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Niveles de activación altamente sensibles X0405 SCR
Niveles de activación altamente sensibles X0405 SCR
Niveles de activación altamente sensibles X0405 SCR
Niveles de activación altamente sensibles X0405 SCR

Niveles de activación altamente sensibles X0405 SCR

Precio unitario: USD 0.11 / Piece/Pieces
Tipo de Pago: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Cantidad de pedido mínima: 1000 Piece/Pieces
Plazo de entrega: 30 días

Información básica

    Modelo: YZPST-X0405

Información adicional

    Paquete: 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico

    productividad: 1000

    Marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origen: China

    Capacidad de suministro: 10000

    Certificados : ISO9001-2008,ROHS

    HS-Code: 85413000

    Hafen: Shanghai

DDescripción


Rectificador controlado de silicio (SCR)

YZPST-X0405

DESCRIPCIÓN:

Gracias a los niveles de activación altamente sensibles, el

La serie X0405 SCR es adecuada para todas las aplicaciones

donde la corriente de puerta disponible es limitada, como

interruptores de circuito de falla a tierra, sobrevoltaje

protección de palanca en fuentes de baja potencia,

circuitos de encendido capacitivo, ...


PRINCIPALES CARACTERÍSTICAS

Symbol

Value

Unit

IT(RMS)

4.0

A

VDRM VRRM

600

V

IGT

200

µA

ÍNDICES ABSOLUTOS MÁXIMOS


Parameter

Symbol

Value

Unit

Storage junctiontemperature range

Tstg

-40 ~150

Operating junction temperature range

Tj

-40~125

Repetitive peak off-state voltage (T =25℃)

VDRM

600

V

Repetitive peak reverse voltage (T =25℃)

VRRM

600

V

Non repetitive surge peak Off-state voltage

VDSM

VDRM +100

V

Non repetitive peak reverse voltage

VRSM

VRRM +100

V

RMS on-state current (T =60℃)

IT(RMS)

4.0

A

Non repetitive surge peak on-state current

(180° conduction angle, F=50Hz)

ITSM

30

A

Average on-state current (180° conduction angle)

IT(AV)

2.5

A

I2t value for fusing (tp=10ms)

I2t

4.5

A2S

Critical rate of rise of on-state current

(I =2×IGT, tr 100 ns)

dI/dt

50

A/μS

Peak gate current

IGM

1.2

A

Average gate power dissipation

PG(AV)

0.2

W

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (T = 25 ℃ a menos que se especifique lo contrario)

Symbol

Test Condition

 

Value

Unit

IGT

V =12V R =140Ω

MAX.

200

µA

VGT

MAX.

0.8

V

VGD

VD=VDRM Tj=125℃ R=1KΩ

MIN.

0.1

V

IL

IG=1.2IGT

MAX.

6

mA

IH

IT=50mA

MAX.

5

mA

dV/dt

VD=2/3VDRM Gate Open  Tj=125℃

MIN.

15

V/μs

CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS

Symbol

Parameter

Value(MAX.)

Unit

VTM

ITM =8.0A tp=380μs

Tj =25℃

1.8

V

IDRM

VD=VDRM VR=VRRM

 

Tj =25℃

5

μA

IRRM

Tj =125℃

1

mA

Resistencias Termales

Symbol

Parameter

Value(MAX.)

Unit

Rth(j-a)

junction to  ambient

60

℃/W

Rth(j-t)

Junction to tab (DC)

20

Esquema de información de pedido

YZPST-X0405


PRODUCTOS POR GRUPO : Paquete de plástico semiconductor > Rectificador controlado de silicio (SCR)

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Fax:86-514-87782297

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