YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Inicio> Lista de Productos> Paquete de plástico semiconductor> BI DIRECCIONES Tiristor (Triac)> TO-92 Estándar 1A TRIACS adecuados para aplicaciones de conmutación de CA de propósito general
TO-92 Estándar 1A TRIACS adecuados para aplicaciones de conmutación de CA de propósito general
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$0.033000-29999 Piece/Pieces

$0.02≥30000Piece/Pieces

Tipo de Pago:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transporte:Ocean,Land,Express,Others
Hafen:SHANGHAI
Atributos del producto

ModeloYZPST-Z0103MA

MarcaYzpst

Lugar De Origenporcelana

IT(RMS)1A

I²t0.35A² s

DI/dt20A/µs

IGM1A

PG(AV)1W

Tstg- 40 to + 150℃

Tj- 40 to + 125℃

Embalaje y entrega
Unidades de venta : Piece/Pieces
Tipo de paquete : 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. trenza
Descargar :
Triac Z0103MA 1-3MA TO92CU
Descripción

Estándar 1A Triacs P/N: YZPST-Z0103MN0

Características
Corriente RMS en el estado, IT (RMS) 1 A
Voltaje repetitivo de pico fuera del estado, v DRM/VRRM 800 V
Actualización de la puerta de activación, IGT (Q1) 3 a 25 mA
Descripción
La serie Z01 es adecuada para aplicaciones de conmutación de CA de propósito general. Estos dispositivos son
Típicamente utilizado en aplicaciones como el hogar
Electrodomésticos (electrovalvia, bomba, bloqueo de puerta, control de lámpara pequeña), controladores de velocidad del ventilador, ...
Hay diferentes sensibilidades de corriente de puerta disponibles, lo que permite un rendimiento optimizado cuando se conduce
directamente a través de microcontroladores.
YZPST-Z0103MN
Mesa 1. Absoluto máximo Ratin GS
Symbol Parameter Value Unit
  On-state rms current SOT-223 tab = 90 °C    
IT(RMS) (full sine wave) TO-92 T= 50 °C 1 A
    SMBflat-3L tab = 107 °C    
ITSM Non repetitive surge peak on-state   current  (full cycle, Tinitial = 25 °C) F = 50 Hz t = 20 ms 8 A
F = 60 Hz t = 16.7 ms 8.5
I²t I²t Value for fusing t= 10 ms 0.35 ²
A s
dI/dt Critical rate of rise of on-state current I= 2 x I GT  , t≤ 100 ns F = 120 Hz T= 125 °C 20 A/µs
IGM Peak gate current t= 20 µs T= 125 °C 1 A
PG(AV) Average gate power dissipation T= 125 °C 1 W
Tstg Storage junction temperature range - 40 to + 150 °C
Tj Operating junction temperature range - 40 to + 125

Tabla 2. Electrical características ( T J = 25 ° C, a menos que de lo contrario especificado )

Symbol       Z01  
Test conditions Quadrant 3 7 9 10 Unit
GT (1) V= 12 V, I - II - III MAX. 3 5 10 25 mA
R= 30 Ω IV 5 7 10 25
VGT   ALL MAX. 1.3 V
  V= VDRM,        
VGD R= 3.3 kΩ, ALL MIN. 0.2 V
  T= 125 °C        
I(2) I= 50 mA MAX. 7 10 10 25 mA
IL I= 1.2 I GT I - III - IV MAX. 7 10 15 25 mA
II 15 20 25 50
dV/dt (2) V=  67% V DRM   gate open T= 110 °C MIN. 10 20 50 100 V/µs
(dV/dt)c (dI/dt)= 0.44 A/ms, MIN. 0.5 1 2 5 V/µs
-2 T= 110 °C

1. Mínimo I GT es garantizado a las 5% de Yo gt Max .

2. Para ambas polaridades de A2 referenciado a A1.

Tabla 3. Características estáticas

Symbol Test conditions Value Unit
VTM(1) ITM = 1.4 A, tp = 380 µs Tj = 25 °C MAX. 1.6 V
V to (1) Threshold voltage Tj = 125 °C MAX. 0.95 V
R(1) Dynamic resistance Tj = 125 °C MAX. 400 mΩ
I DRM V DRM = VRRM Tj = 25 °C MAX. 5 µA
IRRM Tj = 125 °C 0.5 mA

1. Para ambas polaridades de A2 referenciado a A1.

Tabla 4. Resistencias térmicas

Symbol Parameter Value Unit
Rth(j-t) Junction to tab (AC) SOT-223   25  
Rth(j-t) Junction to tab (AC) SMBflat-3L   14  
Rth(j-I) Junction to lead (AC) TO-92   60  
    S(1) = 5 cm² SOT-223 MAX. 60 °C/W
Rth(j-a) Junction to ambient SMBflat-3L   75  
      TO-92   150  

1. S = cobre superficie bajo pestaña .



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