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Diodo de barrera Schottky SBD de construcción epitaxial 5.0AMP

  • $0.057
    1000-9999
    Piece/Pieces
  • $0.048
    ≥10000
    Piece/Pieces
Payment Type:
L/C,T/T,Paypal
Incoterm:
FOB,CFR,CIF
Min. Order:
10000 Piece/Pieces
Delivery Time:
30 Days
Transportation:
Ocean,Air
Port:
Shanghai
  • DDescripción
Overview
Product Attributes

ModeloYZPST-SB5100

MarcaYZPST

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage100V

Maximum RMS Voltage70V

Maximum DC Blocking Voltage100V

Maximum Average Forward Rectified Current5A

Maximum DC Reverse Currentent200uA

At Rated DC Blocking Voltage20mA

Storage Temperature Range TSTG-65 +150℃

Supply Ability & Additional Informations

Paquete1. Embalaje antielectrostático 2. Caja de cartón 3. Trenza

productividad10000

transporteOcean,Air

Lugar de origenporcelana

Capacidad de suministro100000

Certificados ISO9001-2008,ROHS

HS-Code85411000

HafenShanghai

Tipo de PagoL/C,T/T,Paypal

IncotermFOB,CFR,CIF

Plazo de entrega30 días

Embalaje y entrega
Unidades de venta:
Piece/Pieces
Tipo de paquete:
1. Embalaje antielectrostático 2. Caja de cartón 3. Trenza


YZPST-SB520 HASTA SB5200

Diodo de barrera Schottky SBD de construcción epitaxial 5.0AMP

CARACTERÍSTICAS
Caída de voltaje directa baja
Capacidad de alta corriente
Alta fiabilidad
Capacidad de alta corriente de sobretensión
Construcción epitaxial
DATOS MECANICOS
Caja: plástico moldeado
Epoxi: retardante de llama UL 94V-0
Cable: cables axiales, soldables según MIL-STD-202, método 208 garantizado
Polaridad: la banda de color indica el extremo del cátodo
Posición de montaje: Cualquiera
Peso: 1,00 gramos
Están disponibles tanto productos normales como libres de Pb:
Normal: 80 ~ 95% Sn, 5 ~ 20% Pb
Libre de Pb: 99 Sn arriba puede cumplir con la solicitud de directiva de sustancias ambientales de Rohs
YZPST-SB5100-1

RANGO DE VOLTAJE
20 a 200 voltios
ACTUAL
5,0 amperios


CLASIFICACIONES MÁXIMAS Y CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Clasificación de temperatura ambiente de 25 C a menos que se especifique lo contrario. Media onda monofásica, 60Hz, carga resistiva o inductiva.
Para carga capacitiva, reduzca la corriente en un 20%.

TYPE NUMBER

SB520

SB540

SB540

SB580

SB5100

SB5150

SB5200

UNITS

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

20

40

60

80

100

150

200

V

Maximum RMS Voltage

14

32

42

56

70

105

140

V

Maximum DC Blocking Voltage

20

40

60

80

100

150

200

V

Maximum Average Forward Rectified Current

See Fig. 1

 

5.0

 

A

Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load (JEDEC method)

 

150

 

A

Maximum Instantaneous Forward Voltage at 5.0A

0.55

0.70

0.85

V

Maximum DC Reverse Current Ta=25 C

at Rated DC Blocking Voltage Ta=100 C

200

20

uA

mA

Typical Junction Capacitance (Note1)

380

pF

Typical Thermal Resistance RqJA (Note 2)

10

C/W

Operating Temperature Range TJ

-65 +150

C

Storage Temperature Range TSTG

-65 +150

C


NOTAS:
1.Medido a 1MHz y aplicado voltaje inverso de 4.0V DC
2. Unión de resistencia térmica al montaje de la placa de circuito impreso vertical ambiental 0,5 "(12,7 mm) de longitud del cable.





PRODUCTOS POR GRUPO : Paquete de plástico semiconductor > Diodo de paquete de plástico

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