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Diodo de soldadura de frecuencia media de baja impedancia térmica de 100 mA
Diodo de soldadura de frecuencia media de baja impedancia térmica de 100 mA

Diodo de soldadura de frecuencia media de baja impedancia térmica de 100 mA

Precio unitario: USD 150 / Piece/Pieces
Tipo de Pago: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Cantidad de pedido mínima: 10 Piece/Pieces
Plazo de entrega: 30 días

Información básica

    Modelo: YZPST-53DN04-2

Información adicional

    Paquete: 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón

    productividad: 100

    Marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origen: China

    Capacidad de suministro: 1000

    Certificados : ISO9001-2015,ROHS

    HS-Code: 85411000

    Hafen: Shanghai

DDescripción

DIODO DE ALTA POTENCIA PARA SOLDADURA DE FRECUENCIA MEDIA

SIN VIVIENDA DE DISPOSITIVOS DE ULTRATINA

YZPST-53DN04

Caracteristicas

- Alta capacidad de corriente

- Muy baja impedancia térmica.

- Capacidad de ciclismo de alta potencia.

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y CALIFICACIONES.

1

VRRM = Voltaje inverso pico repetitivo

VRSM = Voltaje máximo inverso no repetitivo (2)

Notas:

Todas las clasificaciones se especifican para Tj = 25 ° C a menos que se indique lo contrario.

(1) Todas las clasificaciones de voltaje se especifican para una forma de onda sinusoidal de 50Hz / 60Hz aplicada

en el rango de temperatura de -40 a +180 ° C.

(2) 10 ms máx. ancho de pulso

(3) Valor máximo para Tj = 180 ° C

2

Conductible

Parameter

Symbol

Min

Max

Typ

Unit

Conditions

Average value of forward current

IF(AV)

6300

A

50Hz sinewave,180o conduction, Tc = 126 °C

RMS value of forward current

IF(RMS)

9890

A

Peak one cycle surge

(non repetitive) current

IFSM

70

kA

50Hz sinewave,180o conduction, Tj = Tjmax, VR = 0

I square t

I2 t

24500

kA2s

Tj = Tjmax

Peak forward voltage

VFM

1.14

V

Forward current 10 kA, Tjmax

Threshold voltage

VF(TO)

0.7

V

Tj = Tjmax

Forward slope resistance

rF

0.046

m

Tj = Tjmax

Características y clasificaciones térmicas y mecánicas.

Parameter

Symbol

Min

Max

Typ

Unit

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

180

°C

Storage temperature

Tstg

-40

180

°C

Thermal resistance junction to case

Rth(j-c)

0.0048

°C/W

Double side cooled , DC

Thermal resistance junction to case

Rth(j-c)

0.0062

°C/W

Double side cooled, 180° sin

Thermal resistance case to sink

Rth(c-s)

0.0025

°C/W

Double side cooled, mounting surfaces smooth, flat and greased

Mounting force

F

40

60

kN

Weight

W

100

g

3


Analytical expression for  Zth(j-c)

Zth(j-c) ( t ) =   i   Ai · ( 1 - exp ( - t /  i ) )

i

1

2

3

Ai

1.0E-03

3.7E-03

1.7E-06

C/W]

i

2.0E-03

3.8E-02

8.0E-01

[s]

Capacidad de corriente de salida (ID) para configuración de toma central


4

56


ESQUEMA Y DIMENSIONES

7

darse cuenta

- Recomendamos proteger el diodo con una junta tórica resistente a la temperatura.

- Todas las características proporcionadas en esta hoja de datos están garantizadas solo con una fuerza de sujeción uniforme, superficies de disipadores de calor limpiadas y lubricadas con una planitud <0.03 mm y una rugosidad <2µm





PRODUCTOS POR GRUPO : Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Diodo de soldadura

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