YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Inicio> Lista de Productos> Dispositivos de módulo de semiconductores> Módulo tiristor> Conjunto de tiristor de alta potencia de 1600 V para control de fase
Conjunto de tiristor de alta potencia de 1600 V para control de fase
Conjunto de tiristor de alta potencia de 1600 V para control de fase
Conjunto de tiristor de alta potencia de 1600 V para control de fase
Conjunto de tiristor de alta potencia de 1600 V para control de fase
Conjunto de tiristor de alta potencia de 1600 V para control de fase

Conjunto de tiristor de alta potencia de 1600 V para control de fase

$3101-19 Piece/Pieces

$230≥20Piece/Pieces

Tipo de Pago:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Cantidad de pedido mínima:1 Piece/Pieces
transporte:Ocean,Air
Hafen:SHANGHAI
Atributos del producto

ModeloYZPST-KP641-16E

MarcaYZPST

V RRM1600v

V DRM1600v

I T(AV)641a

I TSM9900a

I RRM30ma

I DRM30ma

V TM1.5v

Threshold Voltage V T(TO)0.99v

Embalaje y entrega
Unidades de venta : Piece/Pieces
Tipo de paquete : 1. Embalaje antielectrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico
Descripción

CONJUNTO DE TIRISTOR DE ALTA POTENCIA
PARA APLICACIONES DE CONTROL DE FASE
Tipo: YZPST-KP641 / 16E

CARACTERÍSTICAS Y CLASIFICACIONES ELÉCTRICAS

Parameter

Symbol

Maximu

m Limits

Units

Conditions

Repetitive peak reverse voltage

RRM

1600

V

 

Repetitive peak off state voltage

DRM

1600

V

 

Average value of on-state current

I T(AV)

641

A

Sinewave,180 o conduction,T sink =70 

Peak one cycle surge

(non repetitive) current

TSM

9900

A

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-shape,

180 conduction, T j = 125 

 

RRM

30

mA

Tj = 125 ℃

 

DRM

30

mA

Tj = 125 ℃

Peak on-state voltage

TM

1.5

V

Tj = 125 ℃ ITM=1000A

Threshold voltage

V T(TO)

0.99

V

T j =1 25 ℃

Slope resistance

T

0.52

T j =1 25 ℃

Average gate power dissipation

P G(AV)

3

W

 

Gate current

GT

300

mA

V D = 6 V;R L = 3 ohms;T j = +25 ℃

Gate voltage

GT

3.5

V

V D = 6 V;R L = 3 ohms;T j = 0-125 ℃

Latching current

I L

1000

mA

V D = 24 V; R L = 12 ohms

Holding current

I H

300

mA

V D = 24 V; I = 2.5 A

Critical rate of voltage rise

dV/dt

1000

V/s

VD=2/3VDRM

Critical rate of rise of on-state

current

di/dt

200

A/ s

Switching from V DRM 1000 V,

non-repetitive

Operating temperature

T

-30-125

 

Storage temperature

T stg

-30-125

 

ESQUEMA Y DIMENSIONES DEL CASO.

YZPST-KP641-16E.jpg


Inicio> Lista de Productos> Dispositivos de módulo de semiconductores> Módulo tiristor> Conjunto de tiristor de alta potencia de 1600 V para control de fase
苏ICP备05018286号-1
Realizar consulta
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Enviar