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Transistor de silicio NPN 3A adecuado para lámparas de bajo consumo

Transistor de silicio NPN 3A adecuado para lámparas de bajo consumo

Tipo de Pago: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Plazo de entrega: 30 días
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Información básica

    Modelo: YZPST-13003DL

Información adicional

    productividad: 1000

    Marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origen: China

    Capacidad de suministro: 10000

    Certificados : ISO9001-2008,ROHS

    HS-Code: 85413000

    Hafen: SHANGHAI

DDescripción

TRANSISTOR DEL SILICIO DE NPN

YZPST-13003DL


Los transistores se pueden empaquetar de forma independiente o en un área muy pequeña y pueden contener parte de 100 millones o más circuitos integrados de transistores. Rectificador de lámpara de ahorro de energía

◆ Clasificaciones máximas absolutas (Tc = 25 ℃)


PARAMETER

SYMBOL

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

VCBO

350

V

Collector-Emitter Voltage

VCEO

220

V

Emitter-Base Voltage

VEBO

9

V

Collector Current

IC

3

A

Total Power Dissipation

PC

25

W

Junction Temperature

Tj

150

Storage Temperature

Tstg

-55~150

Características Electrónicas (Tc = 25 ℃)

CHARACTERISTICS

SYMBOL

TEST CONDITION

MIN

MAX

UNIT

Collector-Base  Voltage

VCBO

Ic=1mA Ie=0

350

 

V

Collector-Emitter  Voltage

VCEO

Ic=1mA Ib=0

220

 

V

Emitter-Base  Voltage

VEBO

Ie=1mA Ic=0

9

 

V

Collector-Base  Cutoff  Current

ICBO

Vcb=350v Ie=0

 

10

UA

Collector-Emitter  Cutoff

Current

 

ICEO

 

Vce=220v Ib=0

 

 

10

 

UA

Emitter-Base  Cutoff  Current

IEBO

Veb=9v    Ic=0

 

10

UA

Collector-Emitter  Saturation

Voltage

 

Vce(sat)

 

Ic=0.5A   Ib=0.1A

 

 

0.9

 

V

Base-Emitter  Saturation  Voltage

Vbe(sat)

Ic=0.5A   Ib=0.1A

 

1.5

V

DC  Current  Gain

Hfe

VCE=5v     IC=0.2A

20

25

 

Diode Forward Voltage

Vf

IF=1.0A

 

2

V

 

Storage Time

 

ts

 

Ic=0.25A (UI9602)

 

1.5

 

2.5

 

us






PRODUCTOS POR GRUPO : Paquete de plástico semiconductor > Transistor de silicio

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