TIRISTOR DE ALTA POTENCIA PARA APLICACIONES DE CONTROL DE FASE
tiristor de alta potencia YZPST-R3559TD16K
caracteristicas:
. Toda estructura difusa
. Configuración de puerta amplificadora interdigitada
. Máximo tiempo de apagado garantizado
. Alta capacidad dV / dt
. Dispositivo ensamblado a presión
Bloqueo - Estado desactivado
Device Type
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VRRM (1)
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VDRM (1)
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VRSM (1)
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R3559TD16K
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1600
|
1600
|
1700
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V RRM = voltaje inverso de pico repetitivo
V DRM = voltaje repetitivo del estado de pico apagado
V RSM = Tensión inversa pico no repetitiva (2)
Repetitive peak reverse leakage and off state leakage
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IRRM / IDRM
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20 mA
150 mA (3)
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Critical rate of voltage rise
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dV/dt (4)
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1000 V/msec
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Notas:
Todas las clasificaciones se especifican para Tj = 25 o C a menos que
se indique lo contrario.
(1) Todas las clasificaciones de voltaje se especifican para un
Forma de onda sinusoidal de 50Hz / 60zHz sobre el
rango de temperatura -40 a +125 o C.
(2) 10 ms. max. ancho de pulso
(3) Valor máximo para Tj = 125 o C.
(4) Valor mínimo para lineal y exponencial
forma de onda al 80% nominal V DRM . Puerta abierta.
Tj = 125 o C.
(5) Valor no repetitivo.
(6) El valor de di / dt se establece de acuerdo con
con EIA / NIMA Standard RS-397, Sección
5-2-2-6. El valor definido sería adicional
ción a la obtenida de un circuito amortiguador,
que comprende un condensador de 0.2 mF y 20 ohmios
resistencia en paralelo con el thristor debajo
prueba.
Conducción - en estado
Parameter
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Symbol
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Min.
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Max.
|
Typ.
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Units
|
Conditions
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Average value of on-state current
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IT(AV)
|
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3500
|
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A
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Sinewave,180o conduction,Tc=70oC
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RMS value of on-state current
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ITRMS
|
|
7000
|
|
A
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Nominal value
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Peak one cPSTCle surge
(non repetitive) current
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ITSM
|
|
42000
38000
|
|
A
A
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8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-
shape, 180o conduction, Tj = 125 oC
10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-
shape, 180o conduction, Tj = 125 oC
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I square t
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I2t
|
|
7.5x106
|
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A2s
|
8.3 msec
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Latching current
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IL
|
|
1000
|
|
mA
|
VD = 24 V; RL= 12 ohms
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Holding current
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IH
|
|
500
|
|
mA
|
VD = 24 V; I = 2.5 A
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Peak on-state voltage
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VTM
|
|
1.95
|
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V
|
ITM = 5000 A; Tj = 125 oC
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Critical rate of rise of on-state
current (5, 6)
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di/dt
|
|
800
|
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A/ms
|
Switching from VDRM £ 1000 V,
non-repetitive
|
Critical rate of rise of on-state
current (6)
|
di/dt
|
|
300
|
|
A/ms
|
Switching from VDRM £ 1000 V
|
Gating
Parameter
|
Symbol
|
Min.
|
Max.
|
Typ.
|
Units
|
Conditions
|
Peak gate power dissipation
|
PGM
|
|
200
|
|
W
|
tp = 40 us
|
Average gate power dissipation
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PG(AV)
|
|
5
|
|
W
|
|
Peak gate current
|
IGM
|
|
20
|
|
A
|
|
Gate current required to trigger all units
|
IGT
|
|
300
200
125
|
|
mA
mA
mA
|
VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC
VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC
VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC
|
Gate voltage required to trigger all units
|
VGT
|
0.30
|
5
4
|
|
V
V
V
|
VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC
VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC
VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;
Tj = + 125 oC
|
Peak negative voltage
|
VGRM
|
|
20
|
|
V
|
|
Tiristor de alta potencia de 1600V tiristor para aplicaciones de control de fase
Tiristor dV / dt alto