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Conjunto de tiristor de alta potencia de 1600 V para control de fase

$310

1-19
Piece/Pieces
$230

≥20
Piece/Pieces

Payment Type:

L/C,T/T,Paypal

Incoterm:

FOB,CFR,CIF

Min. Order:

1 Piece/Pieces

Delivery Time:

30 Days

Transportation:

Ocean,Air

Port:

SHANGHAI

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DDescripción

Product Attributes
Supply Ability & Additional Informations
Packaging & Delivery

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Overview

Product Attributes

Modelo: YZPST-KP641-16E

Marca: YZPST

V RRM: 1600V

V DRM: 1600V

I T(AV): 641A

I TSM: 9900A

I RRM: 30mA

I DRM: 30mA

V TM: 1.5V

Threshold Voltage V T(TO): 0.99V

Supply Ability & Additional Informations

Paquete: 1. Embalaje antielectrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico

productividad: 100

transporte: Ocean,Air

Lugar de origen: China

Capacidad de suministro: 1000

Certificados : ISO9000

HS-Code: 85413000

Hafen: SHANGHAI

Tipo de Pago: L/C,T/T,Paypal

Incoterm: FOB,CFR,CIF

Plazo de entrega: 30 días

Packaging & Delivery

Selling Units:: Piece/Pieces

Package Type:: 1. Embalaje antielectrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico

CONJUNTO DE TIRISTOR DE ALTA POTENCIA

PARA APLICACIONES DE CONTROL DE FASE

Tipo: YZPST-KP641 / 16E

CARACTERÍSTICAS Y CLASIFICACIONES ELÉCTRICAS

Parameter	Symbol	Maximu m Limits	Units	Conditions
Repetitive peak reverse voltage	V RRM	1600	V
Repetitive peak off state voltage	V DRM	1600	V
Average value of on-state current	I T(AV)	641	A	Sinewave,180 ^o conduction,T sink =70 ℃
Peak one cycle surge (non repetitive) current	I TSM	9900	A	10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-shape, 180 o conduction, T j = 125 ℃
	I RRM	30	mA	Tj = 125 ℃
	I DRM	30	mA	Tj = 125 ℃
Peak on-state voltage	V TM	1.5	V	Tj = 125 ℃ ITM=1000A
Threshold voltage	V T(TO)	0.99	V	T j =1 25 ℃
Slope resistance	r T	0.52	mΩ	T j =1 25 ℃
Average gate power dissipation	P G(AV)	3	W
Gate current	I GT	300	mA	V D = 6 V;R L = 3 ohms;T j = +25 ℃
Gate voltage	V GT	3.5	V	V D = 6 V;R L = 3 ohms;T j = 0-125 ℃
Latching current	I L	1000	mA	V D = 24 V; R L = 12 ohms
Holding current	I H	300	mA	V D = 24 V; I = 2.5 A
Critical rate of voltage rise	dV/dt	1000	V/s	VD=2/3VDRM
Critical rate of rise of on-state current	di/dt	200	A/ s	Switching from V DRM 1000 V, non-repetitive
Operating temperature	T	-30-125	℃
Storage temperature	T stg	-30-125	℃