YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Modo mejorado de canal N a 247 MOSFET
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Modo mejorado de canal N a 247 MOSFET

Modo mejorado de canal N a 247 MOSFET

$2.1100-999 Piece/Pieces

$1.55≥1000Piece/Pieces

Tipo de Pago:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transporte:Ocean,Air
Hafen:SHANGHAI
Atributos del producto

ModeloYZPST-STW20NM60

MarcaYzpst

Lugar De Origenporcelana

VDSS600V

IDM78A

VGS±30A

EAS1284mJ

EAR97mJ

TSTG,TJ-55~+150℃

Embalaje y entrega
Unidades de venta : Piece/Pieces
Tipo de paquete : 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje de protección de plástico
Descargar :
Descripción

Pro Missin G Chi p yzpst-stw20nm60


Modo mejorado de canal N a 247 Mosfet

Características

l High Rugge dness

l lo w r ds (encendido) (typ 0.22) @V GS = 10V

l Low Ga Te Cha rge (typ 84nc)

l Mejorar d DV/DT CA Pensilvania biabilidad

l 100% Ava la nche TE s TE d

l Aplicación lica ción: UPS , Cobrar, ordenador personal Energía ,Inversor

General Descripción

Este poder MOSFET se produce con tecnología avanzada de prometedora Chip.

Este tecnología habilitar la energía Mosfet a tener mejor características, incluido rápido traspuesta tiempo, bajo en Resistencia, baja carga de puerta y una avalancha especialmente excelente características.

Máximo absoluto calificaciones

Symbol

Parameter

Value

Unit

VDSS

Drain to source voltage

600

V

 

ID

Continous drain current(@Tc=25)

20*

A

Continous drain current(@Tc=100)

12*

A

IDM

Drain current pulsed

78

A

VGS

Gate to source voltage

±30

V

EAS

Single pulsed avalanche energy

1284

mJ

EAR

Repetitive pulsed avalanche energy

97

mJ

dv/dt

Peak diode recovery dv/dt

5

V/ns

 

PD

Total power dissipation(@Tc=25)

42.3

W

Derating factor above 25

0.32

W/

TSTG,TJ

Operating junction temperature & storage temperature

-55~+150

TL

Maximum lead temperature for soldering purpose,1/8 from case for 5second

300

*La corriente de drenaje está limitada por Junction la temperatura

Térmico características:

Symbol

Parameter

Value

Unit

Rthjc

Thermal resistance , Junction to case

3.1

/W

Rthja

Thermal resistance , Junction to ambient

49

/W

Nombre de dibujo

To-247-3l ( LL )

N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFETN-channel TO-247 MOSFET





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