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Oferta Tiristores Asimétricos 438A

Oferta Tiristores Asimétricos 438A

Tipo de Pago: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Plazo de entrega: 30 días

Información básica

    Modelo: YZPST-KN358A10

Información adicional

    productividad: 100

    Marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origen: China

    Capacidad de suministro: 500

    Certificados : ISO9001-2008,ROHS

    HS-Code: 85413000

    Hafen: SHANGHAI

DDescripción

Aplicaciones tiristor asimétricas

YZPST-KN358A10

Aplicaciones tiristores asimétricas 15V de características:. Configuración de compuerta amplificadora central . Tiempo máximo garantizado de apagado

. Toda estructura difusa . Capacidad de bloqueo hasta 2000 voltios

. Alta capacidad dV / dt . Dispositivo ensamblado a presión


CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y CLASIFICACIONES


Bloqueo - Estado de apagado

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

15

1000

15

V RRM = voltaje reverso de pico repetitivo

V DRM = Voltaje pico de estado repetitivo

V RSM = Tensión inversa máxima no repetitiva (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

5 mA

40 mA (3)

Critical rate of voltage rise (4)

dV/dt

1000 V/msec

Notas:

Todas las clasificaciones se especifican para Tj = 25 oC a menos que se indique lo contrario.

(1) Todas las clasificaciones de voltaje se especifican para una forma de onda sinusoidal de 50Hz / 60zHz aplicada en el rango de temperatura de -40 a +125 oC.

(2) 10 mseg. max. ancho de pulso

(3) Valor máximo para Tj = 125 oC.

(4) Valor mínimo para forma de onda lineal y exponencial al 80% de VDRM. Puerta abierta. Tj = 125 oC.

(5) valor no repetitivo.

(6) El valor de di / dt se establece de acuerdo con el estándar EIA / NIMA RS-397, sección 5-2-2-6. El valor definido sería adicional al obtenido de un circuito de amortiguamiento,

que comprende un condensador de 0,2 F y resistencia de 20 ohms en paralelo con el thristor bajo prueba.


Conduciendo - en estado

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)

438

A

Sinewave,180o conduction,Tc =85oC

RMS value of on-state current

ITRMS

900

A

Nominal value

Peak one cycle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

5500

A

A

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

1.5

KA2s

8.3 msec and 10.0 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

1000

mA

VD = 24 V; I =2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

2.1

V

ITM = 1500 A; Duty cycle £ 0.01%

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

-

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

500

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y CLASIFICACIONES

Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

10

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

300

mA

mA

mA

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

-

2.7

V

V

V

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

-

V

Dinámica

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

1

ms

ITM =50 A; VD = Rated VDRM

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

-

-

15

ms

ITM =500 A; di/dt =25 A/ms;

VR ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0;

Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%

Reverse recovery charge

Qrr

*

mC

ITM =500 A; di/dt =25 A/ms;

VR ³ -50 V

* Para un máximo garantizado valor, póngase en contacto con la fábrica.

CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS Y MECÁNICAS Y CALIFICACIONES

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+150

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

53

-

oC/KW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistamce - case to

sink

RQ (c-s)

-

-

oC/KW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistance - junction to sink

RQ (j-s)

-

-

oC/KW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

P

5

9

-

kN

Weight

W

-

g


Sale Asymmetric Thyristors 438A applications


PRODUCTOS POR GRUPO : Dispositivos de disco semiconductor (tipo cápsula) > Tiristor asimétrico

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