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Diodo de perno de recuperación 1200V para cargas de batería

Diodo de perno de recuperación 1200V para cargas de batería

Precio unitario: USD 1.1 - 1.5 / Piece/Pieces
Tipo de Pago: T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Cantidad de pedido mínima: 1 Piece/Pieces
Plazo de entrega: 30 días

Información básica

    Modelo: YZPST-85HF(R)120

Información adicional

    Paquete: 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico

    productividad: 1000

    Marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origen: China

    Capacidad de suministro: 5000

    Certificados : ISO9001-2015,ROHS

    Hafen: SHANGHAI

DDescripción

DIODOS DE RECUPERACION ESTANDAR

YZPST-85HF (R) 120

APLICACIONES DE DIODO DE RECUPERACION ESTANDAR

caracteristicas:

Amplio rango de corriente

Capacidades de alta corriente

Versión de cátodo y vástago de ánodo.

Aplicaciones Típicas:

Convertidores Fuentes de alimentación Máquina herramienta

controla la batería

cargos


Conducción hacia adelante

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Repetitive peak reverse voltage

VRRM

 

 

1200

V

 

Non repetitive peak reverse voltage

 

VRSM

 

 

 

1300

 

V

 

Max. average forward current

IF(AV)

 

 

85

A

Sinewave,180o  conduction,Tc=120oC

Max. RMS forward current

IF(RMS)

 

 

105

A

Nominal value

Max. peak, one-cycle forward, non-repetitive surge current

 

IFSM

 

 

 

950

 

A

 

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 180 oC

Maximum I2t for fusing

I2t

 

 

2600

A2s

Max. forward voltage drop

VFM

 

 

1.28

V

ITM = 255A; Tvj=25

Threshold voltage

VF0

 

 

0.76

V


Especificaciones térmicas y mecánicas


Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-65

+190

 

oC

 

 

Storage temperature

 

Tstg

 

-65

 

+190

 

 

oC

 

 

Thermal resistance - junction to case

 

RQ (j-c)

 

-

-

 

1.05

 

K/W

 

 

Thermal resistamce - case to heatsink

 

RQ (c-s)

 

-

-

 

0.35

 

K/W

 

Mounting force

P

2.3

3.4

 

Nm

± 10%

Weight

W

-

-

-

g

 

Case style

 

 

 

DO-5

 

See Outline Table

: RESUMEN DEL CASO Y DIMENSIONES.

12


PRODUCTOS POR GRUPO : Semiconductor Stud dispositivos > Diodo de perno de recuperación estándar

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