad hasta 10 ns.En comparación con el diodo schottky, su resistencia al voltaje es mucho mayor. Se utiliza principalmente como un elemento rectificador de alta velocidad, y como un diodo rectificador en la fuente de alimentación de conmutación y fuente de alimentación del inversor, a fin de reducir la pérdida de pérdida, mejorar la eficiencia y reducir el ruido
Conducción hacia adelante
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Repetitive peak reverse voltage |
VRRM |
|
|
1800 |
V |
|
Non repetitive peak reverse voltage |
VRSM |
|
|
1900 |
V |
|
Max. average forward current |
IF(AV) |
|
|
20 |
A |
Sinewave,180o conduction,Tc=100oC |
Max. RMS forward current |
IF(RMS) |
|
|
33 |
A |
Nominal value; Tc=100oC |
Max. peak, one-cycle forward, non-repetitive surge current |
IFSM |
|
|
0.3 |
kA |
10.0 msec (50Hz), half sinewave, Tvj = Tvj max, VRM = 0.6VRRM |
Maximum I2t for fusing |
I2t |
|
|
4.9 |
kA2s |
|
Max. forward voltage drop |
VF |
|
|
2.15 |
V |
IF = 650A; Tvj = Tvj max |
Threshold voltage |
VTO |
|
|
1.1 |
V |
IF < 500A |
Slope resistance |
rT |
|
|
1.5 |
mΩ |
Especificaciones térmicas y mecánicas
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Repetitive peak reverse leakage and off state |
IRRM |
|
70 |
|
mA |
Tvj = Tvj max |
Operating temperature |
Tj |
-40 |
+140 |
|
oC |
|
Storage temperature |
Tstg |
-40 |
+150 |
|
oC |
|
Maximum Reverse Recovery Time |
Trr |
|
|
2.2 |
μS |
|
Reverse recovery charge |
Qrr |
|
|
870 |
μAc |
|
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-c) |
|
- - |
0.26 |
oC/W |
|
Thermal resistamce - case to heatsink |
RQ (c-s) |
|
- - |
0.04 |
oC/W |
|
Mounting force |
P |
|
|
20 |
Nm |
± 20% |
Weight |
W |
- |
- |
- |
g |
About |
Case style |
|
|
|
- |
|
See Outline Table |
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