Diodo de perno de recuperación estándar 1200 V

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USD 2 - 3 / Piece/Pieces

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T/T,Paypal

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FOB,CFR,CIF

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1 Piece/Pieces

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30 días

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Información básica

Modelo: YZPST-SKN(R)70-12

Información adicional

Paquete: 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico

productividad: 1000

Marca: YZPST

transporte: Ocean,Air

Lugar de origen: China

Capacidad de suministro: 5000

Certificados : ISO9001-2015,ROHS

Hafen: SHANGHAI

DDescripción

ESTUDIO DE DIODOS DE RECUPERACION ESTANDAR

SKN (R) 70/12

Conducción hacia adelante

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Repetitive peak reverse voltage	V_RRM			1200	V
Non repetitive peak reverse voltage	V_RSM			1300	V
Max. average forward current	I_F_(AV)			95	A	Sinewave,180^o conduction,T_c=100^oC
Max. RMS forward current	I_F(_RMS₎			150	A	Nominal value; T_c=100^oC
Max. peak, one-cycle forward, non-repetitive surge current	I_F_SM			1150	A	10.0 msec (50Hz), half sinewave, T_j = 25 ^oC, V_RM = 0.6V_RRM
Maximum I²t for fusing	I²t			6600	A²s
Max. forward voltage drop	V_F		1.5		V	I_F = 200A; T_c=25^oC
Threshold voltage	V_F0		0.85		V	T_j=180°C
slope resistance	r_T		3		mΩ	T_j=180°C

Especificaciones térmicas y mecánicas

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Operating temperature	T_j	-40	+180		^oC
Storage temperature	T_stg	-50	+180		^oC
Reverse recovery charge	Q_r_r			-	μc
Thermal resistance - junction to case	R_Q_(j-c)		- -	0.55	K/W
Thermal resistamce - case to heatsink	R_Q_(c-s)		- -	0.2	K/W
Mounting force	P			4	Nm	± 20%
Weight	W	-	-	-	g
Case style				-		See Outline Table