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PSTA62166 diámetro 75 mm tiristor asimétrico 2500V

PSTA62166 diámetro 75 mm tiristor asimétrico 2500V

Tipo de Pago: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Plazo de entrega: 30 días

Información básica

    Modelo: YZPST-KN1000A25-BSTR62166

    Tipo: Semiconductor intrínseco

Información adicional

    productividad: 100

    Marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origen: China

    Capacidad de suministro: 500

    Certificados : ISO9001-2008,ROHS

    HS-Code: 85413000

    Hafen: Shanghai

DDescripción

Tiristores asimétricos

YZPST-KN1000A25-BSTR62166

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y CALIFICACIONES.

Tipo de tiristores asimétricos: YZPST A60120

Notas:

Todas las calificaciones están especificadas para Tj = 25 oC a menos que

se indique lo contrario.

(1) Todas las clasificaciones de voltaje se especifican para un aplicado

Forma de onda sinusoidal de 50Hz / 60zHz sobre la

Rango de temperatura de -40 a +125 oC.

(2) 10 mseg. max. ancho de pulso

(3) Valor máximo para Tj = 125 oC.

(4) Valor mínimo para lineal y exponencial.

Forma de onda al 80% clasificado VDRM. Puerta abierta.

Tj = 125 oC.

(5) Valor no repetitivo.

(6) El valor de di / dt se establece de acuerdo con

con EIA / NIMA Estándar RS-397, Sección

5-2-2-6. El valor definido sería adicionalmente.

ción a la obtenida a partir de un circuito amortiguador,

que comprende un condensador de 0.2 F y 20 ohmios

resistencia en paralelo con el thristor bajo

prueba.

Bloqueo - Estado apagado

VRRM (1)

VDRM (1)

20

1800

V RRM = Voltaje pico inverso repetitivo

V DRM = Voltaje de estado de pico apagado repetitivo


Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

 

100 mA

 

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

Conduciendo - en estado

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)M

1000

A

Sinewave,180o conduction,Tsink=55oC

RMS value of on-state current

ITRMS

2000

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

20

KA

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

2x106

A2s

10.0 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

1000

mA

VD = 24 V; I =2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

2.42

V

ITM =2000 A; Tj = 125 oC

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

-

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

800

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y CALIFICACIONES.

Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

5

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

-

300

-

mA

mA

mA

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

-

3.0

-

V

V

V

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

5

V

Dinámica

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

1.6

0.8

ms

ITM =500 A; VD = Rated VDRM

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

-

25

ms

ITM =1000 A; di/dt =25 A/ms;

VR ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0;

Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%

Reverse recovery charge

Qrr

-

-

mC

ITM =1000 A; di/dt =25 A/ms;

VR ³ -50 V

* Para garantizado max. Valor, contacte con la fábrica.

CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS Y MECÁNICAS Y CALIFICACIONES

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+150

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

-

-

K/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistance - case to heatsink

RQ (c-s)

-

-

K/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistance - junction to heatsink

RQ (j-s)

0.02

0.04

K/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

P

19

26

kN

Weight

W

-

g

about

* Superficies de montaje lisas, planas y engrasadas.

Nota: para el esquema y las dimensiones del caso, consulte el dibujo del esquema del caso en la última página de estos Datos técnicos

PRODUCTOS POR GRUPO : Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Tiristor asimétrico

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