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Diodos de soldadura de resistencia térmica ultra baja de 18000A

Diodos de soldadura de resistencia térmica ultra baja de 18000A

Precio unitario: USD 55 / Piece/Pieces
Tipo de Pago: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Cantidad de pedido mínima: 10 Piece/Pieces
Plazo de entrega: 30 días

Información básica

    Modelo: YZPST-ZP18000-02-1

    IF(AV): 18000A

    IF(RMS): 28200A

    IFSM: 135000A

    VFM: 1.08 0.97V

    VTO: 0.74V

Información adicional

    Paquete: 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico

    productividad: 100

    Marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origen: China

    Capacidad de suministro: 500

    Certificados : ISO9001-2015,ROHS

    Hafen: SHANGHAI

DDescripción

Diodos de soldadura

YZPST-ZP18000-02

caracteristicas:

Toda la estructura difusa

. Alta densidad de corriente

. Muy baja caída de voltaje en estado

. Caja metálica con aislante cerámico.

. Resistencia térmica ultra baja

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y CALIFICACIONES.

Bloqueo - Estado apagado

1

Notas:

Todas las calificaciones se especifican para Tj = 25 oC a menos que se indique lo contrario.

(1) Medio seno, f = 50Hz, Tj = -40 a + 170oC.

(2) Medio seno, 10 ms, Tj = -40 a + 170oC.

(3) Temperatura máxima de unión: Tj = 170 oC.

(4) Los parámetros se definen a continuación:

2


Conduciendo - en estado

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IF(AV)

18000

A

sine,180o Conduction angle,Tc =85oC

RMS value of on-state current

IF(RMS)

28200

A

Peak one cycle surge

(non repetitive) current

IFSM

135000

A

10.0 msec ,sine, 180o Conduction angle, Tj = 170 oC

I2t

I2t

91100000

A2s

10.0 msec, sine, Tj = 170 oC

Peak on-state voltage

VFM

1.08

0.97

V

IFM =12000 A; 25 oC IFM =5000 A; 25 oC

Threshold votage

VTO

0.74

V

Tj = 170 oC

Slope resistance

rT

0.016

mΩ

Tj = 170 oC

Reverse Recovery Current (4)

IRM(REC)

A

IFM = 1000 A; dIF/dt = 10 A/ms;Tjmax

Reverse Recovery Charge (4)

Qrr

mC

IFM = 1000 A; dIF/dt = 10 A/ms;Tjmax

Reverse Recovery Time (4)

tRR

ms

CARACTERISTICAS TERMICAS Y MECANICAS

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating junction temperature range

Tj

-40

+170

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+170

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

0.004

o

C/W

Double sided cooled

Thermal resistance - case to sink

RQ (j-c)

0.008

o

C/W

Single sided cooled

Creepage distance on the surface

DS

8

mm

Air breakdown distance

Da

8

mm

Mounting force

F

36

44

kN

Weight

W

578

g

ESQUEMA Y DIMENSIONES DEL CASO

3







PRODUCTOS POR GRUPO : Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Diodo de soldadura

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