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DCR1020SF60 Tiristor de alta potencia 6000V

DCR1020SF60 Tiristor de alta potencia 6000V

Precio unitario: USD 120 / Piece/Pieces
Tipo de Pago: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Cantidad de pedido mínima: 20 Piece/Pieces
Plazo de entrega: 30 días

Información básica

    Modelo: YZPST-DCR1020SF60

Información adicional

    Paquete: 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico

    productividad: 100

    Marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origen: China

    Capacidad de suministro: 500

    Certificados : ISO9001-2008,ROHS

    HS-Code: 85413000

    Hafen: Shanghai

DDescripción

Tiristores de control de potencia

YZPST-DCR1020SF60


caracteristicas:

. Toda la estructura difusa

. Configuración de la puerta de amplificación central

. Bloqueo de capacidad hasta 4200 voltios.

. Tiempo máximo de apagado garantizado

. Alta capacidad dV / dt

. Dispositivo ensamblado a presión





CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y CALIFICACIONES.

Bloqueo - Estado apagado

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

6000~6500

6000~6500

6100~6600

V RRM = Voltaje de reversa pico repetitivo

V DRM = Voltaje de estado de apagado pico repetitivo

V RSM = Voltaje máximo inverso no repetitivo (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

25 mA

150 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

Notas:

Todas las calificaciones están especificadas para Tj = 25 oC a menos que

se indique lo contrario.

(1) Todas las clasificaciones de voltaje se especifican para un aplicado

Forma de onda sinusoidal de 50Hz / 60zHz sobre la

Rango de temperatura de -40 a +125 oC.

(2) 10 mseg. max. ancho de pulso

(3) Valor máximo para Tj = 125 oC.

(4) Valor mínimo para lineal y exponencial.

Forma de onda al 80% de VDRM. Puerta abierta.

Tj = 125 oC.

(5) Valor no repetitivo.

(6) El valor de di / dt se establece de acuerdo con

con EIA / NIMA Estándar RS-397, Sección

5-2-2-6. El valor definido sería adicionalmente.

ción a la obtenida a partir de un circuito amortiguador,

que comprende un condensador de 0.2 F y 20 ohmios

resistencia en paralelo con el thristor bajo

prueba.



Conduciendo - en estado

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)

640

A

Sinewave,180o conduction,Tc=60oC

RMS value of on-state current

ITRMS

1005

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

8.5

KA

KA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

0.36x106

A2s

8.3 msec and 10.0 msec

Latching current

IL

600

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

200

mA

VD = 24 V; I =2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

3.6

V

ITM = 1800 A; Duty cPSTCle £ 0.01%; Tj = 25 oC

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

-

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

100

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y CALIFICACIONES.

Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

150

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

5

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

-

300

-

mA

mA

mA

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

-

3.0

-

V

V

V

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

5

V

Dinámica

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

-

0.5

ms

ITM =50 A; VD = Rated VDRM

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

-

600

ms

ITM =1000 A; di/dt =25 A/ms;

VR ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0;

Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%

Reverse recovery charge

Qrr

*

mC

ITM =1000 A; di/dt =25 A/ms;

VR ³ -50 V

* Para garantizado max. Valor, contacte con la fábrica.

CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS Y MECÁNICAS Y CALIFICACIONES.

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+125

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

0.022

0.052

oC/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

0.004

0.008

oC/W

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistamce - junction to sink

RQ (j-s)

-

-

oC/W

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

P

18

22

kN

Weight

W

-

g

* Superficies de montaje lisas, planas y engrasadas.

Conduciendo - en estado

Kk200a4000vthyristor 4

Sym

A

B

C

D

H

mm

75

47

66

3.5×3

26±1




PRODUCTOS POR GRUPO : Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Tiristor de control de fase

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Fax:86-514-87782297

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