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Home > Lista de Productos > Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Diodo rectificador (diodo estándar) > Diodo rectificador estándar de alta potencia 6000v
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| Precio unitario: | USD 32 - 46 / Piece/Pieces |
|---|---|
| Tipo de Pago: | L/C,T/T,Paypal |
| Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
| Cantidad de pedido mínima: | 1 Piece/Pieces |
| Plazo de entrega: | 30 días |
Información básica
Modelo: YZPST-ZP1363A6000V
Información adicional
Paquete: 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico
productividad: 1000
Marca: YZPST
transporte: Ocean,Air
Lugar de origen: CHINA
Capacidad de suministro: 5000
Certificados : ISO9001-2015,ROHS
Hafen: SHANGHAI
DDescripción
Rectificador estándar
YZPST-ZP1363A6000V
PROPÓSITO GENERAL ALTA PODER RECTIFICADOR
Características: Toda la estructura difusa . Alto índice de sobretensiones . Recuperación inversa suave . Paquete hermético de cerámica resistente . Dispositivo ensamblado a presión
Aplicaciones típicas: Rectificador para aplicaciones Drives . Convertidores de media tensión . Aplicaciones de potencia pulsada . Aplicaciones de palanca
Aplicaciones Típicas:
Rectificador para Aplicaciones Drives
. Convertidores de media tensión
. Aplicaciones de potencia pulsada.
. Aplicaciones de palanca
.
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y CALIFICACIONES.
|
Parameter |
Symbol |
Min |
Max. |
Typ |
Units |
Conditions |
|
Max. Average value of on-state current |
IF(AV)M |
|
1363 |
|
A |
Sinewave,180oconduction,Tc=85oC |
|
RMS value of on-state current |
IF(RMS)M |
|
2142 |
|
A |
Nominal value |
|
Peak one cycle surge (non repetitive) current |
IFSM |
|
19 |
|
kA |
Tj=25°C, VR=0,8VRRM, tp=10ms |
|
I square t |
I2t |
|
1.8×103 |
|
kA2s |
10 msec |
|
Peak on-state voltage |
VFM |
|
1.6 |
|
V |
IFM = 1500 A; Tj = 150 oC |
|
Reverse Recovery Current (4) |
IRM(REC) |
|
- |
|
A |
IFM = 1000 A; dIF/dt = 10 A/ms, Tj = 150 oC |
|
Reverse Recovery Charge (4) |
Qrr |
|
- |
|
mC |
|
|
Reverse Recovery Time (4) |
tRR |
|
- |
|
ms |
|
* Para valores máximos garantizados, contacte con la fábrica.
CARACTERISTICAS TERMICAS Y MECANICAS
|
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
|
Operating temperature |
Tj |
-40 |
+150 |
|
oC |
|
|
Storage temperature |
Tstg |
-40 |
+150 |
|
oC |
|
|
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-c) |
|
20 |
|
K/kW |
Double side cooled |
|
Thermal resistance - case to sink |
RQ (c-s) |
|
5 |
|
K/kW |
Double side cooled |
|
Thermal resistance - junction to sink |
RQ (j-s) |
|
- |
|
K/kW |
Double side cooled |
|
Mounting force |
P |
20 |
24 |
|
kN |
|
|
Weight |
W |
|
|
0.46 |
Kg |
about |
* Superficies de montaje lisas, planas y engrasadas.
ESQUEMA Y DIMENSIONES DEL CASO.
|
Sym |
A |
B |
C |
D |
H |
|
mm |
75 |
47 |
66 |
3.5×3 |
26±1 |
PRODUCTOS POR GRUPO : Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Diodo rectificador (diodo estándar)
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