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Diodo rectificador estándar de alta potencia 6000v

Diodo rectificador estándar de alta potencia 6000v

Precio unitario: USD 32 - 46 / Piece/Pieces
Tipo de Pago: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Cantidad de pedido mínima: 1 Piece/Pieces
Plazo de entrega: 30 días

Información básica

    Modelo: YZPST-ZP1363A6000V

Información adicional

    Paquete: 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico

    productividad: 1000

    Marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origen: CHINA

    Capacidad de suministro: 5000

    Certificados : ISO9001-2015,ROHS

    Hafen: SHANGHAI

DDescripción

Rectificador estándar

YZPST-ZP1363A6000V


PROPÓSITO GENERAL ALTA PODER RECTIFICADOR


Características: Toda la estructura difusa . Alto índice de sobretensiones . Recuperación inversa suave . Paquete hermético de cerámica resistente . Dispositivo ensamblado a presión

Aplicaciones típicas: Rectificador para aplicaciones Drives . Convertidores de media tensión . Aplicaciones de potencia pulsada . Aplicaciones de palanca

Aplicaciones Típicas:

Rectificador para Aplicaciones Drives

. Convertidores de media tensión

. Aplicaciones de potencia pulsada.

. Aplicaciones de palanca




High Pressure High Power Rectifier Diode 6000V

.





6000v in4007 Auto Rectifier Diode




CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y CALIFICACIONES.

High Pressure High Power Rectifier Diode 6000V


Parameter

Symbol

Min

Max.

Typ

Units

Conditions

Max. Average value of on-state current

IF(AV)M

 

1363

 

A

Sinewave,180oconduction,Tc=85oC

RMS value of on-state current

IF(RMS)M

 

2142

 

A

Nominal value

Peak one cycle surge

(non repetitive) current

IFSM

 

19

 

kA

Tj=25°C, VR=0,8VRRM, tp=10ms

I square t

I2t

 

1.8×103

 

kA2s

10 msec

Peak on-state voltage

VFM

 

1.6

 

V

IFM = 1500 A; Tj = 150 oC

Reverse Recovery Current (4)

IRM(REC)

 

-

 

A

IFM = 1000 A; dIF/dt = 10 A/ms,

Tj = 150 oC

Reverse Recovery Charge (4)

Qrr

 

-

 

mC

 

Reverse Recovery Time (4)

tRR

 

-

 

ms

 

* Para valores máximos garantizados, contacte con la fábrica.


CARACTERISTICAS TERMICAS Y MECANICAS

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+150

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+150

 

oC

 

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

 

20

 

K/kW

Double side cooled

Thermal resistance - case to sink

RQ (c-s)

 

5

 

K/kW

Double side cooled

Thermal resistance - junction to sink

RQ (j-s)

 

-

 

K/kW

Double side cooled

Mounting force

P

20

24

 

kN

 

Weight

W

 

 

0.46

Kg

about


* Superficies de montaje lisas, planas y engrasadas.


ESQUEMA Y DIMENSIONES DEL CASO.

High Pressure High Power Rectifier Diode 6000V


Sym

A

B

C

D

H

mm

75

47

66

3.5×3

26±1



PRODUCTOS POR GRUPO : Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Diodo rectificador (diodo estándar)

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