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Home > Lista de Productos > Paquete de plástico semiconductor > Rectificador controlado por silicio (SCR) > Niveles de activación altamente sensibles X0405 SCR

Niveles de activación altamente sensibles X0405 SCR

  • $0.11
    ≥1000
    Piece/Pieces
Payment Type:
L/C,T/T,Paypal
Incoterm:
FOB,CFR,CIF
Min. Order:
1000 Piece/Pieces
Delivery Time:
30 Days
Transportation:
Ocean,Air
Port:
Shanghai
  • DDescripción
Overview
Product Attributes

ModeloYZPST-X0405

MarcaYZPST

Supply Ability & Additional Informations

Paquete1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico

productividad1000

transporteOcean,Air

Lugar de origenChina

Capacidad de suministro10000

Certificados ISO9001-2008,ROHS

HS-Code85413000

HafenShanghai

Tipo de PagoL/C,T/T,Paypal

IncotermFOB,CFR,CIF

Plazo de entrega30 días

Embalaje y entrega
Unidades de venta:
Piece/Pieces
Tipo de paquete:
1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico


Rectificador controlado de silicio (SCR)

YZPST-X0405

DESCRIPCIÓN:

Gracias a los niveles de activación altamente sensibles, el

La serie X0405 SCR es adecuada para todas las aplicaciones

donde la corriente de puerta disponible es limitada, como

interruptores de circuito de falla a tierra, sobrevoltaje

protección de palanca en fuentes de baja potencia,

circuitos de encendido capacitivo, ...


PRINCIPALES CARACTERÍSTICAS

Symbol

Value

Unit

IT(RMS)

4.0

A

VDRM VRRM

600

V

IGT

200

µA

ÍNDICES ABSOLUTOS MÁXIMOS


Parameter

Symbol

Value

Unit

Storage junctiontemperature range

Tstg

-40 ~150

Operating junction temperature range

Tj

-40~125

Repetitive peak off-state voltage (T =25℃)

VDRM

600

V

Repetitive peak reverse voltage (T =25℃)

VRRM

600

V

Non repetitive surge peak Off-state voltage

VDSM

VDRM +100

V

Non repetitive peak reverse voltage

VRSM

VRRM +100

V

RMS on-state current (T =60℃)

IT(RMS)

4.0

A

Non repetitive surge peak on-state current

(180° conduction angle, F=50Hz)

ITSM

30

A

Average on-state current (180° conduction angle)

IT(AV)

2.5

A

I2t value for fusing (tp=10ms)

I2t

4.5

A2S

Critical rate of rise of on-state current

(I =2×IGT, tr 100 ns)

dI/dt

50

A/μS

Peak gate current

IGM

1.2

A

Average gate power dissipation

PG(AV)

0.2

W

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (T = 25 ℃ a menos que se especifique lo contrario)

Symbol

Test Condition

 

Value

Unit

IGT

V =12V R =140Ω

MAX.

200

µA

VGT

MAX.

0.8

V

VGD

VD=VDRM Tj=125℃ R=1KΩ

MIN.

0.1

V

IL

IG=1.2IGT

MAX.

6

mA

IH

IT=50mA

MAX.

5

mA

dV/dt

VD=2/3VDRM Gate Open  Tj=125℃

MIN.

15

V/μs

CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS

Symbol

Parameter

Value(MAX.)

Unit

VTM

ITM =8.0A tp=380μs

Tj =25℃

1.8

V

IDRM

VD=VDRM VR=VRRM

 

Tj =25℃

5

μA

IRRM

Tj =125℃

1

mA

Resistencias Termales

Symbol

Parameter

Value(MAX.)

Unit

Rth(j-a)

junction to  ambient

60

℃/W

Rth(j-t)

Junction to tab (DC)

20

Esquema de información de pedido

YZPST-X0405


PRODUCTOS POR GRUPO : Paquete de plástico semiconductor > Rectificador controlado por silicio (SCR)

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Fax:86-514-87782297

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