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Diodo de silicio de alto voltaje 5KV / 5.0A para estación base de radio 5G
Diodo de silicio de alto voltaje 5KV / 5.0A para estación base de radio 5G
Diodo de silicio de alto voltaje 5KV / 5.0A para estación base de radio 5G

Diodo de silicio de alto voltaje 5KV / 5.0A para estación base de radio 5G

Precio unitario: USD 11 - 13 / Piece/Pieces
Tipo de Pago: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Cantidad de pedido mínima: 100 Piece/Pieces
Plazo de entrega: 30 días

Información básica

    Modelo: YZPST-1N5603-1

Información adicional

    Paquete: 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón

    productividad: 10000

    Marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origen: China

    Capacidad de suministro: 100000

    Certificados : ISO9001-2008,ROHS

    HS-Code: 85411000

    Hafen: Shanghai

DDescripción

Serie de ensamblaje de silicio de alto voltaje

YZPST-1N5603


CARACTERISTICAS

* Usando el nivel de tecnología de combinación de núcleo de tubo de

La producción más avanzada.

* Baja corriente de fuga, baja potencia, -40 en funcionamiento

temperatura de unión C a + 175 grados C grados.

* Excelente anti corriente instantánea de gran impacto

resistencia y características de avalancha inversa.

* Rendimiento de conducción de calor original, calor eficiente

Diseño de disipación.

* Formas y tamaños generales y diferentes para elegir o

personalizado.

* En el circuito en rectificador de alta tensión, aislamiento,

efecto de protección

Solicitud
● Fuente de alimentación de microondas industrial, como para la estación base de radio 5G;
● calentador de alta frecuencia
● generador de alto voltaje
● Rectificador de alto voltaje utilizado en la limpieza electrostática.


YZPST-1N5603(1)


 

DEVICE ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(25ambient temperature unless stated otherwise)

 

CONDITIONS

 

SYMBOL

5KV/5.0A

Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage

 

VRRM

5KV

Peak Reverse Working Voltage

 

VRWM

5KV

Average Forward Current Maximum

 

IO

5.0A

Maximum Surge Current Rating

 

IFSM

150A

Maximum Forward Voltage Drop

@5A

VFM

6.0V

Peak Reverse Current

@25

IRRM

5.0uA

Maximum Junction Temperature

 

TJ

150

Storage Temperature Range

 

Tstg

-40~+150




Symbol

Size

D

85

mm

H

30

mm

L

10

mm

M

8

mm

YZPST-1N5603 Dimensions

PRODUCTOS POR GRUPO : Paquete de plástico semiconductor > Diodo de paquete de plástico

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Fax:86-514-87782297

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