Lista de Productos
Modelo: YZPST-KP894A-6500V
Marca: YZPST
Paquete: 1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico
productividad: 100
transporte: Ocean,Air
Lugar de origen: China
Capacidad de suministro: 1000
Certificados : ISO9000
HS-Code: 85413000
Hafen: SHANGHAI
Tipo de Pago: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Plazo de entrega: 30 días
TIRISTOR DE ALTA POTENCIA PARA APLICACIONES DE CONTROL DE FASE
YZPST-KP894A-6500V
caracteristicas:
. Toda estructura difusa
. Configuración de puerta amplificadora interdigitada v
. Máximo tiempo de apagado garantizado
. Alta capacidad dV / dt
. Dispositivo ensamblado a presión
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y CLASIFICACIONES
Bloqueo - Estado desactivado
VRRM (1) |
VDRM (1) |
VRSM (1) |
6500 |
6500 |
6600 |
V RRM = Voltaje inverso pico repetitivo
V DRM = Voltaje repetitivo de estado pico apagado
V RSM = Tensión inversa pico no repetitiva (2)
Repetitive peak reverse leakage and off state leakage |
IRRM / IDRM |
20 mA 200 mA (3) |
Critical rate of voltage rise |
dV/dt (4) |
1000 V/msec |
Notas:
Todas las clasificaciones se especifican para Tj = 25 o C a menos que se indique lo contrario.
(1) Todas las clasificaciones de voltaje se especifican para un
Forma de onda sinusoidal de 50Hz / 60zHz sobre el
rango de temperatura -40 a +125 o C.
(2) 10 ms. max. ancho de pulso
(3) Valor máximo para Tj = 125 o C.
(4) Valor mínimo para forma de onda lineal y exponencial a 80% de V DRM nominal . Puerta abierta. Tj = 125 o C.
(5) Valor no repetitivo.
(6) El valor de di / dt se establece de acuerdo con el estándar EIA / NIMA RS-397, Sección 5-2-2-6. El valor definido sería adicional al obtenido de un circuito ubber, que comprende un condensador de 0.2 m F y una resistencia de 20 ohmios en paralelo con el thristor bajo prueba.
Notas:
Todas las clasificaciones se especifican para Tj = 25 o C a menos que se indique lo contrario.
(1) Todas las clasificaciones de voltaje se especifican para un
Forma de onda sinusoidal de 50Hz / 60zHz sobre el
rango de temperatura -40 a +125 o C.
(2) 10 ms. max. ancho de pulso
(3) Valor máximo para Tj = 125 o C.
(4) Valor mínimo para forma de onda lineal y exponencial a 80% de V DRM nominal . Puerta abierta. Tj = 125 o C.
(5) Valor no repetitivo.
(6) El valor de di / dt se establece de acuerdo con el estándar EIA / NIMA RS-397, Sección 5-2-2-6. El valor definido sería adicional al obtenido de un circuito ubber, que comprende un condensador de 0.2 m F y una resistencia de 20 ohmios en paralelo con el thristor bajo prueba.
Conducción - en estado
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Max. average value of on-state current |
IT(AV)M |
|
894 |
|
A |
Sinewave,180o conduction,Tc=60oC |
RMS value of on-state current |
IT(RMS)m |
|
1404 |
|
A |
Nominal value |
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current |
ITSM |
|
-
12 |
|
kA
kA |
8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC |
I square t |
I2t |
|
0.72x106 |
|
A2s |
8.3 msec |
Latching current |
IL |
|
3000 |
|
mA |
VD = 24 V; RL= 12 ohms |
Holding current |
IH |
|
300 |
|
mA |
VD = 24 V; I = 2.5 A |
Peak on-state voltage |
VTM |
|
2.4 |
|
V |
ITM = 1000 A ,Tj = 25 oC |
Critical rate of rise of on-state current (5, 6) |
di/dt |
|
- |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V, non-repetitive |
Critical rate of rise of on-state current (6) |
di/dt |
|
200 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V |
Sym |
A |
B |
C |
D |
H |
mm |
75 |
47 |
66 |
3.5×3 |
26±1 |
PRODUCTOS POR GRUPO : Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Tiristor inversor
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Mr. John chang
Número de Teléfono:86-514-87782298
Fax:86-514-87782297
Móvil:+8613805278321
Email:info@yzpst.com
Dirección: 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu