Estándar 1A Triacs P/N: YZPST-Z0103MN0
Características
Corriente RMS en el estado, IT (RMS) 1 A
Voltaje repetitivo de pico fuera del estado, v DRM/VRRM 800 V
Actualización de la puerta de activación, IGT (Q1) 3 a 25 mA
Descripción
La serie Z01 es adecuada para aplicaciones de conmutación de CA de propósito general. Estos dispositivos son
Típicamente utilizado en aplicaciones como el hogar
Electrodomésticos (electrovalvia, bomba, bloqueo de puerta, control de lámpara pequeña), controladores de velocidad del ventilador, ...
Hay diferentes sensibilidades de corriente de puerta disponibles, lo que permite un rendimiento optimizado cuando se conduce
directamente a través de microcontroladores.
Mesa 1. Absoluto máximo Ratin GS
Symbol |
Parameter |
Value |
Unit |
|
On-state rms current |
SOT-223 |
T tab = 90 °C |
|
|
IT(RMS) |
(full sine wave) |
TO-92 |
TL = 50 °C |
1 |
A |
|
|
SMBflat-3L |
T tab = 107 °C |
|
|
ITSM |
Non repetitive surge peak on-state current (full cycle, Tj initial = 25 °C) |
F = 50 Hz |
t = 20 ms |
8 |
A |
F = 60 Hz |
t = 16.7 ms |
8.5 |
I²t |
I²t Value for fusing |
tp = 10 ms |
0.35 |
² |
A s |
dI/dt |
Critical rate of rise of on-state current IG = 2 x I GT , tr ≤ 100 ns |
F = 120 Hz |
Tj = 125 °C |
20 |
A/µs |
IGM |
Peak gate current |
tp = 20 µs |
Tj = 125 °C |
1 |
A |
PG(AV) |
Average gate power dissipation |
Tj = 125 °C |
1 |
W |
Tstg |
Storage junction temperature range |
- 40 to + 150 |
°C |
Tj |
Operating junction temperature range |
- 40 to + 125 |
Tabla 2. Electrical características ( T J = 25 ° C, a menos que de lo contrario especificado )
Symbol |
|
|
|
Z01 |
|
Test conditions |
Quadrant |
3 |
7 |
9 |
10 |
Unit |
I GT (1) |
VD = 12 V, |
I - II - III |
MAX. |
3 |
5 |
10 |
25 |
mA |
RL = 30 Ω |
IV |
5 |
7 |
10 |
25 |
VGT |
|
ALL |
MAX. |
1.3 |
V |
|
VD = VDRM, |
|
|
|
|
VGD |
RL = 3.3 kΩ, |
ALL |
MIN. |
0.2 |
V |
|
Tj = 125 °C |
|
|
|
|
IH (2) |
IT = 50 mA |
MAX. |
7 |
10 |
10 |
25 |
mA |
IL |
IG = 1.2 I GT |
I - III - IV |
MAX. |
7 |
10 |
15 |
25 |
mA |
II |
15 |
20 |
25 |
50 |
dV/dt (2) |
VD = 67% V DRM gate open Tj = 110 °C |
MIN. |
10 |
20 |
50 |
100 |
V/µs |
(dV/dt)c |
(dI/dt)c = 0.44 A/ms, |
MIN. |
0.5 |
1 |
2 |
5 |
V/µs |
-2 |
Tj = 110 °C |
1. Mínimo I GT es garantizado a las 5% de Yo gt Max .
2. Para ambas polaridades de A2 referenciado a A1.
Tabla 3. Características estáticas
Symbol |
Test conditions |
Value |
Unit |
VTM(1) |
ITM = 1.4 A, tp = 380 µs |
Tj = 25 °C |
MAX. |
1.6 |
V |
V to (1) |
Threshold voltage |
Tj = 125 °C |
MAX. |
0.95 |
V |
Rd (1) |
Dynamic resistance |
Tj = 125 °C |
MAX. |
400 |
mΩ |
I DRM |
V DRM = VRRM |
Tj = 25 °C |
MAX. |
5 |
µA |
IRRM |
Tj = 125 °C |
0.5 |
mA |
1. Para ambas polaridades de A2 referenciado a A1.
Tabla 4. Resistencias térmicas
Symbol |
Parameter |
Value |
Unit |
Rth(j-t) |
Junction to tab (AC) |
SOT-223 |
|
25 |
|
Rth(j-t) |
Junction to tab (AC) |
SMBflat-3L |
|
14 |
|
Rth(j-I) |
Junction to lead (AC) |
TO-92 |
|
60 |
|
|
|
S(1) = 5 cm² |
SOT-223 |
MAX. |
60 |
°C/W |
Rth(j-a) |
Junction to ambient |
SMBflat-3L |
|
75 |
|
|
|
|
TO-92 |
|
150 |
|
1. S = cobre superficie bajo pestaña .