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diodo de avalancha de alta tensión diodo de alta frecuencia

diodo de avalancha de alta tensión diodo de alta frecuencia

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Incoterm: FOB,CFR,CIF
Plazo de entrega: 30 días
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Información básica

    Modelo: YZPST-2CL

Información adicional

    productividad: 1000

    Marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origen: China

    Capacidad de suministro: 10000

    Certificados : ISO9001-2008,ROHS

    HS-Code: 85411000

    Hafen: SHANGHAI

DDescripción

Diodo de alta tensión de alta frecuencia

YZPST - 2CL

PST -2CL 500mA / 12KV

Características 1. Alta temperatura de unión hasta 130 ℃ 2. Baja caída de tensión directa y pequeña fuga de corriente

3. Protección de ruptura de avalancha 4. Excelentes propiedades contra el impacto de sobretensiones en alta tensión

5. Alambres principales axiales que son soldables 6. Paquete de epoxi con propiedades anticorrosión en la superficie

Aplicación Rectificación para horno de microondas • Fuentes de alimentación de microondas industriales • Fuente de rayos X HF

• Fuente de alimentación láser • Circuitos multiplicadores de tensión • Rectificación de fuentes de alimentación para otros dispositivos electrónicos

1. Especificación principal

 

No.

 

Item

 

Symbol

 

  Unit

 

Rating

 

Conditions


 1



   Repetitive Peak Reverse Voltage


   VRRM


   KV


    12



    2


 Average Forward Current

 

 IF (AV)

 

 mA

 

500

Tamb=60 oC

50HZ Sine-half Wave

Rectification Average Value

 

    3

 

 Forward Surge Current

 

 IFSM

 

 A

 

 30

 Tamb=25 oC

50HZ Sine-half Wave,One Shot

 

 4


Reverse Surge Current

 

 IRSM


μA  

 

 0.1

 

Pulse width 1ms triangle wave single pulse

 

 5

 

Maximum Junction Temperature

 

 

  Tjmax

 

     oC

 

130



 6


Storage Temperature


 Tstg

 

oC


-40~+130
















2. E l especificación ectric


 

 NO.

 

Item

 

Symbol

   Unit

 

   Rating

 

Test conditions


1


 Forward Voltage Drop


VFM


V


  25max


  IFM=500mA

2

Normal Temperature Reverse Current

IRM1

μA

10max

VRM=12KV


3


 High Temperature Reverse Current


IRM2


μA


10max

   Tamb=100oC

   VRM=12KV


4


 Reverse Breakdown Voltage


VZ


 KV


    12

 

          IR=2A


5


 Reverse Recovery Time


trr


nS


    -


IF=2mA, IRM=4mA  90%











(Tamb = 25 oC, a menos que se especifique lo contrario)

3. Aplicación

Para la rectificación de alto voltaje;

4. Disminución de la corriente directa

YZPST - 2CL High Frequency High Voltage Diode

PRODUCTOS POR GRUPO : Paquete de plástico semiconductor > Diodo de paquete de plástico

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