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Tiristor asimétrico profesional 341A del precio chino

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Tiristor asimétrico profesional 341A del precio chino

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Información básica

Modelo: YZPST-KN341A24

Información adicional

productividad: 100

Marca: YZPST

transporte: Ocean,Air

Lugar de origen: China

Capacidad de suministro: 500

Certificados : ISO9001-2008,ROHS

HS-Code: 85413000

Hafen: Shanghai

DDescripción

Tiristor asimétrico

YZPST-KN341A24

Aplicaciones tiristor asimétricas

Características:. Toda estructura difusa . Configuración de compuerta amplificadora central . Capacidad de bloqueo hasta 2000 voltios

. Tiempo máximo garantizado de apagado . Alta capacidad dV / dt . Dispositivo ensamblado a presión

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y CLASIFICACIONES

Bloqueo - Estado de apagado

VRRM (1)	VDRM (1)	VRSM (1)
10	2400/2800	10

V _RRM = voltaje reverso de pico repetitivo

V _DRM = Voltaje pico de estado repetitivo

V _RSM = Tensión inversa máxima no repetitiva (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

I_{RRM
/}I_DRM

5 mA

40 mA (3)

Critical rate of voltage rise (4)

dV/dt

1000 V/msec

Notas:

Todas las clasificaciones se especifican para Tj = 25 oC a menos que se indique lo contrario.

(1) Todas las clasificaciones de voltaje se especifican para una forma de onda sinusoidal de 50Hz / 60zHz aplicada en el rango de temperatura de -40 a +125 oC.

(2) 10 mseg. max. ancho de pulso

(3) Valor máximo para Tj = 125 oC.

(4) Valor mínimo para forma de onda lineal y exponencial al 80% de VDRM. Puerta abierta. Tj = 125 oC.

(5) valor no repetitivo.

(6) El valor de di / dt se establece de acuerdo con el estándar EIA / NIMA RS-397, sección 5-2-2-6. El valor definido sería adicional al obtenido de un circuito de amortiguamiento,

que comprende un condensador de 0,2 F y resistencia de 20 ohms en paralelo con el thristor bajo prueba.

Conduciendo - en estado

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Average value of on-state current	I_T(AV)		341		A	Sinewave,180^o conduction,T_c =85^oC
RMS value of on-state current	I_TRMS		1040		A	Nominal value
Peak one cycle surge (non repetitive) current	I_TSM		- 5700		A A	8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC
I square t	I²t		1.5		KA²s	8.3 msec and 10.0 msec
Latching current	I_L		-		mA	V_D = 24 V; R_L= 12 ohms
Holding current	I_H		1000		mA	V_{D =} 24 V; I =2.5 A
Peak on-state voltage	V_TM		2.45		V	I_TM = 1000 A; Duty cycle £ 0.01%
Critical rate of rise of on-state current (5, 6)	di/dt		2000		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V, non-repetitive
Critical rate of rise of on-state current (6)	di/dt		1000		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y CLASIFICACIONES

Gating

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Peak gate power dissipation	P_GM		30		W	t_p= 40 us
Average gate power dissipation	P_G(AV)		10		W
Peak gate current	I_GM		-		A
Gate current required to trigger all units	I_GT		400		mA mA mA	V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = -40 ^oC V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = +25 ^oC V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = +125^oC
Gate voltage required to trigger all units	V_GT		- 3		V V V	V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = -40 ^oC V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = 0-125^oC V_D = Rated V_DRM; R_L = 1000 ohms; T_j = + 125 ^oC
Peak negative voltage	V_GRM		-		V

Dinámica

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Delay time	t_d			1	ms	I_TM =50 A; V_D = Rated V_DRM Gate pulse: V_G = 20 V; R_G = 20 ohms; t_r = 0.1 ms; t_p = 20 ms
Turn-off time (with V_R = -50 V)	t_q	-	-	55	ms	I_TM =500 A; di/dt =25 A/ms; V_R ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% V_DRM; V_G = 0; T_j = 125 ^oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%
Reverse recovery charge	Q_rr		*		mC	I_TM =500 A; di/dt =25 A/ms; V_R ³ -50 V

* Para un máximo garantizado valor, póngase en contacto con la fábrica.

CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS Y MECÁNICAS Y CALIFICACIONES

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Operating temperature	T_j	-40	+125		^oC
Storage temperature	T_stg	-40	+150		^oC
Thermal resistance - junction to case	R_Q_(j-c)			- -	K/KW	Double sided cooled * Single sided cooled *
Thermal resistamce - case to sink	R_Q_(c-s)			- -	K/KW	Double sided cooled * Single sided cooled *
Thermal resistance - junction to sink	R_Q_(j-s)			50 100	K/KW	Double sided cooled * Single sided cooled *
Mounting force	P	5	9	-	kN
Weight	W			-	g