YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Alta eficiencia 45V MK4045 Módulo de diodo de derivación Schottky
Alta eficiencia 45V MK4045 Módulo de diodo de derivación Schottky
Alta eficiencia 45V MK4045 Módulo de diodo de derivación Schottky
Alta eficiencia 45V MK4045 Módulo de diodo de derivación Schottky
Alta eficiencia 45V MK4045 Módulo de diodo de derivación Schottky
Alta eficiencia 45V MK4045 Módulo de diodo de derivación Schottky

Alta eficiencia 45V MK4045 Módulo de diodo de derivación Schottky

$0.32000-9999 Piece/Pieces

$0.27≥10000Piece/Pieces

Tipo de Pago:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transporte:Ocean,Land,Express,Others
Hafen:SHANGHAI
Atributos del producto

ModeloYZPST-MK4045

MarcaYzpst

Lugar De Origenporcelana

VRRM45V

VRMS31.5V

VDC45V

I(AV)40A

IFSM400A

TOP-55~+150℃

TJ≤ 200℃

Tstg-55~+150℃

Embalaje y entrega
Unidades de venta : Piece/Pieces
Tipo de paquete : 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. trenza
Ejemplo de una imagen :
Descargar :
Schottky Bypass Diodo Módulo MK4045
Descripción

Bustar el módulo de diodo para PV


P/N: YZPST-MK4045
CARACTERÍSTICAS
Metal de rectificador de silicio, conducción de portador mayoritario
Anillo de guardia para protección transitoria
Baja pérdida de energía, alta eficiencia
Alta capacidad de corriente, baja ir
Alta capacidad de sobretensión
La característica inversa de alta temperatura es excelente para su uso en la protección fotovoltaica de las células solares
Datos mecánicos
Caso: plástico moldeado, MT09E
Epoxi: UL 94V-O Retardante de la llama
Polaridad: como marcada
Posición de montaje: cualquiera
Marcado: MK4045
YZPST-MK4045



Calificaciones máximas y características eléctricas
Calificaciones a 25 ℃ temperatura ambiente a menos que se especifique lo contrario.
Fase única, media onda, 60Hz, carga resistiva o inductiva.
Para la carga capacitiva, cuente la corriente en un 20%.


Symbols

40MT045

Units

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

VRRM

45

V

Maximum RMS Voltage

VRMS

31.5

V

Maximum DC Blocking Voltage

VDC

45

V

Maximum Average Forward Rectified Current at TC = 125°C

I(AV)

40

A

Peak Forward Surge Current,

 

 

 

8.3ms single half-sine-wave

IFSM

400

A

superimposed on rated load (JEDEC method)

 

 

 

Maximum Forward

at IF  = 30A, TC  = 25°C

VF

0.55

 

 

at IF  = 40A, TC  = 25°C

0.59

V

Voltage (Note 1)

at IF  = 40A, TC  =125°C

0.47

 

Maximum Reverse Current

at TJ=25

IR

0.5

mA

at Rated DC Blocking Voltage

TJ=100

500

Typical Thermal Resistance

RθJC

1.2

/W

Operating Junction Temperature Range

TOP

-55 to +150

Junction Temperature in DC Forward Current Without Reverse Bias. T 1 hour (Note 3)

TJ

200

Storage Temperature Range

Tstg

-55 to +150

Notas:

1- 300US ancho de pulso, 2%de ciclo de trabajo.

2- unión de resistencia térmica al caso. Sin disipador térmico.

3- cumple con los requisitos de IEC 61215 ed. 2 Prueba térmica de diodo de derivación.

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