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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Home > Lista de Productos > Paquete de plástico semiconductor > Tiristor Bi Direcciones (Triac) > Triacs BT131 Serie 1A

Triacs BT131 Serie 1A

  • $0.17
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L/C,T/T,Paypal
Incoterm:
FOB,CFR,CIF
Min. Order:
100 Piece/Pieces
Delivery Time:
30 Days
Transportation:
Ocean,Air
Port:
SHANGHAI
  • DDescripción
Overview
Product Attributes

ModeloYZPST-BT131

MarcaYZPST

IT(RMS)1A

VDRM/VRRM600/800V

VTM≤1.5V

Tstg-40~150℃

Tj-40~125℃

ITSM16A

I2t1.28A2s

Supply Ability & Additional Informations

productividad100000

transporteOcean,Air

Lugar de origenporcelana

Capacidad de suministro1000000

Certificados ISO9001-2008,ROHS

HS-Code85413000

HafenSHANGHAI

Tipo de PagoL/C,T/T,Paypal

IncotermFOB,CFR,CIF

Plazo de entrega30 días


Triacs BT131 Serie 1A

DESCRIPCIÓN:

Con baja corriente de retención y enclavamiento, BT131
Los triacs de la serie se recomiendan especialmente para
usar en potencia de tipo de resistencia media y pequeña
carga.

YZPST-BT131-1

PRINCIPALES CARACTERÍSTICAS:

symbol

value

unit

IT(RMS)

1

A

VDRM/VRRM

600/800

V

VTM

≤1.5

V

ÍNDICES ABSOLUTOS MÁXIMOS:

Parameter

Symbol

Value

Unit

Storage junction temperature range

Tstg

-40~150

Operating junction temperature range

Tj

-40~125

Repetitive peak off-state voltage (Tj=25)

VDRM

600/800

V

Repetitive peak reverse voltage (Tj=25)

VRRM

600/800

V

RMS on-state current

IT(RMS)

1

A

Non repetitive surge peak on-state current (full cycle, F=50Hz)

 

ITSM

 

16

 

A

I2t value for fusing (tp=10ms)

I2t

1.28

A2s

Critical rate of rise of on-state current (IG=2×IGT)

 

dI/dt

--

50

 

A/μs

10

Peak gate current

IGM

2

A

Average gate power dissipation

PG(AV)

0.5

W

Peak gate power

PGM

5

W

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (T j = 25 ℃ a menos que se especifique lo contrario)

 

Parameter

 

Test Condition

 

Quadrant

 

Value

 

Unit

T

D

 

IGT

 

 

VD=12V, RL=33Ω

Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ

 

 

MAX

3

5

mA

5

10

 

VGT

Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ-Ⅳ

1.3

V

VGD

VD=VDRM

Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ-Ⅳ

MIN

0.2

V

IH

IT=100mA

MAX

5

7

mA

 

IL

 

IG=1.2IGT

Ⅰ-Ⅲ-Ⅳ

 

MAX

5

5

 

mA

10

20

dV/dt

VD=0.66×VDRM Tj=125Gate open

MIN

20

50

V/µs

CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS

Symbol

Test Condition

Value

Unit

VTM

ITM=1.4A tp=380μs

Tj=25

MAX

1.5

V

IDRM IRRM

 

VDRM= VRRM

Tj=25

 

MAX

5

µA

Tj=125

0.5

mA

RESISTENCIAS TÉRMICAS

Symbol

Test Condition

Value

Unit

 

Rth(j-c)

 

junction to case(AC)

TO-92

60

/W

SOT-89/SOT-223 SOT-223-2L

31

/W

DATOS MECÁNICOS DEL PAQUETE

YZPST-BT131-2


PRODUCTOS POR GRUPO : Paquete de plástico semiconductor > Tiristor Bi Direcciones (Triac)

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