YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Inicio> Lista de Productos> Dispositivos de disco de semiconductores (tipo de cápsula)> Tiristor inversor> Tiristor de alta potencia para aplicaciones de inversor
Tiristor de alta potencia para aplicaciones de inversor
Tiristor de alta potencia para aplicaciones de inversor
Tiristor de alta potencia para aplicaciones de inversor
Tiristor de alta potencia para aplicaciones de inversor
Tiristor de alta potencia para aplicaciones de inversor
Tiristor de alta potencia para aplicaciones de inversor

Tiristor de alta potencia para aplicaciones de inversor

$801-199 Piece/Pieces

$40≥200Piece/Pieces

Tipo de Pago:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Cantidad de pedido mínima:1 Piece/Pieces
transporte:Ocean,Air
Hafen:Shanghai
Atributos del producto

ModeloYZPST-R0929LC10 (TQ<10US)

MarcaYZPST

公域 R0929LC10 截取 视频 15 秒 -3.45m
公域 R0929LC10 截取 视频 14 秒 -3.18m
Descripción

TIRISTOR DE ALTA POTENCIA PARA APLICACIONES DE INVERSOR

YZPST-R0929LC10 (TQ <10US)



Características del tiristor:

. Toda estructura difusa

. Configuración de puerta amplificadora interdigitada

. Máximo tiempo de apagado garantizado

. Alta capacidad dV / dt

. Dispositivo ensamblado a presión

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y CLASIFICACIONES

Bloqueo - Estado desactivado

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

1000

1100

1200


V RRM = voltaje inverso de pico repetitivo

V DRM = Voltaje repetitivo de estado pico apagado

V RSM = Tensión inversa pico no repetitiva (2)

Notas:

Todas las clasificaciones se especifican para Tj = 25 o C a menos que se indique lo contrario.

(1) Todas las clasificaciones de voltaje se especifican para un

Forma de onda sinusoidal de 50Hz / 60zHz sobre el

rango de temperatura -40 a +125 o C.

(2) 10 ms. max. ancho de pulso

(3) Valor máximo para Tj = 125 o C.

(4) Valor mínimo para forma de onda lineal y exponencial a 80% de V DRM nominal. Puerta abierta. Tj = 125 o C.

(5) Valor no repetitivo.

(6) El valor de di / dt se establece de acuerdo con la Norma EIA / NIMA RS-397, Sección 5-2-2-6. El valor definido sería adicional al obtenido de un circuito ubber, que comprende un condensador de 0.2 mF y una resistencia de 20 ohmios en paralelo con el thristor bajo prueba.

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

15 mA

70 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

200 V/msec

Conducción - en estado

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. average value of on-state current

IT(AV)M

 

929

 

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

IT(RMS)m

 

1893

 

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

-

   

9.0

 

kA

 

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

405x103

 

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

 

-

 

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

1000

 

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

2.04

 

V

ITM = 1400 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

 

1500

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

 

1000

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

30

 

W

 

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

2

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

-

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

300

 

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

 

Gate voltage required to trigger all units

 

 

VGT

 

3.0

 

V

 

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

 

Peak negative voltage

VRGM

 

5

 

V

Dinámica

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

 

1.0

-

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

 

2.0

-

 

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

10

-

ms

ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=33%VDRM, dVdr/dt=200V/us

Reverse recovery current

Irm

 

-

 

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us

CARACTERÍSTICAS Y CLASIFICACIONES TÉRMICAS Y MECÁNICAS

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+150

 

oC

 

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

 

-

-

 

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

 

-

-

 

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-s)

 

32

64

 

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

F

10

20

-

kN

 

Weight

W

 

 

-

Kg

about

YZPST-R0929LC10-1





苏ICP备05018286号-1
Realizar consulta
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Enviar