YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Inicio> Lista de Productos> Paquete de plástico semiconductor> BI DIRECCIONES Tiristor (Triac)> YZPST Brand BT131 Serie 1A Triacs SOT-223
YZPST Brand BT131 Serie 1A Triacs SOT-223
YZPST Brand BT131 Serie 1A Triacs SOT-223
YZPST Brand BT131 Serie 1A Triacs SOT-223
YZPST Brand BT131 Serie 1A Triacs SOT-223
YZPST Brand BT131 Serie 1A Triacs SOT-223
YZPST Brand BT131 Serie 1A Triacs SOT-223
YZPST Brand BT131 Serie 1A Triacs SOT-223
YZPST Brand BT131 Serie 1A Triacs SOT-223

YZPST Brand BT131 Serie 1A Triacs SOT-223

$0.0410000-99999 Piece/Pieces

$0.03≥100000Piece/Pieces

Tipo de Pago:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transporte:Ocean,Air
Hafen:SHANGHAI
Atributos del producto

ModeloYZPST-BT131

MarcaYzpst

VTM≤1.5v

Tstg-40~150℃

Tj-40~125℃

ITSM16a

I2t1.28a2s

SolicitudNo aplica

Tipo De Alimentaciónotro

Materiales De Referenciaotro, Foto, ficha de datos

Tipo De PaqueteMontaje superficial

Metodo De InstalacionNo aplica

Función FETNo aplica

ConfiguraciónNo aplica

IT(RMS)1A

VDRM/VRRM600/800V

Embalaje y entrega
Unidades de venta : Piece/Pieces
Ejemplo de una imagen :
Descargar :
TRIAC BT131 SOT-223
Descripción


BT131 Serie 1A Triacs SOT-223

DESCRIPCIÓN:

Con una corriente baja y corriente de fallecimiento, los TRIAC de la serie BT131 se recomiendan especialmente para su uso en la carga de potencia de tipo de resistencia media y pequeña.

YZPST-BT131-1



PRINCIPALES CARACTERÍSTICAS:

symbol

value

unit

IT(RMS)

1

A

VDRM/VRRM

600/800

V

VTM

≤1.5

V

ÍNDICES ABSOLUTOS MÁXIMOS:

Parameter

Symbol

Value

Unit

Storage junction temperature range

Tstg

-40~150

Operating junction temperature range

Tj

-40~125

Repetitive peak off-state voltage (Tj=25)

VDRM

600/800

V

Repetitive peak reverse voltage (Tj=25)

VRRM

600/800

V

RMS on-state current

IT(RMS)

1

A

Non repetitive surge peak on-state current (full cycle, F=50Hz)

 

ITSM

 

16

 

A

I2t value for fusing (tp=10ms)

I2t

1.28

A2s

Critical rate of rise of on-state current (IG=2×IGT)

 

dI/dt

--

50

 

A/μs

10

Peak gate current

IGM

2

A

Average gate power dissipation

PG(AV)

0.5

W

Peak gate power

PGM

5

W

Características eléctricas (t j = 25 ℃ a menos que se especifique lo contrario)

 

Parameter

 

Test Condition

 

Quadrant

 

Value

 

Unit

T

D

 

IGT

 

 

VD=12V, RL=33Ω

Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ

 

 

MAX

3

5

mA

5

10

 

VGT

Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ-Ⅳ

1.3

V

VGD

VD=VDRM

Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ-Ⅳ

MIN

0.2

V

IH

IT=100mA

MAX

5

7

mA

 

IL

 

IG=1.2IGT

Ⅰ-Ⅲ-Ⅳ

 

MAX

5

5

 

mA

10

20

dV/dt

VD=0.66×VDRM Tj=125Gate open

MIN

20

50

V/µs

Características estáticas

Symbol

Test Condition

Value

Unit

VTM

ITM=1.4A tp=380μs

Tj=25

MAX

1.5

V

IDRM IRRM

 

VDRM= VRRM

Tj=25

 

MAX

5

µA

Tj=125

0.5

mA

Resistencia térmica

Symbol

Test Condition

Value

Unit

 

Rth(j-c)

 

junction to case(AC)

TO-92

60

/W

SOT-89/SOT-223 SOT-223-2L

31

/W

Datos mecánicos de paquete

YZPST-BT131-2




苏ICP备05018286号-1
Realizar consulta
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Enviar