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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Home > Lista de Productos > Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Tiristor inversor > Alta capacidad dV / dt Tiristor de alta potencia 6500V

Alta capacidad dV / dt Tiristor de alta potencia 6500V

  • $150
    1-99
    Piece/Pieces
  • $95
    ≥100
    Piece/Pieces
Payment Type:
L/C,T/T,Paypal
Incoterm:
FOB,CFR,CIF
Min. Order:
1 Piece/Pieces
Delivery Time:
30 Days
Transportation:
Ocean,Air
Port:
SHANGHAI
  • DDescripción
Overview
Product Attributes

ModeloYZPST-KP894A-6500V

MarcaYZPST

Supply Ability & Additional Informations

Paquete1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico

productividad100

transporteOcean,Air

Lugar de origenChina

Capacidad de suministro1000

Certificados ISO9000

HS-Code85413000

HafenSHANGHAI

Tipo de PagoL/C,T/T,Paypal

IncotermFOB,CFR,CIF

Plazo de entrega30 días

Packaging & Delivery
Selling Units:
Piece/Pieces
Package Type:
1. Embalaje anti-electrostático 2. Caja de cartón 3. Embalaje protector de plástico


TIRISTOR DE ALTA POTENCIA PARA APLICACIONES DE CONTROL DE FASE

YZPST-KP894A-6500V

Descripción del producto

caracteristicas:

. Toda estructura difusa

. Configuración de puerta amplificadora interdigitada v

. Máximo tiempo de apagado garantizado

. Alta capacidad dV / dt

. Dispositivo ensamblado a presión

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y CLASIFICACIONES

Bloqueo - Estado desactivado

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

6500

6500

6600

V RRM = Voltaje inverso pico repetitivo

V DRM = Voltaje repetitivo de estado pico apagado

V RSM = Tensión inversa pico no repetitiva (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

20 mA

200 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

Notas:

Todas las clasificaciones se especifican para Tj = 25 o C a menos que se indique lo contrario.

(1) Todas las clasificaciones de voltaje se especifican para un

Forma de onda sinusoidal de 50Hz / 60zHz sobre el

rango de temperatura -40 a +125 o C.

(2) 10 ms. max. ancho de pulso

(3) Valor máximo para Tj = 125 o C.

(4) Valor mínimo para forma de onda lineal y exponencial a 80% de V DRM nominal . Puerta abierta. Tj = 125 o C.

(5) Valor no repetitivo.

(6) El valor de di / dt se establece de acuerdo con el estándar EIA / NIMA RS-397, Sección 5-2-2-6. El valor definido sería adicional al obtenido de un circuito ubber, que comprende un condensador de 0.2 m F y una resistencia de 20 ohmios en paralelo con el thristor bajo prueba.

Notas:

Todas las clasificaciones se especifican para Tj = 25 o C a menos que se indique lo contrario.

(1) Todas las clasificaciones de voltaje se especifican para un

Forma de onda sinusoidal de 50Hz / 60zHz sobre el

rango de temperatura -40 a +125 o C.

(2) 10 ms. max. ancho de pulso

(3) Valor máximo para Tj = 125 o C.

(4) Valor mínimo para forma de onda lineal y exponencial a 80% de V DRM nominal . Puerta abierta. Tj = 125 o C.

(5) Valor no repetitivo.

(6) El valor de di / dt se establece de acuerdo con el estándar EIA / NIMA RS-397, Sección 5-2-2-6. El valor definido sería adicional al obtenido de un circuito ubber, que comprende un condensador de 0.2 m F y una resistencia de 20 ohmios en paralelo con el thristor bajo prueba.

Conducción - en estado

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. average value of on-state current

IT(AV)M

 

894

 

A

Sinewave,180o conduction,Tc=60oC

RMS value of on-state current

IT(RMS)m

 

1404

 

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

-

   

12

 

kA

 

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

0.72x106

 

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

 

3000

 

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

300

 

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

2.4

 

V

ITM = 1000 A ,Tj = 25 oC

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

 

-

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

 

200

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

YZPST-KP894A-6500V-1

Sym

A

B

C

D

H

mm

75

47

66

3.5×3

26±1


PRODUCTOS POR GRUPO : Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Tiristor inversor

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