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Home > Lista de Productos > Dispositivos de módulo semiconductor > Módulo tiristor > Conjunto de tiristor de alta potencia de 1600 V para control de fase

Conjunto de tiristor de alta potencia de 1600 V para control de fase

  • $310
    1-19
    Piece/Pieces
  • $230
    ≥20
    Piece/Pieces
Payment Type:
L/C,T/T,Paypal
Incoterm:
FOB,CFR,CIF
Min. Order:
1 Piece/Pieces
Delivery Time:
30 Days
Transportation:
Ocean,Air
Port:
SHANGHAI
  • DDescripción
Overview
Product Attributes

ModeloYZPST-KP641-16E

MarcaYZPST

V RRM1600V

V DRM1600V

I T(AV)641A

I TSM9900A

I RRM30mA

I DRM30mA

V TM1.5V

Threshold Voltage V T(TO)0.99V

Supply Ability & Additional Informations

Paquete1. Embalaje antielectrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico

productividad100

transporteOcean,Air

Lugar de origenChina

Capacidad de suministro1000

Certificados ISO9000

HS-Code85413000

HafenSHANGHAI

Tipo de PagoL/C,T/T,Paypal

IncotermFOB,CFR,CIF

Plazo de entrega30 días

Packaging & Delivery
Selling Units:
Piece/Pieces
Package Type:
1. Embalaje antielectrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico

CONJUNTO DE TIRISTOR DE ALTA POTENCIA
PARA APLICACIONES DE CONTROL DE FASE
Tipo: YZPST-KP641 / 16E

CARACTERÍSTICAS Y CLASIFICACIONES ELÉCTRICAS

Parameter

Symbol

Maximu

m Limits

Units

Conditions

Repetitive peak reverse voltage

RRM

1600

V

 

Repetitive peak off state voltage

DRM

1600

V

 

Average value of on-state current

I T(AV)

641

A

Sinewave,180 o conduction,T sink =70 

Peak one cycle surge

(non repetitive) current

TSM

9900

A

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-shape,

180 conduction, T j = 125 

 

RRM

30

mA

Tj = 125 ℃

 

DRM

30

mA

Tj = 125 ℃

Peak on-state voltage

TM

1.5

V

Tj = 125 ℃ ITM=1000A

Threshold voltage

V T(TO)

0.99

V

T j =1 25 ℃

Slope resistance

T

0.52

T j =1 25 ℃

Average gate power dissipation

P G(AV)

3

W

 

Gate current

GT

300

mA

V D = 6 V;R L = 3 ohms;T j = +25 ℃

Gate voltage

GT

3.5

V

V D = 6 V;R L = 3 ohms;T j = 0-125 ℃

Latching current

I L

1000

mA

V D = 24 V; R L = 12 ohms

Holding current

I H

300

mA

V D = 24 V; I = 2.5 A

Critical rate of voltage rise

dV/dt

1000

V/s

VD=2/3VDRM

Critical rate of rise of on-state

current

di/dt

200

A/ s

Switching from V DRM 1000 V,

non-repetitive

Operating temperature

T

-30-125

 

Storage temperature

T stg

-30-125

 

ESQUEMA Y DIMENSIONES DEL CASO.

YZPST-KP641-16E.jpg


PRODUCTOS POR GRUPO : Dispositivos de módulo semiconductor > Módulo tiristor

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